本发明专利技术公开一种消影导电玻璃，包括玻璃基板，玻璃基板上依次设有SiO2膜层、ITO膜层与高折射率膜层，所述高折射率膜层为Nb2O5膜层或TiO2膜层；采用Nb2O5膜层或TiO2膜层作为高折射率膜层，在满足ITO方阻值的同时消除蚀刻阴影，保证显示效果；由于采用氧化物膜层，在沉积时只需要通入氧气这一种反应气体，更换靶材就可以实现不同膜层的沉积，在一个腔室里就能够完成，无需增加额外溅射腔室，减少生产设备的投入降低成本；另外，对不同膜层可以连续沉积，不需要经过抽放气环节，降低工艺难度，提高了生产效率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及触摸屏领域，具体是一种用于电容式触摸屏的消影导电玻璃。
技术介绍
公知的，电容式触摸屏所使用的ITO玻璃是一种透明导电玻璃，一般是在玻璃基板上加一层透明导电膜构成，其生产工艺是在超薄玻璃基板上通过物理沉积的方式沉积ITO透明导电膜。液晶显示器专用ITO导电玻璃，还会在镀ITO层之前，镀上一层S12阻挡层，以阻止基片玻璃上的钠离子向盒内液晶里扩散。通常电容式触摸屏使用单面ITO镀膜玻璃，经过刻蚀将ITO导电膜做成透明电极。但是由于ITO导电膜的折射率与玻璃基板的折射率不同，ITO导电膜折射率一般为1.9?2.0，而玻璃基板的折射率约为1.5，这样就会导致显示区内电极与缝隙的反射与透射有较大区别，使电极与缝隙清晰可见，影响显示效果和外观;而且触摸屏尺寸越大，ITO导电膜层厚度和电极宽度就越大，电极与缝隙的视觉差距就越明显；另外，在光线比较明亮的环境中，特别是背后有窗户、灯光的环境中，屏幕会由于ITO电极的反射光太强而无法看清。目前，通常有两种方法来解决上述问题，第一种是采用减少缝隙的方法来降低电极与缝隙之间的视觉差距，这种消影方法受光刻设备的限制，一般适用于小尺寸的触摸屏，对于20英寸以上屏幕的触摸屏如采用微小缝隙的方法，设备投资与制造成本高、产品合格率低。第二种方法是先将Nb2O5或T12等高折射率材料通过磁控溅射镀到玻璃基板表面，然后再覆上S12等低折射率材料层，最后再覆上ITO层。实际制作过程中，在镀完高折射率材料后，通过微调ITO方阻值的方法来获得较好的消影效果，但是这样极易造成消影效果合格时，ITO的方阻值不达标;或者是ITO的方阻值达标时，消影效果不合格，也就是电容式触摸屏无法兼顾ITO方阻值和消影效果，良品率低，不能满足市场需求。为了解决第二种方法存在的缺点，《一种电容触摸屏用的消影结构K公告号CN203689494U)的专利文件公开了一种消影结构，在玻璃基板上依次堆叠S12膜层、ITO膜层和Si3N4膜层;制作时，先将ITO膜层布置于玻璃基板上，保证了 ITO的方阻值一定，然后再根据ITO方阻和成膜效果去调节Si3N4膜层的消影效果，从而使得ITO上的线路不明显。但是在实际生产中，沉积S12膜和Si3N4膜，通入的是氧气和氮气两种不同的反应气体，所以需要两个以上的腔室来沉积相应的膜层，或者沉积S12膜后，先抽干O2，再通入N2，这样就会造成消影导电玻璃制作成本的增加。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种消影导电玻璃，该消影导电玻璃在保证显示效果的前提下，能够降低工艺难度，减少生产成本，提高生产效率。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是: 一种消影导电玻璃，包括玻璃基板，玻璃基板上依次设有S12膜层、ITO膜层与高折射率膜层，所述高折射率膜层为Nb2O5膜层或T12膜层。进一步的，所述玻璃基板采用钠钙基基片玻璃或硅硼基基片玻璃，玻璃基板的厚度为0.3mm?1.1mnin进一步的，所述Nb205膜层或Ti02膜层的厚度为5nm?30nmo进一步的，所述Si02膜层的厚度为1nm?lOOnm。 进一步的，所述ITO膜层的厚度为1nm?50nm。本专利技术的有益效果是，采用Nb2O5膜层或T12膜层作为高折射率膜层，在满足ITO方阻值的同时消除蚀刻阴影，保证显示效果；由于采用氧化物膜层，在沉积时只需要通入氧气这一种反应气体，更换靶材就可以实现不同膜层的沉积，在一个腔室里就能够完成，无需增加额外溅射腔室，减少生产设备的投入降低成本;另外，对不同膜层可以连续沉积，不需要经过抽放气环节，降低工艺难度，提高了生产效率。【附图说明】下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明: 图1是本专利技术的结构示意图。【具体实施方式】如图1所示，本专利技术提供一种消影导电玻璃，包括玻璃基板I，玻璃基板I顶面由下至上依次设有S12膜层2、ITO膜层3与高折射率膜层4，所述高折射率膜层4为Nb2O5膜层或T12膜层。作为优选的，玻璃基板I采用钠钙基基片玻璃或硅硼基基片玻璃，玻璃基板I的厚度为0.3mm?I.Imm;所述Nb205膜层或Ti02膜层的厚度可以为5nm?30nm; Si02膜层2的厚度为1nm?lOOnm; ITO膜层3的厚度为1nm?SOnnuS12膜层2、ITO膜层3与高折射率膜层4均采用磁控溅射方式沉积，在实际制作中，先将ITO膜层3制备于S12膜层2上，保证ITO的方阻值达标，然后再根据ITO方阻和成膜效果去调节Nb2O5或T12膜的消影效果，从而有效消除刻蚀阴影。由于采用氧化物膜层，在沉积时只需要通入氧气这一种反应气体，更换靶材就可以实现不同膜层的沉积，在一个腔室里就能够完成，无需增加额外溅射腔室，减少生产设备的投入降低成本;另外，对不同膜层可以连续沉积，不需要经过抽放气环节，降低工艺难度，提高了生产效率。以上所述，仅是本专利技术的较佳实施例而已，并非对本专利技术作任何形式上的限制;任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本专利技术技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和
技术实现思路
对本专利技术技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本专利技术技术方案的内容，依据本专利技术的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同替换、等效变化及修饰，均仍属于本专利技术技术方案保护的范围内。【主权项】1.一种消影导电玻璃，包括玻璃基板，玻璃基板上依次设有S12膜层、ITO膜层与高折射率膜层，其特征在于，所述高折射率膜层为Nb2O5膜层或T12膜层。2.根据权利要求1所述的一种消影导电玻璃，其特征在于，所述玻璃基板采用钠钙基基片玻璃或硅硼基基片玻璃，玻璃基板的厚度为0.3mm?1.1mm。3.根据权利要求1或2所述的一种消影导电玻璃，其特征在于，所述Nb2O5膜层或T12膜层的厚度为5nm?30nmo4.根据权利要求3所述的一种消影导电玻璃，其特征在于，所述S12膜层的厚度为1nm?10nmο5.根据权利要求4所述的一种消影导电玻璃，其特征在于，所述ITO膜层的厚度为1nm?50nmo【专利摘要】本专利技术公开一种消影导电玻璃，包括玻璃基板，玻璃基板上依次设有SiO2膜层、ITO膜层与高折射率膜层，所述高折射率膜层为Nb2O5膜层或TiO2膜层；采用Nb2O5膜层或TiO2膜层作为高折射率膜层，在满足ITO方阻值的同时消除蚀刻阴影，保证显示效果；由于采用氧化物膜层，在沉积时只需要通入氧气这一种反应气体，更换靶材就可以实现不同膜层的沉积，在一个腔室里就能够完成，无需增加额外溅射腔室，减少生产设备的投入降低成本；另外，对不同膜层可以连续沉积，不需要经过抽放气环节，降低工艺难度，提高了生产效率。【IPC分类】C03C17/34【公开号】CN105541124【申请号】CN201510985601【专利技术人】李刚, 蒋继文, 金克武, 曹欣, 张宽翔, 杨勇, 姚婷婷, 王芸, 徐根保 【申请人】蚌埠玻璃工业设计研究院【公开日】2016年5月4日【申请日】2015年12月25日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种消影导电玻璃，包括玻璃基板，玻璃基板上依次设有SiO2膜层、ITO膜层与高折射率膜层，其特征在于，所述高折射率膜层为Nb2O5膜层或TiO2膜层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李刚，蒋继文，金克武，曹欣，张宽翔，杨勇，姚婷婷，王芸，徐根保，
申请(专利权)人：蚌埠玻璃工业设计研究院，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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