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本发明提供评价碳化硅(SiC)单晶晶片的内应力的方法、以及评价晶片的内应力来预测研磨完成后的SiC单晶晶片的翘曲的方法。在SiC单晶晶片面内的两点测定拉曼散射光的波数位移量，通过其差量来评价内应力。另外，翘曲的预测方法是事前预测利用升华再结...
该专利属于新日铁住金高新材料株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过新日铁住金高新材料株式会社授权不得商用。

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