互电容屏检测触摸区域的方法技术

本申请公开了一种互电容屏检测触摸区域的方法，包括如下步骤：第1步，校准所有交叉点的基准电容值。第2步，测量各个交叉点的电容值，并与各个交叉点的基准电容值作差，得到各个交叉点的电容变化量。将电容变化量大于第三阈值且不属于任何触摸区域的点作为基准点，如果基准点的电容变化量大于与其具有相邻边的交叉点的电容变化量，则这样的基准点属于种子点。第3步，以每个种子点为中心，采用区域生长法，得到一个或多个触摸区域。第4步，计算每个触摸区域的质心位置作为坐标。本申请具有触摸区域提取准确，误触摸概率低的优点。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及一种触摸屏的信号处理技术，特别是涉及一种对触摸屏的导电物体触摸区域的检测方法。
技术介绍
根据实现原理不同，电容式触摸屏分为自电容式触摸屏(简称为自电容屏)和互电容式触摸屏(简称为互电容屏)两类。自电容屏通常仅用于单点触控。互电容屏既可用于单点触控，也可用于多点触控，因而得到了广泛应用。互电容屏的表面包括由ITO薄膜(Indium Tin Oxide，氧化铟锡，也称掺锡氧化铟)制作的一层横向电极阵列和一层纵向电极阵列。这两层电极阵列叠加后，任一横向电极与任一纵向电极都有交叉点。在交叉点会形成电容，这就是所说的互电容。当没有触摸时，互电容屏的所有交叉点的电容值均为各自的互电容值。当导电物体(典型代表为手指)触摸到互电容屏时，影响了触摸区域附近的横向电极和纵向电极之间的耦合，从而改变了触摸区域附近的交叉点的电容量。在检测互电容屏的触摸区域时，横向电极依次发出激励信号，所有的纵向电极同时对每个激励信号作出响应,输出与该横向电极的交叉点的电容值,这样便得到了整个互电容屏的所有交叉点的电容值。通过与各个交叉点的原始互电容值的比较，即可得到整个互电容屏的二维平面的交叉点电容变化量数据本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种互电容屏检测触摸区域的方法，其特征是，包括如下步骤：第1步，校准所有交叉点的基准电容值；第2步，测量各个交叉点的电容值，并与各个交叉点的基准电容值作差，得到各个交叉点的电容变化量；将电容变化量大于第三阈值的交叉点作为基准点，如果基准点的电容变化量大于与其具有相同边的所有交叉点的电容变化量，则这样的基准点属于种子点；第3步，以每个种子点为中心，采用区域生长法，得到一个或多个触摸区域；第4步，计算每个触摸区域的质心位置作为坐标。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周俊峰，李倩，张永恒，
申请(专利权)人：锐迪科科技有限公司，
类型：发明
国别省市：