存储设备、存储系统以及操作存储设备的方法技术方案

本申请公开了存储设备、存储系统以及操作存储设备的方法。操作具有多个字线和多个位线的电阻式存储设备的方法包括选择连接到第一位线的一个或多个第一存储单元，选择连接到第二位线的一个或多个第二存储单元，并且使用第一写驱动器对第一和第二存储单元同时执行复位写操作。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】相关申请的交叉引用本申请要求于2014年10月28日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2014-0147626号的权益，通过引用将其全部公开内容结合于此。
本申请涉及电阻式存储设备，并且更具体地，涉及执行擦除和验证操作的电阻式存储设备、电阻式存储系统以及操作电阻式存储设备的方法。
技术介绍
随着对于大容量和低电耗的存储设备的需求增加，研究了非易失性且不必刷新的下一代存储设备。下一代存储设备具有动态随机存取存储器(dynamic random accessmemory, DRAM)的高集成度、静态RAM(static RAM, SRAM)的快速响应等等。相变RAM (phasechange RAM, PRAM)、纳米浮棚■存储器(nano floating gate memory, NFGM)、聚合物RAM (polymer RAM，PoRAM)、磁性 RAM (magnetic RAM，MRAM)、铁电 RAM (ferroelectric RAM,FeRAM)、电阻式RAM (resistive RAM, RRAM)等等被作为满足以上要求的下一代存储设备来讨论。
技术实现思路
本申请公开了改善了擦除和验证操作的电阻式存储设备、电阻式存储系统以及操作电阻式存储设备的方法。根据本申请的一方面，提供一种操作具有多个字线和多个位线的电阻式存储设备的方法。所述方法包括选择连接到第一位线的一个或多个第一存储单元，选择连接到第二位线的一个或多个第二存储单元，并且使用第一写驱动器对第一和第二存储单元同时执行复位写操作。根据本申请的另一方面，提供一种操作具有多个字线和多个位线的电阻式存储设备的方法。所述方法包括选择连接到一个或多个字线或一个或多个位线的两个或更多个存储单元并将读取结果提供给第一感测放大器。读取结果被从被选存储单元在从字线到位线的方向上传送。所述方法还包括通过经由第一感测放大器同时验证被选的两个或更多个存储单元来生成验证结果。根据本申请的另一方面，提供一种操作具有彼此交叉地布置的多个第一信号线和多个第二信号线的电阻式存储设备的方法。所述方法包括接收擦除请求或者写请求，在布置于多个第一信号线与第一写驱动器之间的多个开关的控制下将第一写驱动器电连接到至少两个第一信号线，并且响应于擦除请求或者写请求，通过第一写驱动器同时擦除至少两个存储单元。擦除操作通过提供给连接到存储单元的第一和第二信号线的电压信号来控制。根据本申请的另一方面，提供一种包括具有布置在多个字线与多个位线交叉的区域中的多个存储单元的存储单元阵列的电阻式存储设备。读/写电路对多个存储单元执行读/写操作并且具有多个写驱动器。控制逻辑控制连接到两个或更多个位线的多个存储单元被选择并且被选存储单元被通过使用一个写驱动器同时擦除。根据本申请的另一方面，提供一种同时操作电阻式存储器的存储单元的方法，所述存储单元被多个第一信号线之一和多个第二信号线之一唯一寻址。所述方法包括将信号施加到第一信号线中的一个或多个中的每一者，并且将另一信号施加到第二信号线中的两个或更多个中的每一者，从而选择一个或多个第一信号线和两个或更多个第二信号线所唯一寻址的多个电阻式存储单元。在被选存储单元中的每一者两端同时施加电压。【附图说明】从下列结合附图的详细描述，将更清楚地理解本申请的示例性实施例，附图中:图1是根据示例性实施例的包括存储设备的存储系统的框图；图2是图示图1的存储设备的示例性实施例的框图；图3是图示图2的存储单元阵列的示例性实施例的电路图；图4A到4C是图示图3的存储单元的变更示例的电路图；图5是示出存储单元的电压电流特性曲线的曲线图；图6A和6B是示出根据示例性实施例的擦除操作和验证操作的构思的曲线图；图7是根据另一示例性实施例的执行擦除和验证操作的存储设备的框图；图8A、8B和8C是示出擦除操作的各种示例的框图；图9是图示在擦除操作期间选择存储单元的示例的电路图；图10是图示在擦除操作期间选择存储单元的另一示例的电路图；图11是图示在擦除操作期间选择存储单元的另一示例的电路图；图12是图示在擦除操作期间选择存储单元的另一示例的电路图；图13A、13B和13C是图示在验证操作期间选择存储单元的示例的电路图；图14A和14B是图示在验证操作期间选择存储单元的另一示例的电路图；图15A和15B是图示在验证操作期间选择存储单元的另一示例的电路图；图16是用于描述根据示例性实施例的操作电阻式存储设备的方法的流程图；图17是用于描述根据另一示例性实施例的操作电阻式存储设备的方法的流程图；图18和图19是图不根据另一不例性实施例的电阻式存储设备的不例的电路图；图20和图21是图示根据其它示例性实施例的电阻式存储设备的示例的框图；图22是根据另一示例性实施例的存储系统的框图；图23是图示将根据任意一个示例性实施例的存储系统应用到存储卡系统的示例的框图；图24是图示将根据任意一个示例性实施例的存储系统应用到固态驱动器(solidstate drive，SSD)系统的示例的框图；以及图25是包括根据任意一个示例性实施例的存储系统的计算系统的框图。【具体实施方式】如本文使用的术语“和/或”包括一个或多个相关列出项目中的任意一个以及所有组合。诸如“…中的至少一个”那样的表述当在元素列表之前时修饰整个元素列表而不修饰该列表中的单个元素。现在将参照附图更全面地描述本申请，附图中示出了本申请的实施例。然而，本申请不局限于此，并且将会理解，可对其进行形式上和细节上的各种改变而不会脱离权利要求的精神和范围。也就是说，对特定结构或功能的描述仅被提出来解释本申请的示例性实施例。贯穿图中，同样的参考标记表示同样的元素。图中组件的大小为了解释方便可能被夸大了。本说明书中使用的术语被用于解释具体示例性实施例，而不用于限制本申请。因此，本说明书中以单数形式使用的表述也包括其复数形式的表述，除非上下文中清楚地另外规定。此外，诸如“包括”或“包含”之类的术语可被解释为表示某一特性、数量、步骤、操作、组成元素或者它们的组合，而并不被解释为排除存在对一个或多个其它特性、数量、步骤、操作、组成元素或者它们的组合的添加的可能性。诸如“第一”和“第二”之类的术语在本文中仅用来描述多种组成元素，但这些组成元素并不受这些术语限制。这样的术语仅用于将一个组成元素与另一组成元素区分开来的目的。例如，在不脱离本申请的权利范围的情况下，第一组成元素可被称为第二组成元素，反之亦然。除非另外定义，否则本文使用的包括技术术语或科学术语的所有术语的含义与本申请可属于的领域的普通技术人员通常理解的含义相同。如在通常使用的词典中定义的那些的术语被解释为含义与其在相关技术的上下文中的含义匹配，并且除非另外清楚地定义，否则其不被理想化地或过度正式地解释。图1是根据示例性实施例的包括存储设备100的存储系统10的框图。在本示例性实施例中，存储设备100可包括多种类型的存储单元。当存储设备100包括例如电阻式存储单元之时，存储设备100可被称为电阻式存储设备。可替换地，在本示例性实施例中，因为该电阻式存储单元被布置在多个第一信号线与多个第二信号线交叉的区域处，所以该电阻式存储设备可被称为交叉点(cross-point本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种操作包括多个字线和多个位线的存储设备的方法，所述方法包括：选择连接到第一位线的一个或多个第一存储单元；选择连接到第二位线的一个或多个第二存储单元；以及使用第一写驱动器同时对第一和第二存储单元执行复位写操作。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：朴贤国，尹治元，李永宅，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR