用于在碳化硅上形成石墨烯层的方法技术

一种用于形成石墨烯的方法，所述方法包括：将至少两种金属沉积在碳化硅(SiC)的表面上，所述至少两种金属包括至少一种第一金属和至少一种第二金属；以及在使所述至少一种第一金属与碳化硅中的硅反应的条件下加热SiC及第一金属和第二金属，以形成碳和至少一种稳定的硅化物，并且碳在至少一种稳定的硅化物中及在至少一种第二金属中的相应溶解度足够低，使得通过硅化物反应产生的碳在SiC上形成石墨烯层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于在碳化硅上形成石墨烯层的方法。
技术介绍
碳化硅(SiC)和硅(Si)二者均是用于制造诸如存储器、发光二极管(LED)、微机电系统(MEMS)和其他类型器件的产品的半导体材料。在主要考虑在极端环境中器件可靠性情况下，晶体SiC是MEMS换能器的所选材料。然而，由于块体SiC晶片的高成本及其昂贵的块体微加工工艺二者，SiC的使用已仅限于少数应用，通常是航空航天工业中见到的那些应用。然而，如在国际专利申请第PCT/AU2010/000153号(公开号为WO2010/091473)、题为“Achemicalvapourdepositionsystemandprocess”中所描述的，近来已开发了一种新型SiC生长反应器，使得能够在直径高达300mm的Si晶片上沉积薄的、高品质的SiC外延层。该突破已开辟了以合理成本制造具有优异性能的SiC基器件的机会。对于MEMS而言，Si上的薄膜外延SiC具有巨大潜力，这是因为其使得能够通过已建立的制造工艺(包括硅微本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于形成石墨烯的方法，包括：将至少两种金属沉积在碳化硅(SiC)的表面上，所述至少两种金属包括至少一种第一金属和至少一种第二金属；以及在使所述至少一种第一金属与所述碳化硅中的硅反应的条件下加热所述SiC及所述第一金属和第二金属，以形成碳和至少一种稳定的硅化物，并且所述碳在所述至少一种稳定的硅化物中以及在所述至少一种第二金属中的相应溶解度足够低，使得通过所述硅化物反应生成的所述碳在所述SiC上形成石墨烯层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.09.16 AU 2013903547;2014.07.18 AU 20149027921.一种用于形成石墨烯的方法，包括：
将至少两种金属沉积在碳化硅(SiC)的表面上，所述至少两种金属
包括至少一种第一金属和至少一种第二金属；以及
在使所述至少一种第一金属与所述碳化硅中的硅反应的条件下加热
所述SiC及所述第一金属和第二金属，以形成碳和至少一种稳定的硅化
物，并且所述碳在所述至少一种稳定的硅化物中以及在所述至少一种第二
金属中的相应溶解度足够低，使得通过所述硅化物反应生成的所述碳在所
述SiC上形成石墨烯层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中碳在所述至少一种第二金属中
的相应溶解度低于碳在所述至少一种稳定的硅化物中的相应溶解度。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一至少一种金属为镍，
所述第二至少一种金属为铜。
4.一种用于形成石墨烯层的方法，包括：
将Ni/Cu层沉积在碳化硅的表面上，所述Ni/Cu层基本上由镍和铜构
成；
加热所得到的结构以使所述镍中的至少一部分与所述碳化硅中的相
应部分反应，以形成碳和包括硅化镍和任何剩余的未反应的镍和铜的金属
层，其中所述碳具有布置在剩余的碳化硅与所述金属层之间的石墨烯层的
形式。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，包括去除所述金属层
以露出下面的石墨烯层。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述碳化硅具有
布置在衬底上的薄膜的形式。
7.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：弗兰切斯卡·亚科皮，穆赫辛·艾哈迈德，本杰明·沃恩·坎宁，
申请(专利权)人：格里菲斯大学，
类型：发明
国别省市：澳大利亚;AU