【技术实现步骤摘要】
本技术设及半导体器件测试领域，特别是设及一种娃通孔的电迁移测试结 构。
技术介绍
穿透娃通孔技术，一般简称娃通孔技术，英文缩写为TSV(t虹OUgh silicon via)。 它是=维集成电路中堆叠忍片实现互连的一种新的技术解决方案。由于娃通孔技术能够使 忍片在=维方向堆叠的密度最大、忍片之间的互连线最短、外形尺寸最小，可W有效地实现 运种3D忍片层叠，制造出结构更复杂、性能更强大、更具成本效率的忍片，成为了目前电子 封装技术中最引人注目的一种技术。 随着几何尺寸的不断扩大，电流密度在电路互连中急剧增加，带来的一个最主要 的可靠性问题就是电迁移。电迁移化Iectro Migration,EM)是半导体侣铜制程工艺后段可 靠性评估的重要项目之一，由导电电子与扩散的金属原子之间的动量转移导致。在一定溫 度下，在金属中施加一定的电流，当电迁移发生时，一个运动电子的部分动量转移到邻近的 激活离子，运就导致该离子离开原始位置。当电流密度较大时，电子在静电场力的驱动下从 阴极向阳极定向移动形成"电子风"化Iectron Wind)，进而会引起庞大数量的原子远离...
【技术保护点】
一种硅通孔的电迁移测试结构，其特征在于，所述硅通孔的电迁移测试结构至少包括：通过第一底层金属连接的第一硅通孔及第二硅通孔，所述第一硅通孔及所述第二硅通孔的上端分别连接第一测试端及第二测试端，所述第一硅通孔、所述第二硅通孔及所述第一底层金属的周围设置一温度传感器，以对所述第一硅通孔、所述第二硅通孔及所述第一底层金属通电后的温度进行检测。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈芳，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。