基于消影玻璃的电容触摸屏制造技术

本实用新型专利技术的发明专利技术目的在于提供消影效果好、同时有效保护金属电极的基于消影玻璃的电容触摸屏，包括玻璃基板，玻璃基板厚度为0.28mm～1.1mm；所述玻璃基板至少一面镀有增透减反射AR膜和氧化铟锡ITO膜；增透减反射AR膜由至少一层高折射率镀膜和至少一层低折射率镀膜依次交替层叠形成；设有导电线条和电极；导电线条和电极上还镀有绝缘保护膜层。本实用新型专利技术的有益效果在于：通过在玻璃基板和氧化铟锡ITO膜之间镀设多层AR膜，有效消除刻蚀线阴影；膜层材质、膜层厚度、膜层结构选择方式丰富，适用范围广且加工方便；金属或ITO线路上方设置SiO2膜层和OC膜层或两者的组合，有效保护导电线条和电极，防止电极损坏和增加产品结构的多选择性。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及触摸屏制造
，具体涉及一种基于消影玻璃的电容触摸屏。
技术介绍
现有技术中，触摸屏用玻璃一般包括玻璃基板和刻蚀有导电线条的氧化铟锡ITO膜，为提高透光效果，现有技术中也出现了在玻璃基板和氧化铟锡ITO膜之间增加增透减反射AR膜层的高透玻璃，例如专利号为201120253390. 5的技术专利公开的一种高透 触摸屏玻璃，该种玻璃仅应用于玻璃基板厚度范围在O. 33mm O. 55mm的触摸屏，AR膜层厚度IOnm 2500nm，虽然透光效果较佳，但加工工艺复杂，应用范围窄。用于制作导航仪、平板电脑等设备的触摸屏，其玻璃基板厚度范围在O. 55_ O. 7_或I. 1_，具有贯通的刻蚀线位置和无刻蚀线位置之间存在大约3%的透光率差值，从而形成刻蚀线阴影，影响视觉效果。触摸屏需要在玻璃基板上设置金属电极，金属电极位于玻璃基板边缘，若不采取适当的保护措施，容易因刚性接触等原因导致损坏或变形且容易误导通。另外，对于存在X向和Y向两种线路的触摸屏，需要将两个方向的线路严格绝缘，该问题在现有技术中未得到很好地解决。
技术实现思路
针对现有技术存在的上述缺陷，本技术的专利技术目的在于提供消影效果好、同时有效保护金属电极的基于消影玻璃的电容触摸屏。本技术的专利技术目的通过以下方案实现基于消影玻璃的电容触摸屏，包括玻璃基板，所述玻璃基板厚度为O. 28mm I. Imm ;所述玻璃基板至少一面镀有增透减反射AR膜和氧化铟锡ITO膜；增透减反射AR膜由至少I层高折射率镀膜和至少I层低折射率镀膜依次交替层叠形成；设有导电线条和电极；导电线条和电极上还镀有绝缘保护膜层。进一步地，所述导电线条和电极由氧化铟锡ITO膜刻蚀成形。作为导电线条和电极的另一优选方案，所述导电线条和电极由镀设在氧化铟锡ITO膜和绝缘保护膜层之间的金属膜刻蚀成形。作为绝缘保护膜层的第一优选方案，所述绝缘保护膜层为膜层，厚度为30nm lOOOnm。作为绝缘保护膜层的第二优选方案，所述绝缘保护膜层为OC胶，厚度为I5 ,。作为绝缘保护膜层的第三优选方案，所述绝缘保护膜层为SiO2膜层和OC胶复合膜层，OC胶覆盖在货: 膜层上，SiO2膜层厚度为30nm lOOOnm，OC胶厚度为I _ 5 ,靡。导电线条和电极由金属膜制作时，进一步地，所述金属膜的材质选自铜、钥、铝、银中的一种，厚度为\ , 5 ,。进一步地，所述氧化铟锡ITO膜厚度5nm 200nm，增透减反射AR膜包括2 8层镀膜，总厚度为50nm 500nm。进一步地，所述高折射率镀膜为'BO2膜或M2O5膜，膜层厚度为5nm 500nm ;所述低折射率镀膜为SiO2膜，膜层厚度为30nm lOOOnm。本技术的有益效果在于通过在玻璃基板和氧化铟锡ITO膜之间镀设多层AR膜，有效消除刻蚀线阴影；膜层材质、膜层厚度、膜层结构选择方式丰富，适用范围广且加工方便；金属或ITO线路上方设置Si02膜层和OC膜层或两者的组合，有效保护导电线条和电极，防止电极损坏和增加产品结构的多选择性。附图说明 图I为本技术实施例一的结构示意图；图2为本技术实施例二的结构示意图。具体实施方式以下结合附图对本技术作进一步详细描述实施例一参照图1，基于消影玻璃的电容触摸屏，包括玻璃基板1，玻璃基板厚度为O. 28mm I. Imm ;玻璃基板至少一面镀有增透减反射AR膜2和氧化铟锡ITO膜3 ;增透减反射AR膜2由至少I层高折射率镀膜和至少I层低折射率镀膜依次交替层叠形成；设有导电线条4和电极5 ;导电线条4和电极5上还镀有绝缘保护膜层6。导电线条4和电极5可以直接由氧化铟锡ITO膜刻蚀成形，也可以由镀设在氧化铟锡ITO膜3和绝缘保护膜层6之间的金属膜刻蚀成形。本实施例中的金属电极5由覆盖在氧化铟锡ITO膜上的金属镀膜经刻蚀形成。为保证良好的导电性能及使用寿命，金属膜的材质选自铜、钥、铝、银中的一种，也可以是前述四种金属之间组合的合金，厚度为50nm 500nmo为进一步提高透光率和消影效果，氧化铟锡ITO膜厚度5nm 200nm，增透减反射AR膜包括2 8层镀膜，总厚度为30nm lOOOnm。本实施例中，高折射率镀膜21为rRO2膜或Nh2Os膜，膜层厚度为5nm 500nm ;低折射率镀膜22为SiO2膜，膜层厚度为30nm lOOOnm。通常，高折射率镀21膜选为TlO2膜，膜层最优厚度为5nm 500nm。高折射率镀膜21也可以采用Mh2Os膜，可进一步降低成本。实施例二参照图2，本实施例与实施例一的不同之处在于实施例一中的绝缘保护膜层仅为SiO2膜层，而本实施例中绝缘保护膜层为SO2膜层6和OC胶7组成的复合膜层，OC胶7覆盖在沒O2膜层6上，SO2膜层6厚度为30nm lOOOnm，OC胶7厚度为Yβη b βη。本实施例采用的OC胶包括以下成分Acrylic resin (压克力树脂)、Acrylic monomers (压克力单体)、Epoxy (环氧树脂)、Photo initiator (光起始剂)、Ethoxyethylpropionate (EEP)、 乙酸丙二醇单甲基醚酯(Propylene glycol monomethylether acetate)。当然,绝缘保护膜层还可以是仅有一层OC胶,厚度为I ._ 5辦。OC胶可起到绝缘桥的作用，有效隔离X向刻蚀线路和Y向刻蚀线路。虽然本技术已通过参考优选的实施例进行了图示和描述，但是，本领域普通技术人员应当了解，可以不限于上述实施例的描述，在权利要求书的范围内，可作形式和细节上的各种变化。权利要求1.基于消影玻璃的电容触摸屏，包括玻璃基板，其特征在于 1-1)所述玻璃基板厚度为0. 28mm I. Imm ； 1-2)所述玻璃基板至少一面镀有增透减反射AR膜和氧化铟锡ITO膜； 1-3)增透减反射AR膜由至少I层高折射率镀膜和至少I层低折射率镀膜依次交替层叠形成； 1-4)设有导电线条和电极； 1-5)导电线条和电极上还镀有绝缘保护膜层。2.根据权利要求I所述的基于消影玻璃的电容触摸屏，其特征在于所述导电线条和电极由氧化铟锡ITO膜刻蚀成形。3.根据权利要求I所述的基于消影玻璃的电容触摸屏，其特征在于所述导电线条和电极由镀设在氧化铟锡ITO膜和绝缘保护膜层之间的金属膜刻蚀成形。4.根据权利要求I所述的基于消影玻璃的电容触摸屏，其特征在于所述绝缘保护膜层为SiO2膜层，厚度为30nm IOOOnm。5.根据权利要求I所述的基于消影玻璃的电容触摸屏，其特征在于所述绝缘保护膜层为OC胶，厚度为I , 5 ,。6.根据权利要求I所述的基于消影玻璃的电容触摸屏，其特征在于所述绝缘保护膜层为及02膜层和OC胶复合膜层，OC胶覆盖在SiO2膜层上，SiO2膜层厚度为30nm lOOOnm，OC胶厚度为\ fan も_。7.根据权利要求3至6任一项所述的基于消影玻璃的电容触摸屏，其特征在于所述金属电极的材质选自铜、钥、铝、银中的ー种，厚度为I — 58.根据权利要求I至6任一项所述的基于消影玻璃的电容触摸屏，其特征在于所述氧化铟锡ITO膜厚度5nm 200nm，增透减反射AR膜包括2 8层镀膜，总厚度本文档来自技高网...

【技术保护点】
基于消影玻璃的电容触摸屏，包括玻璃基板，其特征在于：1?1）所述玻璃基板厚度为0.28mm～1.1mm；1?2）所述玻璃基板至少一面镀有增透减反射AR膜和氧化铟锡ITO膜；1?3）增透减反射AR膜由至少1层高折射率镀膜和至少1层低折射率镀膜依次交替层叠形成；1?4）设有导电线条和电极；1?5）导电线条和电极上还镀有绝缘保护膜层。2.根据权利要求1所述的基于消影玻璃的电容触摸屏，其特征在于：所述导电线条和电极由氧化铟锡ITO膜刻蚀成形。3.根据权利要求1所述的基于消影玻璃的电容触摸屏，其特征在于：所述导电线条和电极由镀设在氧化铟锡ITO膜和绝缘保护膜层之间的金属膜刻蚀成形。4.根据权利要求1所述的基于消影玻璃的电容触摸屏，其特征在于：所述绝缘保护膜层为?膜层，厚度为30nm～1000nm。5.根据权利要求1所述的基于消影玻璃的电容触摸屏，其特征在于：所述绝缘保护膜层为OC胶，厚度为1～5。6.根据权利要求1所述的基于消影玻璃的电容触摸屏，其特征在于：所述绝缘保护膜层为膜层和OC胶复合膜层，OC胶覆盖在膜层上，膜层厚度为30nm～1000nm，OC胶厚度为1～5。7.根据权利要求3至6任一项所述的基于消影玻璃的电容触摸屏，其特征在于：所述金属电极的材质选自铜、钼、铝、银中的一种，厚度为1～5。8.根据权利要求1至6任一项所述的基于消影玻璃的电容触摸屏，其特征在于：所述氧化铟锡ITO膜厚度5nm～200nm，增透减反射AR膜包括2～8层镀膜，总厚度为50nm～500nm。9.根据权利要求1至6任一项所述的基于消影玻璃的电容触摸屏，其特征在于：所述高折射率镀膜为膜或膜，膜层厚度为5nm～500nm；所述低折射率镀膜为膜，膜层厚度为30nm～1000nm。dest_path_dest_path_image002.jpg,dest_path_dest_path_image004.jpg,dest_path_724240dest_path_image004.jpg,dest_path_538612dest_path_image002.jpg,dest_path_361074dest_path_image002.jpg,dest_path_441157dest_path_image002.jpg,dest_path_640057dest_path_image004.jpg,dest_path_308936dest_path_image004.jpg,dest_path_302300dest_path_image004.jpg,dest_path_118946dest_path_image004.jpg,dest_path_dest_path_image006.jpg,dest_path_dest_path_image008.jpg,dest_path_689515dest_path_image002.jpg...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：屠有军，郑永，袁发根，
申请(专利权)人：浙江大明玻璃有限公司，
类型：实用新型
国别省市：