固态电解电容器封装结构及其制造方法技术

技术编号:13247646 阅读:51 留言:0更新日期:2016-05-15 11:34
本实用新型专利技术公开了一种固态电解电容器封装结构及其制造方法,该固态电解电容器封装结构包括电容器总成、至少一电极引脚以及包覆该电容器总成及该电极引脚的一部分的封装体,且电极引脚具有分别位于封装体之内及之外的内埋部及裸露部;制造方法包含:进行前处理步骤,形成电极引脚保护膜以包覆裸露部;进行镀膜步骤,以形成一渗入且密封该固态电解电容器封装结构的微结构中的奈米薄膜;以及进行后处理步骤以去除电极引脚保护膜。本实用新型专利技术可有效改良固态电解电容器封装结构的气密性及水密性,进而增长使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本技术系有关于一种,尤指一种用于电子产品的。
技术介绍
电容器已广泛地被使用于消费性家电用品、计算机主板及其周边、电源供应器、通讯产品、及汽车等之基本组件,其主要的作用包括:滤波、旁路、整流、耦合、去耦、转相等。是电子产品中不可缺少的组件之一。电容器依照不同的材质及用途,有不同的型态。包括铝质电解电容、钽质电解电容、积层陶瓷电容、薄膜电容等。习知技术中,固态电解电容器具有小尺寸、大电容量、频率特性优越等优点,而可使用于中央处理器之电源电路的解耦合作用上。如图1所示,一般而言,习知堆栈式固态电解电容器100包括多个电容单元10,其中每一电容单元10包括正极部P及负极部N。电容单元10的负极部N彼此堆栈,且藉由在相邻的电容单元10之间设置导电胶材11,以使多个电容单元10之间彼此电性连接而形成电容器总成I。于图1中,电容单元10为芯片型固态电容器。另夕卜,电容器总成I中,每一电容单元10之正极部P前端皆延伸形成正极接脚12,正极接脚12弯折并一同焊接于一正极引脚13以达成电性连接。电容单元10之负极部N则电性连接至一负极引脚14。一般更利用合成树脂等材料包覆上述电容器总成1、正极接脚12,以及部分的正极引脚13及负极引脚14而形成一封装体15,以形成一固态电解电容器封装结构100。因此,正极引脚13包括位于该封装体15之内的内埋部131及一位于该封装体15之外的裸露部132,负极引脚14包括位于该封装体15之内的内埋部141及一位于该封装体15之外的裸露部142。裸露部141及142可被进一步弯折以与其他组件达成电性连接。然而,在形成封装体15的过程中,由于用于形成封装体15的合成树脂与电容器总成I中各组件的材料之热膨胀系数不同,可能有无法达成紧密封装,或封装过程产生缺陷或微缝隙等缺点。特别是,针对电容器总成I是由芯片型电容器所组成的固态电解电容器封装结构100,由于其通常是使用环氧树脂与有机物,例如硅砂的组成物及铝箔等亲水性材料来制造,在使用过程中更容易因吸湿而导致使用寿命缩短。如此一来,先前技术可能无法达成具有优良气密性、水密性的固态电解电容器封装结构100,而使固态电解电容器封装结构100在使用时有短路或漏电流等问题,进而缩短其使用寿命。因此,如何改善上述无法紧密封装之问题,将是相关业界亟待努力之课题。缘是,本技术人有感于上述缺失之可改善,乃特潜心研究并配合学理之运用,终于提出一种设计合理且有效改善上述缺失之本技术。
技术实现思路
针对现有技术的不足,本技术的目的是提供一种固态电解电容器封装结构的制造方法用于解决上述问题。 一种固态电解电容器封装结构的制造方法,该固态电解电容器封装结构包括一电容器总成、至少一电性连接该电容器总成的电极引脚以及一包覆该电容器总成及至少一该电极引脚的一部分的封装体,且至少一该电极引脚具有一位于该封装体之内的内埋部及一位于该封装体之外的裸露部,该固态电解电容器封装结构的制造方法包含:进行一前处理步骤,形成一电极引脚保护膜以包覆至少一该电极引脚的该裸露部;进行一镀膜步骤,以形成一渗入且密封该固态电解电容器封装结构的微结构中的纳米薄膜;以及进行一后处理步骤,去除该电极引脚保护膜。优选地,该纳米薄膜是由聚对甲苯(Pary I ene)所形成。优选地,该镀膜步骤更进一步包括:加热对二甲苯二聚物以使其气化;高温裂解经气化后的对二甲苯二聚物,以生成二甲苯单体;以及沉积二甲苯单体于该固态电解电容器封装结构上,其中该二甲苯单体在沉积过程中发生聚合,以形成由聚对甲苯所形成的该纳米薄膜。优选地,该沉积步骤是使用一真空气相沉积设备在室温下进行的。优选地,该纳米薄膜具有一厚度,且该厚度是少于I微米。优选地,该电容器总成包括多个依序堆栈的芯片型电容器或一卷绕型电容器。优选地,该固态电解电容器封装结构的该微结构包括:该封装体在制程过程中所形成的微孔洞及微缝隙以及位于该至少一电极引脚与该封装体之间的微缝隙。—种固态电解电容器封装结构,包括: 一电容器总成;至少一电极引脚,其电性连接该电容器总成;—封装体,其包覆该电容器总成的全部及至少一该电极引脚的一部分,其中至少一该电极引脚具有一位于该封装体之内的内埋部及一位于该封装体之外的裸露部;以及—由一纳米材料所形成的纳米薄膜,其覆盖于该封装体的表面上,其中该纳米材料将该封装体的表面的微孔洞及微缝隙以及位于该封装体与至少一该电极引脚之间的微缝隙密封。优选地,该纳米材料为聚对甲苯。优选地,该电容器总成包括多个依序堆栈的芯片型电容器或一卷绕型电容器。本技术的技术方案具有以下有益效果:本技术实施例所提供的,可通过使纳米尺度的材料分子渗入固态电解电容器封装结构在制程期间产生之微结构内而达到密封效果。如此一来,可有效改良固态电解电容器封装结构的气密性及水密性,进而避免固态电解电容器封装结构在运作时发生短路或漏电流。据此,本技术所提供的固态电解电容器封装结构可具有经改良的使用寿命。另一方面,本技术实施例所提供的固态电解电容器封装结构中的纳米薄膜可在常温下经由镀膜而形成,并且在此镀膜步骤中,还得以精密控制镀膜厚度及均匀性等参数,因而适用于具有复杂形状表面的电容器,例如芯片型电容器。另外,该镀膜步骤更可以在较大面积的对象上成膜,因而降低生产成本。【附图说明】下面通过附图和实施例,对本技术的技术方案做进一步的详细描述。图1为习知堆栈式固态电解电容器的结构的示意图。图2A及2B为本技术实施例的固态电解电容器封装结构的制造方法的流程图。图3A?3C为本技术实施例的固态电解电容器封装结构的制造方法中,固态电解电容器封装结构在不同阶段的示意图。图4A为图3A中A部分的放大图。图4B为图3B中B部分的放大图。【具体实施方式】为了清楚了解本技术的技术方案,将在下面的描述中提出其详细的结构。显然,本技术实施例的具体施行并不足限于本领域的技术人员所熟习的特殊细节。以下是通过特定的具体实例来说明本技术所揭露有关“”的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容了解本技术的优点与功效。本技术可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用,本说明书中的各项细节亦可基于不同观点与应用,在不悖离本技术的精神下进行各种修饰与变更。另外,本技术的图式仅为简单示意说明,并非依实际尺寸的描绘,先予叙明。以下的实施方式将进一步详细说明本技术的相关
技术实现思路
,但所揭示的内容并非用以限制本技术的技术范畴。首先,请参阅图2?图4所示,图2A及2B为本技术实施例的固态电解电容器封装结构的制造方法的流程图,图3A?3C为本技术实施例的固态电解电容器封装结构的制造方法中,固态电解电容器封装结构在不同阶段的示意图,图4A为图3A中A部分的放大图,而图4B为图3B中B部分的放大图。请参阅图3A,固态电解电容器封装结构200包括电容器总成2、电性连接电容器总成2的电极引脚3及包覆电容器总成2及电极引脚3的一部分的封装体25,且电极引脚3具有位于封装体之内的内埋部310、320及位于封装体之外的裸露部311、321。本技术实施例的固态电解电容器封装结构200的制造方法包含:首先,请参阅图3B,进行一前处理步骤,形成电极引脚本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种固态电解电容器封装结构,其特征在于,包括:一电容器总成;至少一电极引脚,其电性连接该电容器总成;一封装体,其包覆该电容器总成的全部及至少一该电极引脚的一部分,其中至少一该电极引脚具有一位于该封装体之内的内埋部及一位于该封装体之外的裸露部;以及一由一纳米材料所形成的纳米薄膜,其覆盖于该封装体的表面上,其中该纳米材料将该封装体的表面的微孔洞及微缝隙以及位于该封装体与至少一该电极引脚之间的微缝隙密封。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:高良民黄俊嘉
申请(专利权)人:钰邦电子无锡有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

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