碳化硅单晶晶片的内应力评价方法和碳化硅单晶晶片的翘曲预测方法技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术设及碳化娃单晶晶片的内应力的评价方法、W及碳化娃单晶晶片的翅曲的 预测方法。
技术介绍
碳化娃(SiC)是具有2.2~3.3eV的宽的禁带宽度的宽带隙半导体，因其优异的物 理、化学特性，正在作为耐环境性半导体材料进行研究开发。特别是近年来，SiC作为面向从 蓝色到紫外的短波长光器件、高频电子器件、高耐电压?高输出电子器件的材料受到关注， 研究开发变得活跃。但是，SiC难W制造出优质的大口径单晶，迄今为止妨碍了SiC器件的实 用化。 W往，在研究室程度的规模下，利用例如升华再结晶法化ely法)得到了能够制作 半导体元件的尺寸的SiC单晶。但是，用该方法得到的单晶的面积小，其尺寸、形状、进而晶 体多型（多型）、杂质载流子浓度的控制都不容易。另一方面，也曾进行了下述工作，即，通过 使用化学气相沉积法(化emical化por Deposition:CVD)在娃(Si)等的异种基板上进行异 质外延生长来使立方晶的SiC单晶生长出来。该方法能够得到大面积的单晶，但是由于SiC 与Si的晶格失配度约有20%等等，只能生长出包含很多缺陷（约lOVcm2)的...
【技术保护点】
一种碳化硅单晶晶片的内应力评价方法，使用在碳化硅单晶晶片的主面内的两点测定到的拉曼位移值的差量来进行评价，所述碳化硅单晶晶片是采用升华再结晶法制造的。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：小岛清，中林正史，下村光太，永畑幸雄，
申请(专利权)人：新日铁住金高新材料株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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