成膜装置以及成膜方法制造方法及图纸

此成膜装置具备包含电极部21及靶材料22的溅镀电极23。作为直流电源41，使用能够以相对于靶材料22的表面积成为每平方厘米25瓦特以上的施加电力的方式对溅镀电极23施加直流电压。腔室10经由开闭阀39而与涡轮分子泵37连接。作为该涡轮分子泵37，使用最大排气速度为每秒300公升以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种成膜装置，尤其涉及一种对树脂制造的工件(work)执行利用溅镀(sputtering)的成膜的。
技术介绍
例如，汽车头灯(head lamp)的反射器(reflector)或仪表类使用经射出成型的树脂制品。而且，对于所述树脂制品，为了进行镜面抛光或使其具有金属质感，而借由以铝(aluminum)等金属为革E( target)的派镀进行成膜。另外，在借由溅镀进行成膜后，为了防止金属膜的氧化，而借由等离子体(plasma)化学蒸气沉积(Chemical Vapor Deposi t1n，CVD)执行氧化娃(si I icon)保护膜等的成膜。即，借由溅镀而成膜后的工件被搬送至另一成膜装置，在该成膜装置的腔室(chamber)内利用六甲基二娃氧烧(Hexamethyldisiloxane，HMDS0)等单体气体(monomer gas)而进行等离子体CVD，借此在利用溅镀的成膜后的表面进行保护膜的成膜。亦提出有在同一腔室内执行利用溅镀的成膜与复合成膜或聚合成膜的装置。在专利文献I中，揭示有将溅镀用电极与复合成膜或聚合成膜用电极配置于仅隔开规定距离的位置的成膜装置。在该成膜装置中，最初，将工件与溅镀电极对向配置，并且将惰性气体导入至腔室内后，对溅镀电极施加直流而执行利用溅镀的成膜。其次，使工件移动而将工件与复合成膜或聚合成膜用电极对向配置，并且将HMDSO等单体气体导入腔室内后，对复合成膜或聚合成膜用电极施加高频电压，执行复合成膜或聚合成膜。在该专利文献I所记载的成膜装置中，具有在未使用的革E上配置挡板(shutter)的构成。日本专利特开2011-58048号公报
技术实现思路
在对此种树脂制造的工件进行成膜时，较佳为对自射出成形机以固定的间隔送出的工件以与射出成形机的工件的生产周期(cycle)连动的形式进行成膜。然而，在先前的成膜装置中，为了执行较佳的成膜，而必须将成膜开始前的腔室内的压力减压至10—3Pa(帕斯卡(pascal))左右，故而减压需要长时间。因此，先前，必须暂时仅存储(stock)—定量的借由射出成型机而射出成型的工件后，在另一工厂中执行利用溅镀或等离子体CVD的成膜。在此种情形时，为了执行高品质的成膜，而必须充分地进行真空排气来去除附着在工件表面的水分等吸附气体。因此，先前将多个工件一起设置于腔室内，利用如油扩散栗、祸轮分子栗(turbo molecular pump)、低温栗(cryopump)等超高真空栗对腔室内充分地进行真空排气而去除水分等吸附气体后，进行成膜作业。因此，不仅需要大型的装置，还需要长时间的处理。本专利技术是为了解决上述问题而完成，其目的在于提供一种可在短时间内对树脂制造的工件完成成膜处理的。第一专利技术所述的专利技术是对树脂制造的工件执行利用溅镀的成膜的成膜装置，其特征在于包括:腔室，收纳工件;减压单元，将上述腔室内减压至0.1帕斯卡以上且小于1.0帕斯卡的压力;惰性气体供给部，对上述腔室内供给惰性气体;溅镀电极，具备靶材料，且配设于上述腔室内；及直流电源，以相对于上述靶材料的表面积成为每平方厘米(squarecentimeter) 25瓦特(watt)以上的施加电力的方式，对上述派镀电极施加直流电压。第二专利技术所述的专利技术如第一专利技术所述的专利技术，其进而包括气体供给部，该气体供给部对上述腔室内供给露点为摄氏零度以下的气体。第三专利技术所述的专利技术如第一专利技术所述的专利技术，其中上述减压单元具有最大排气速度为每秒300公升(liter)以上的涡轮分子栗。第四专利技术所述的专利技术如第一专利技术至第三专利技术中任一项所述的专利技术，其进而包括:CVD电极，配设于上述腔室内；高频电源，对上述CVD电极施加高频电压;原料气体供给部，对上述腔室内供给原料气体；以及挡板，可在借由与上述溅镀电极抵接而覆盖上述靶材料的抵接位置、与离开上述溅镀电极的退避位置之间移动。第五专利技术所述的专利技术是对树脂制造的工件执行利用溅镀的成膜的成膜方法，其特征在于包括:搬入步骤，将经射出成型的树脂制造的工件自射出成形机搬入腔室内；减压步骤，将上述腔室内减压至0.1帕斯卡以上且小于1.0帕斯卡的压力;惰性气体供给步骤，对上述腔室内供给惰性气体;直流电压施加步骤，对于具备靶材料且配设于上述腔室内的溅镀电极，以相对于上述靶材料的表面积成为每平方厘米25瓦特以上的施加电力的方式，对上述溅镀电极施加直流电压;通风步骤，将上述腔室内通风至成为大气压；及搬出步骤，将成膜完成后的工件自上述腔室内搬出。第六专利技术所述的专利技术如第五专利技术所述的专利技术，其中在上述通风步骤中，对上述腔室内供给露点为摄氏零度以下的气体。第七专利技术所述的专利技术如第五专利技术所述的专利技术，其中在上述减压步骤中，以每秒300公升以上的排气速度自上述腔室内进行排气。第八专利技术所述的专利技术如第五专利技术至第七专利技术中任一项所述的专利技术，其中在上述直流电压施加步骤后且上述通风步骤前，进而包括:挡板配置步骤，借由挡板而覆盖上述靶材料;原料气体供给步骤，对上述腔室内供给原料气体；以及高频施加步骤，对配设于上述腔室内的CVD电极施加高频电压。根据第一专利技术及第五专利技术所述的专利技术，在将成膜开始前的腔室内的压力设为0.1帕斯卡以上且小于1.0帕斯卡左右的情形时，亦可执行较佳的成膜。因此，可缩短成膜所需的时间，从而可对自射出成形机以固定的间隔送出的工件以与射出成形机的工件的生产周期连动的形式进行成膜。根据第二专利技术及第六专利技术所述的专利技术，可减少空气中所包含的水分附着于腔室内的情况，从而可缩短下次成膜处理时的真空排气时间。根据第三专利技术及第七专利技术所述的专利技术，可使装置整体小型化并以更短时间执行真空排气，借此可缩短成膜所需的时间。根据第四专利技术及第八专利技术所述的专利技术，可在同一腔室内以短时间连续地执行利用溅镀的成膜与利用等离子体CVD的成膜。【附图说明】图1是本专利技术的成膜装置的正视概要图。图2是表示本专利技术的成膜装置的主要部分的侧视概要图。图3是表示利用挡板升降机构进行的挡板51的升降动作的侧视概要图。图4是表示利用挡板升降机构进行的挡板51的升降动作的侧视概要图。图5是表示利用挡板升降机构进行的挡板51的升降动作的侧视概要图。图6是表示利用挡板升降机构进行的挡板51的升降动作的侧视概要图。图7是表示利用挡板支撑机构进行的挡板51的支撑动作的局部放大图。图8是表示利用挡板支撑机构进行的挡板51的支撑动作的局部放大图。图9是表示利用挡板支撑机构进行的挡板51的支撑动作的局部放大图。【具体实施方式】以下，基于图式对本专利技术的实施方式进行说明。图1是本专利技术的成膜装置的正视概要图，图2是表示其主要部分的侧视当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种成膜装置，其对树脂制造的工件执行利用溅镀的成膜，其特征在于包括：腔室，收纳工件；减压单元，将上述腔室内减压至0.1帕斯卡以上且小于1.0帕斯卡的压力；惰性气体供给部，对上述腔室内供给惰性气体；溅镀电极，包括靶材料，且配设于上述腔室内；以及直流电源，以相对于上述靶材料的表面积成为每平方厘米25瓦特以上的施加电力的方式，对上述溅镀电极施加直流电压。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：尾崎悟，徳嵩佑，
申请(专利权)人：株式会社岛津制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP