电子照相感光构件、处理盒、电子照相设备和二酰亚胺化合物制造技术

本发明专利技术涉及电子照相感光构件、处理盒、电子照相设备和二酰亚胺化合物。电子照相感光构件按下列顺序包括：支承构件，与支承构件相邻的底涂层，和与底涂层相邻的感光层。底涂层含有通过使含有交联剂和由通式(1)表示的化合物的组合物聚合而产生的聚合物。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及电子照相感光构件、处理盒、电子照相设备和二酰亚胺化合物。
技术介绍
用于处理盒和电子照相设备中的电子照相感光构件通常包括支承构件上的含有 电荷产生物质的感光层，所述电荷产生物质为有机光导电性物质。 用在感光层中的电荷产生物质的感光度日益增加。遗憾的是，电荷产生随着感光 度的增加而增加，并因此电荷变得很可能滞留在感光层中。这是正重影（positive ghost) 的原因。正重影是发生在输出图像中的现象，其中在电子照相感光构件之前的旋转时仅仅 用光照射的部分具有较高的浓度。 为了抑制此类正重影，日本特开2014-29480公开了一种在支承构件和感光层之 间形成含有电子输送物质的底涂层的技术。此专利文献公开，可通过添加含有电子输送物 质、交联剂和树脂的组合物的聚合物来防止源自电子输送物质的结构不均匀地分布在底涂 层中，从而更有效地抑制正重影。 根据本专利技术人的研究，本专利技术的电子照相感光构件在抑制正重影方面得到改善， 并可提供满意的图像质量。然而，随着最近对更长寿命的电子照相感光构件和改善的图像 质量的增长的需求，希望更高水平的正重影的抑制。
技术实现思路
本申请提供重复使用时在抑制正重影方面改善的电子照相感光构件，和各自包括 电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。本申请进一步提供可抑制正重影的二酰亚胺 化合物。 根据本申请的一方面，提供电子照相感光构件，其按下列顺序包括：支承构件、与 支承构件相邻的底涂层、和与底涂层相邻的感光层。底涂层含有通过使含有交联剂和由下 列通式（1)表示的化合物的组合物聚合而产生的聚合物： 在通式（1)中，R1表不选自由亚烷基、亚环烷基、亚芳基、杂环基和在亚烷基的主链 中的一个碳原子用选自0、S和NR12的一种进行替换而得到的基团组成的组中的基团。R 12 选自氢原子、烷基和芳基。亚烷基、亚环烷基、亚芳基和杂环基可具有选自由碳数在1至6 范围内的烷基、苄基、酰基、烷氧基、烷氧基羰基、苯基、氰基、硝基和卤素原子组成的组中的 取代基。R 2和R3各自表示选自由烷基、芳基和在烷基的主链中的一个碳原子用选自〇、S和 NR13的一种进行替换而得到的基团组成的组中的基团，其中R13选自氢和烷基。R2和R 3具有 选自由羟基、硫羟基、氨基和羧基组成的组中的可聚合官能团，并可具有选自由碳数在1至 6范围内的烷基、醜基、烷氧基、烷氧基幾基、苯基、氛基、硝基和卤素原子组成的组中的取代 基。R 4至R11各自表示选自由氢原子、卤素原子、氰基、硝基、烷基和芳基组成的组中的一种。 烷基和芳基各自可具有选自由烷基、醜基、烷氧基、烷氧基幾基、氛基、硝基和卤素原子组成 的组中的取代基。 根据本申请的另一方面，提供一种能够可拆卸地安装至电子照相设备的处理盒。 该处理盒包括上述电子照相感光构件和选自由充电装置、显影装置、转印装置和清洁装置 组成的组中的至少一种装置。电子照相感光构件和该装置一体地支承。 还提供电子照相设备。该电子照相设备包括上述电子照相感光构件、充电装置、曝 光装置、显影装置和转印装置。 此外，提供由上述通式（1)表示的二酰亚胺化合物。 本专利技术进一步的特征将通过参照附图的示例性实施方案的以下描述而变得明显。【附图说明】 图1是设置有包括电子照相感光构件的处理盒的电子照相设备结构的示意图。 图2是说明检测重影用的图案的图。 图3是像国际象棋的马（日本将棋桂马（Shogi keima))移动的点图案的图。 图4A和4B是电子照相感光构件的示例性多层结构的图。 图5是实施例中合成的化合物的i-NMR谱图。【具体实施方式】 根据本申请的实施方案的电子照相感光构件包括底涂层，该底涂层含有通过使含 有交联剂和由下列通式（1)表示的化合物（电子输送物质）的组合物聚合而产生的聚合 物： 在通式（1)中，R1表不选自由亚烷基、亚环烷基、亚芳基、杂环基和在亚烷基的主链 中的一个碳原子用选自0、s和NR 12的一种进行替换而得到的基团组成的组中的基团。R12选 自氣原子、烷基和芳基。亚烷基、亚环烷基、亚芳基和杂环基可具有选自由碳数为1至6的 烷基、苄基、酰基、烷氧基、烷氧基羰基、苯基、氰基、硝基和卤素原子组成的组中的取代基。 R2和R3各自表示选自由烷基、芳基和在烷基的主链中的一个碳原子用选自0、S和 NR13的一种进行替换而得到的基团组成的组中的基团，其中R13选自氢和烷基。R2和R 3具有 选自由羟基、硫羟基、氨基和羧基组成的组中的可聚合官能团，并可具有选自由碳数为1至 6的烷基、醜基、烷氧基、烷氧基幾基、苯基、氛基、硝基和卤素原子组成的组中的取代基。 R4至R 11各自表示选自由氢原子、卤素原子、氰基、硝基、烷基和芳基组成的组中的 中一种。烷基和芳基各自可具有选自由烷基、醜基、烷氧基、烷氧基幾基、氛基、硝基和卤素 原子组成的组中的取代基。 关于通过向底涂层添加上述的聚合物抑制正重影的原因，本专利技术人推测如下。 如果含有电子输送物质的底涂层有缺陷，则电荷输送物质不均勾分布，或缺陷本 身引起电子阱（electron trap)的形成。这可能是正重影的原因。如果底涂层中形成电子 阱，则电子输送性可能变低，并且底涂层可能有残余电荷。残余电荷可由于长时间的重复使 用而积累，因此导致正重影。推测随着由聚合所致的底涂层的材料体积变化变得更大，更容 易形成此类底涂层中的缺陷。 由通式（1)表示的电子输送物质具有，两个能够输送电子的骨架与包括间隔基 (spacer)的R 1连接的分子结构。与分子中具有单个能够输送电子的骨架的结构相比，这种 结构使得由聚合所致的体积变化降低。特别是当底涂层的厚度大时，通式（1)的结构对于 减少底涂层中的缺陷和抑制正重影是有效的。 相对于底涂层的总质量，含有通式（1)表示的化合物的组合物的聚合物在底涂层 中的含量在50质量％至100质量％的范围内。有利地，在80质量％至100质量％的范围 内。 电子输送物质 在本实施方案中，底涂层含有包含交联剂和通式（1)表示的化合物的组合物的聚 合物（固化产物）。通式（1)的化合物已在上文中记述。 有利地，通式（1)的化合物的R1选自由通式（2)、（3)和（4)表示的基团。这些基 团防止电子阱的形成，从而进一步抑制正重影。 在通式（2)中，R101表示选自由0、S、S0 2、NR104、羰基、亚烷基和亚芳基组成的组中 的一种。亚烷基和亚芳基各自可具有选自由碳数为1至5的烷基、苯基和卤素原子组成的 组中的取代基。R 1(：2和R m各自表示选自由碳数为1至3的烷基、烷氧基、烷氧基羰基、氰基、 硝基和卤素原子组成的组中的一种。表示R lffi的数目的m和表示R m的数目的η互相可相 同或不同。 Rm选自氢原子、烷基和芳基。m和η各自是0至4的整数。当m和η为0时， m和（R1()3) η各自表不氢原子。 在通式（3)中，R2Q1表示选自由0、S、SO 2、NR204、羰基、亚烷基和亚芳基组成的组中 的一种。亚烷基和亚芳基各自可具有选自由碳数为1至5的烷基、苯基和卤素原子组成的组 中的取代基。R 2°2和R2°3各自表示选自由碳数为1或2的烷基、烷氧基、烷氧基羰基和卤素原 子组成的组中的一种。表示R 2°2的数目的s和表示R2°3的数目本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子照相感光构件，其按下列顺序包括：支承构件；与所述支承构件相邻的底涂层；和与所述底涂层相邻的感光层，其特征在于，所述底涂层含有通过使含有交联剂和由下列通式(1)表示的化合物的组合物聚合而产生的聚合物：其中R1表示选自由亚烷基、亚环烷基、亚芳基、杂环基和在亚烷基的主链中的一个碳原子用选自O、S和NR12的一种进行替换而得到的基团组成的组中的基团，其中R12为选自氢原子、烷基和芳基的一种，和所述亚烷基、亚环烷基、亚芳基和杂环基可具有选自由碳数在1至6范围内的烷基、苄基、酰基、烷氧基、烷氧基羰基、苯基、氰基、硝基和卤素原子组成的组中的取代基，其中R2和R3各自独立地表示选自由烷基、芳基和在烷基的主链中的一个碳原子用选自O、S和NR13的一种进行替换而得到的基团组成的组中的基团，其中R13选自氢和烷基，和R2和R3具有选自由羟基、硫羟基、氨基和羧基组成的组中的可聚合官能团，和所述亚烷基、亚环烷基、亚芳基和杂环基可具有选自由碳数为1至6的烷基、酰基、烷氧基、烷氧基羰基、苯基、氰基、硝基和卤素原子组成的组中的取代基，和其中R4至R11各自独立地表示选自由氢原子、卤素原子、氰基、硝基、烷基和芳基组成的组中的一种，和所述烷基和芳基各自可具有选自由烷基、酰基、烷氧基、烷氧基羰基、氰基、硝基和卤素原子组成的组中的取代基。...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：西将史，关户邦彦，关谷道代，田上庆，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP