透明基材的层系统以及用于制造层系统的方法技术方案

本发明专利技术涉及透明基材（100）的反射红外辐射的层系统，包括按以下顺序布置的：布置在透明基材（100）上的第一介电层（D1），布置在第一介电层（D1）上的第二介电层（D2），第一金属层系统（MS1），按以下顺序包括：第一金属层（M1），优选由Ag构成或包括Ag，第一阻断剂层（B1），介电阻挡覆盖层系统（BDS），其中第一介电层（D1）由SiO2构成或者包括SiO2且第二介电层（D2）由TiO2或Al2O3构成或者包括TiO2或Al2O3，或者第一介电层（D1）由Al2O3构成或包括Al2O3且第二介电层（D2）由TiO2构成或包括TiO2。对于用于在提供的透明基材（100）上制造本发明专利技术的反射红外线的层系统的方法，提供了所述施加的单个层中的至少一个通过溅射陶瓷靶材或者通过反应性溅射而施加。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】本专利技术涉及如相应独立权利要求前序部分所述的一种透明基材的反射红外辐射的层系统以及一种用于在提供的透明基材上制造反射红外线的层系统的方法。特别是在建筑物安装玻璃的情况下，透明基材上的具有较低热发射率的层系统（所谓Low-E系统）可以环保的方式显著降低能源投入。为实现成功营销，此类系统除低发射率外也具有高的可见光透射及高的色彩中性度。此类系统的其它重要性能为：低的散射光（雾度），基材上的层系统具有高的耐热性、耐化学性及粘着性，以及具有竞争力的制造成本（主要因制造这些层所用的耗材）。当前，主要出于成本原因而不考虑Au、ITO、W、Ta、Zr及Hf等涂布材料作为具有竞争力的系统的材料。目前，现有技术中的常见Low-E层系统包含至少一个薄的金属层（通常为银层）作为红外反射器，以及两个或两个以上介电层，该金属层布置在所述介电层之间。也可采用更多的功能层，其对该Low-E层系统，特别是金属层进行保护。除具有一个金属层（单Low-E）的Low-E层系统外，也存在具有两个（双Low-E）、三个（三Low-本文档来自技高网...

【技术保护点】
透明基材（100）的反射红外辐射的层系统，包括按以下顺序布置的：布置在该透明基材（100）上的第一介电层（D1），布置在该第一介电层（D1）上的第二介电层（D2），第一金属层系统（MS1），按以下顺序包括：第一金属层（M1），优选由Ag构成或包括Ag，第一阻断剂层（B1），介电阻挡覆盖层系统（BDS），其特征在于，所述第一介电层（D1）由SiO2构成或者包括SiO2且所述第二介电层（D2）由TiO2或Al2O3构成或者包括TiO2或Al2O3，或者所述第一介电层（D1）由Al2O3构成或包括Al2O3且所述第二介电层（D2）由TiO2构成或包括TiO2。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.07.30 DE 102013012571.5;2014.03.06 DE 10201401.透明基材（100）的反射红外辐射的层系统，包括按以下顺序布置的：
布置在该透明基材（100）上的第一介电层（D1），
布置在该第一介电层（D1）上的第二介电层（D2），
第一金属层系统（MS1），按以下顺序包括：
第一金属层（M1），优选由Ag构成或包括Ag，
第一阻断剂层（B1），
介电阻挡覆盖层系统（BDS），
其特征在于，
所述第一介电层（D1）由SiO2构成或者包括SiO2且所述第二介电层（D2）由TiO2或Al2O3构
成或者包括TiO2或Al2O3，或者所述第一介电层（D1）由Al2O3构成或包括Al2O3且所述第二介
电层（D2）由TiO2构成或包括TiO2。
2.如权利要求1所述的层系统，其特征在于，所述第一金属层（M1）布置在位于第二介电
层（D2）与第一金属层（M1）之间的第一晶种层（S1）上。
3.如权利要求2所述的层系统，其特征在于，所述第一晶种层（S1）由AZO、NiCrOx、TiOx或
Ti构成，或者包括上述元素。
4.如前述权利要求任一项所述的层系统，其特征在于，所述第一阻断剂层（B1）布置在
第一金属层（M1）上。
5.如前述权利要求任一项所述的层系统，其特征在于，所述第一阻断剂层（B1）由
NiCrOx、NiCr、TiOx、Ti、ZnOx:Al或AZO构成，或者包括上述元素。
6.如前述权利要求任一项所述的层系统，其特征在于，所述介电阻挡覆盖层系统（BDS）
布置在第一阻断剂层（B1）上。
7.如前述权利要求任一项所述的层系统，其特征在于，设置第二金属层系统（MS2），按
以下顺序包括：
第三介电层（D3），
第二晶种层（S2），
第二金属层（M2），优选由Ag构成或包括Ag，
第二阻断剂层（B2），
其中，第二金属层系统（MS2）布置在第一金属层系统（MS1）的第一阻断剂层（B1）与介电
阻挡覆盖层系统（BDS）之间。
8.如权利要求7所述的层系统，其特征在于，所述第二金属层（M2）布置在第二晶种层
（S2）上且所述第二晶种层（S2）布置在第三介电层（D3）上。
9.如权利要求7或8任一项所述的层系统，其特征在于，设置第三金属层系统（MS3），按
以下顺序包括：
第四介电层（D4），
第三晶种层（S3），
第三金属层（M3），优选由Ag构成或包括Ag，
第三阻断剂层（B3），
其中，第三金属层系统（MS3）布置在第二阻断剂层（B2）与介电阻挡覆盖层系统（BDS）之
间。
10.如权利要求9所述的层系统，其特征在于，所述第三金属层（M3）布置在第三晶种层
（S3）上且所述第三晶种层（S3）布置在第四介电层（D4）上。
11.如权利要求7至10任一项所述的层系统，其特征在于，所述第三介电层...

【专利技术属性】
技术研发人员：T科罗耶，W格拉夫，U施赖贝尔，G格拉博世，G克莱德特，
申请(专利权)人：布勒阿尔策瑙有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE