一种折射光源发光器件制造技术

技术编号:13303433 阅读:74 留言:0更新日期:2016-07-09 20:29
一种折射光源发光器件,包括硅衬底具有一个上表面,上表面具有凹槽,凹槽内设置有半导体层,半导体层依次设置缓冲层反射层,掺杂的下化合物层,量子阱层,上化合物层,上电极设置在上化合物层上,下电极设置在下化合物层上,分别设置在槽体两侧,量子阱层下部设置的下化合物层和量子阱层上部设置的上化合物层是导电的,分别连接下上电极,整体作为发光层。凹槽内发光层内侧设置有圆弧状棱镜体,将发光层所发出的光线整合,缓冲层包括高温缓冲层和低温缓冲层。本实用新型专利技术通过棱镜的设置克服了,传统发光器件光源效果不佳的问题。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于半导体领域,更具体的说本技术涉及一种半导体发光器件。
技术介绍
固态光源,例如发光二极管(LED)和激光二极管,比白炽灯或荧光灯等形式的照明具有显著的优势。将红色,绿色和蓝色三种原色以合理阵列形式布置,可以调节作为白光或彩色光源。此时,固态光源是通常更有效,并比传统的白炽灯或荧光灯产生更少的热量。固态照明技术虽然在技术上具有一定的优势,但现有的半导体结构和器件用于固态照明费用相对昂贵。传统的固态光源是通过在诸如碳化硅或蓝宝石之类的衬底上设置发光材料层来实现发光。
技术实现思路
本技术提供了一种新型的折射光源发光器件,通过器件表面的透镜的设置,可以有效改善光线效果。一种折射光源发光器件,包括硅衬底具有一个上表面,上表面具有凹槽,凹槽内设置有半导体层,半导体层依次设置缓冲层反射层,掺杂的下化合物层,量子阱层,上化合物层,上电极设置在上化合物层上,下电极设置在下化合物层上,分别设置在槽体两侧,量子阱层下部设置的下化合物层和量子阱层上部设置的上化合物层是导电的,分别连接下上电极,整体作为发光层。凹槽内发光层内侧设置有圆弧状棱镜体,将发光层所发出的光线整合,缓冲层包括高温缓冲层和低温缓冲层。缓冲层,反射层和量子阱层可使用原子层沉积来形成,金属有机化学气相沉积,等离子体增强化学气相沉积,化学气相沉积或物理气相沉积。掺杂下化合物层和上化合物层可以通过沉积形成。发射光时,电压通过分别连接在掺杂下化合物层和上化合物层的下部和上部电极施加。电流通过量子阱层产生发光。下化合物层和上化合物层可以是n掺杂的,而另一个p掺杂。所公开的结构可适合用于发射绿色,蓝色和其他颜色的灯。本技术通过棱镜的设置克服了,传统发光器件光源效果不佳的问题。附图说明图1为本技术剖视图。图2为本技术半导体层结构图。具体实施方式一种折射光源发光器件,包括硅衬底5具有一个上表面,上表面具有凹槽,凹槽内设置有半导体层2,半导体层2依次设置缓冲层231反射层232,下化合物层240,量子阱层250,上化合物层260,上电极1设置在上化合物层260上,下电极4设置在下化合物层240上,分别设置在槽体两侧,量子阱层250下部设置的下化合物层240,量子阱层250,上部设置的上化合物层260是导电的,分别连接下上电极,整体作为发光层。凹槽内发光层内侧设置有圆弧状棱镜体,将发光层所发出的光线整合,缓冲层包括高温缓冲层和低温缓冲层,缓冲层,反射层和量子阱层可使用原子层沉积来形成,金属有机化学气相沉积,等离子体增强化学气相沉积,化学气相沉积或物理气相沉积。掺杂下化合物层240和上化合物层260可以通过沉积形成。发射光时,电压通过分别连接在掺杂下化合物层240和上化合物层260的下部和上部电极施加。电流通过量子阱层250产生发光。下化合物层和上化合物层可以是n掺杂的,而另一个p掺杂。所公开的结构可适合用于发射绿色,蓝色和其他颜色的灯。需要注意的是,而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本实用新型的精神和范围,则都应在本技术所附权利要求的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种折射光源发光器件,包括硅衬底具有一个上表面,其特征在于,上表面具有凹槽,凹槽内设置有半导体层,半导体层依次设置缓冲层反射层,掺杂的下化合物层,量子阱层,上化合物层,上电极设置在上化合物层上,下电极设置在下化合物层上,分别设置在槽体两侧,量子阱层下部设置的下化合物层和量子阱层上部设置的上化合物层是导电的,分别连接下上电极,整体作为发光层,凹槽内发光层内侧设置有圆弧状棱镜体。

【技术特征摘要】
1.一种折射光源发光器件,包括硅衬底具有一个上表面,其特
征在于,上表面具有凹槽,凹槽内设置有半导体层,半导体层依次
设置缓冲层反射层,掺杂的下化合物层,量子阱层,上化合物层,
上电极设置在上化合物层上,下电极设置在下化合物层上,分别设
置在槽体两侧,量子阱层下部设置的下化合物层和量子阱层上部设
置的上化合物层是导电的,分别连接下上电极,整体作为...

【专利技术属性】
技术研发人员:牛宝
申请(专利权)人:河北易贝信息技术有限公司
类型:新型
国别省市:河北;13

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