一种发光二极管芯片的计数方法和装置制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种发光二极管芯片的计数方法和装置。
技术介绍
随着GaN基发光二极管(Light Emitting D1de，简称LED)在显示和照明领域的广泛应用，LED的市场需求数量呈现几何级数增加，这对LED的生产效率和生产质量提出了更高要求。为了检测LED芯片的质量，通常由电荷親合元件(Charge-coupled Device，简称CCD)获取待检测芯片的图像，由于外延片在图像中表现为透明图形，电极在图像中表现为黑色图形，因此利用芯片的图像即可确定LED芯片是否有电极，进而确定正常芯片的数量。在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题:可见光无法穿透LED芯片中的分布式布拉格反射镜(distributed Braggreflect1n，简称DBR)，带有DBR的LED芯片在CCD下显示为全黑图形，此时无法利用芯片的图像确定LED芯片是否有电极，造成正常芯片的计数不准确。
技术实现思路
为了解决现有技术无法确定带有DBR芯片是否有电极、造成计数不准确的问题，本专利技术实施例提供了一种发光二极管芯片的计...
【技术保护点】
一种发光二极管芯片的计数装置，其特征在于，所述计数装置包括：光源模块，用于将红外光或紫外光照射待检测的发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括外延片、电极、以及分布式布拉格反射镜DBR；取像模块，用于获取所述红外光或所述紫外光穿透所述外延片和所述DBR所产生的图像；处理模块，用于从所述图像中识别并统计具有所述电极的发光二极管芯片。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：喻海波，向光胜，
申请(专利权)人：华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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