发光二极管及其封装方法技术

技术编号:13309878 阅读:52 留言:0更新日期:2016-07-10 10:01
一种发光二极管,包括引脚结构、发光元件、及覆盖于所述发光元件上的封装层,所述引脚结构包括相互间隔的第一电极和第二电极,所述发光元件与该第一电极、第二电极分别形成电性连接,所述第一电极包括一凸伸部,第二电极包括一凹陷部,所述凸伸部伸入至于所述凹陷部中,且所述凸伸部与凹陷部之间电绝缘。与先前技术相比,本发明专利技术中该凸伸部伸入到该凹陷部中,由于该凸伸部与该凹陷部相互间隔一填充有绝缘材料的弯曲狭长的间隙,使得从引脚结构底部经由间隙到达发光元件的路径较长,从而外界水汽不易沿引脚结构与基板之间的缝隙进入该凹陷,增强该发光二极管的气密性,从而保证发光元件的使用寿命。本发明专利技术还涉及一种该发光二极管的封装方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体及其封装方法,尤其涉及一种发光二极管及其封装方法
技术介绍
发光二极管(LightEmittingDiode,LED)是一种可将电流转换成特定波长范围的光的半导体元件,凭借其发光效率高、体积小、重量轻、环保等优点,已被广泛地应用到当前的各个领域当中。发光二极管在应用到上述各领域中之前,需要将发光二极管芯片进行封装,以保护发光二极管芯片。业界在进行封装时,会设置引脚结构与发光二极管芯片电性连接。所述引脚结构包括第一电极和第二电极,该第一电极及第二电极通常设置为规则的长方体状并相互间隔形成一间隙,所述间隙填充塑胶材料形成基板,由于该间隙竖直设置且路径较短,水汽容易从电极与塑料之间进入发光二极管从而影响发光二极管芯片的寿命。故,需进一步改进。
技术实现思路
本专利技术旨在提供一种密封性好的发光二极管及其封装方法。一种发光二极管,包括引脚结构、发光元件、及覆盖于所述发光元件上的封装层,所述引脚结构包括相互间隔的第一电极和第二电极,所述发光元件与所述第一电极、第二电极分别形成电性连接,所述第一电极包括一凸伸部,第二电极包括一凹陷部,所述凸伸部伸入至所述凹陷部中,所述凸伸部靠近所述第二电极的各端面与所述凹陷部靠近所述第一电极的各内端面相互平行,且该凸伸部与凹陷部之间电绝缘。一种发光二极管的封装方法,其包括步骤:提供具有一凸伸部的第一电极和具有一凹陷部第二电极,将所述发光元件设置在该第一电极,将所述第一电极的凸伸部伸入在第二电极的凹陷部中,使所述凸伸部的端面与所述凹陷部的内端面相对且二者之间相互间隔,以构成引脚结构,向所述间隙中填充流体材料形成基板;将一发光元件电连接至所述第一、第二电极;用一封装层覆盖该发光元件。与先前技术相比,本专利技术中该凸伸部伸入到该凹陷部中,由于该凸伸部与该凹陷部相互间隔一填充有绝缘材料的弯曲狭长的间隙,使得从引脚结构底部经由间隙到达发光元件的路径较长,从而外界水汽不易沿引脚结构与基板之间的缝隙进入该凹陷,增强该发光二极管的密封性,从而保证发光元件的使用寿命。附图说明图1为本专利技术一实施例的发光二极管的剖面示意图。图2至图7为本专利技术一实施例的发光二极管封装方法的各步骤示意图。主要元件符号说明发光二极管100引脚结构10反射杯20发光元件30封装层40第一电极11第二电极12第一表面13第二表面14间隙15基板50本体部111凸伸部112第一卡设部113凹陷部121第二卡设部122第一电性段123第二电性段124连接段125收容空间126固定部21反射部22卡槽211凹陷23模具60底模61顶模62腔体63顶板621抵挡部622定位部623流道624如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施方式以下将结合附图对本专利技术的发光二极管100作进一步的详细说明。请参阅图1,本专利技术一较优实施例的发光二极管100包括一引脚结构10、设于该引脚结构10上的一反射杯20和一发光元件30,及覆盖该发光元件30的封装层40。具体的,该引脚结构10包括相互间隔的第一电极11和第二电极12,每一电极11包括一第一表面13及与该第一表面13相对的第二表面14。所述第一电极11包括一本体部111、自该本体部111朝该第二电极12方向延伸的一凸伸部112,及自该本体部111沿背离该第二电极12方向延伸的一第一卡设部113。所述本体部111呈规则的长方体状,所述凸伸部112的纵截面呈长方形,并自该本体部111靠近该第二电极12的一端的中部向该第二电极12方向凸伸,即该凸伸部112的高度小于该本体部111的高度。所述第二电极12包括一凹陷部121及与该凹陷部121相连的一第二卡设部122。具体的,所述凹陷部121大致呈U型,且开口朝向该第一电极11,其包括位于该第一表面13上的第一电性段123、位于该第二表面14上的第二电性段124及连接该第一电性段123与该第二电性段124的连接段125,该第一电性段123与该第二电性段124相互平行,所述第一电性段123、第二电性段124及该连接段125围设形成一收容空间126,所述第一电性段123的上表面与该本体部111的上表面齐平,该第二电性段124的下表面与该本体部111的下表面齐平。所述第二卡设部122自该连接段125沿远离该第一电极11的方向凸伸,该第二卡设部122与该第一卡设部113相对应。本实施例中,该第一卡设部113、第二卡设部122及该凸伸部112的上下端面均相互齐平。该凸伸部112伸入该凹陷部121内,在本实施例中,该凸伸部112嵌设收容于该凹陷部121的收容空间126内,该凸伸部112的端面与该凹陷部121的内端面相对且二者之间相互间隔一间隙15,所述间隙15填充有绝缘材料而形成基板50。该凸伸部112靠近该第二电极12的各端面与该凹陷部121靠近该第一电极11的各内端面相互平行。可以理解的,该凸伸部112靠近该第二电极12的端面与该凹陷部121靠近该第一电极11的端面也可不相互平行,只保证两电极11、12其中之一伸入其中之另一并相互电绝缘即可;同时,各端面之间的间距可以相等、也可以不同。该凸伸部112与凹陷部121的形状也可为其他,如阶梯状等。所述反射杯20形成于该引脚结构10上并卡设于该引脚结构10的侧端,所述反射杯20包括一固定部21和位于该固定部21上的一反射部22。该固定部21对应该第一卡设部113和第二卡设部122的位置分别对应设置一卡槽211,该卡槽211与该卡设部113、122相互配合卡设以加强固定该反射杯20。所述反射部22位于该引脚结构10上方,该反射部22内侧面可形成有高反射材料,该反射部22与该引脚结构10及两电极11、12上表面之间暴露出的基板50共同围设形成一凹陷23,所述凹陷23的顶部尺寸大于其底部尺寸。该发光元件30设于该第一电极11上且位于该第一电极11的本体部111上,该发光元件30的两个电极分别与第一电极11、第二电极12形成电性连接。本实施例中该发光元件30为发光二极管晶粒,其与两侧的电极11、12通过打线的方式形成电性连接。该封装层40设于该发光元件30上并填设于该凹陷23中,且该封装层...

【技术保护点】
一种发光二极管,包括引脚结构、发光元件、及覆盖于所述发光元件上的封装层,所述引脚结构包括相互间隔的第一电极和第二电极,所述发光元件与所述第一电极、第二电极分别形成电性连接,其特征在于:所述第一电极包括一凸伸部,第二电极包括一凹陷部,所述凸伸部伸入至所述凹陷部中,所述凸伸部靠近所述第二电极的各端面与所述凹陷部靠近所述第一电极的各内端面相互平行,且该凸伸部与凹陷部之间电绝缘。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管,包括引脚结构、发光元件、及覆盖于所述发光元
件上的封装层,所述引脚结构包括相互间隔的第一电极和第二电极,所述发
光元件与所述第一电极、第二电极分别形成电性连接,其特征在于:所述第
一电极包括一凸伸部,第二电极包括一凹陷部,所述凸伸部伸入至所述凹陷
部中,所述凸伸部靠近所述第二电极的各端面与所述凹陷部靠近所述第一电
极的各内端面相互平行,且该凸伸部与凹陷部之间电绝缘。
2.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述发光元件设置
在该第一电极上。
3.如权利要求1所述的发...

【专利技术属性】
技术研发人员:不公告发明人
申请(专利权)人:九尊城网络科技深圳有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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