磁共振系统的时序控制单元、时序控制方法及磁共振系统技术方案

本发明专利技术提供了一种磁共振系统的时序控制单元和时序控制方法。该磁共振系统的时序控制单元，包括一延时模块，该延时模块包括一存储器，该存储器具有一用于从该存储器读取数据的读取地址和一用于向该存储器写入数据的写入地址，其中该读取地址在该写入地址之前，且该写入地址与该读取地址之间具有一偏移值，该偏移值决定该延时模块的延时值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术主要涉及磁共振系统，尤其是涉及一种磁共振系统的时序控制单元、时序控制方法及磁共振系统。
技术介绍
时序控制单元是磁共振系统(MR)控制的核心部分，用来同步整个磁共振系统的控制。在磁共振系统成像前会将时序控制信息发送到时序控制单元，时序控制单元对上述时序控制信息进行处理，根据信息中的描述计算出梯度小信号和射频小信号，并按系统时序要求产生各个子系统所需要的控制信号。射频小信号和梯度小信号的时序控制需要严格按序列要求实现。由于信号链路或各个模块信号处理会产生各种延时，且在不同的系统中或不同的装机环境下这个延时的变化很大，因此需要实现宽范围的延时，并且实现延时的操作需要尽量灵活，以适应不同需求。并且，磁共振系统对梯度信号和射频信号的时序很敏感，对时序控制的精确度要求很高。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种磁共振系统的时序控制单元和时序控制方法，以满足时序控制的需求。为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种磁共振系统的时序控制单元，包括一延时模块，该延时模块包括一存储器，该存储器具有一用于从该存储器读取数据的读取地址和一用于向该存储器写入数据的写入地址，其中该读取地址在该写入地址之前，且该写入地址与该读取地址之间具有一偏移值，该偏移值决定该延时模块的延时值。可选地，该延时模块还包括一个或多个延时单元以及延时选择单元，各延时单元串联在该存储器的输出端，且各延时单元的输出端还分别连接到该延时选择单元。可选地，该延时单元为寄存器。 可选地，该延时模块还包括计数器，该计数器连接到该延时选择单元的输出端。可选地，该延时模块还包括一个计数器，该计数器连接于该存储器的输出端。本专利技术还提出一种磁共振系统，包括如上所述的时序控制单元。本专利技术还提出一种磁共振系统的时序控制方法，适用于一时序控制单元，该方法包括:提供一存储器于该时序控制单元内；向该存储器的一写入地址写入数据;从该存储器的一读取地址开始读取数据，其中该读取地址在该写入地址之前，且该写入地址与该读取地址之间具有一偏移值，该偏移值决定该数据经过该时序控制单元后的延时值。可选地，上述的磁共振系统的时序控制方法还包括使从该读取地址读出的数据经过一个或多个延时单元，各延时单元串联在该存储器的输出端，且各延时单元的输出端分别经过延时选择单元选择其中之一连接作为输出信号。可选地，该延时单元为寄存器。可选地，还包括使从该读取地址读出的数据存放在该存储器的输出端，且以计数器的计数值作为输出信号。与现有技术相比，本专利技术通过存储器读取地址和写入地址之间的偏移值来控制延时，实现方法简单，且可以实现大范围的延时控制。【附图说明】图1示出本专利技术一实施例的磁共振系统的时序控制单元的结构。图2示出图1所示时序控制单元的一种延时模块结构。图3示出图1所示时序控制单元的另一种延时模块结构。图4示出图1所示时序控制单元的另一种延时模块结构。图5示出图1所示时序控制单元的另一种延时模块结构。图6示出图1所示时序控制单元的另一种延时模块结构。图7示出本专利技术一实施例的磁共振系统的结构。图8示出本专利技术一实施例的磁共振系统的时序控制方法流程图。【具体实施方式】为让本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本专利技术的【具体实施方式】作详细说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是本专利技术还可以采用其它不同于在此描述的方式来实施，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。本专利技术的实施例描述磁共振系统的时序控制单元，它可以满足时序控制的范围和精度需求，尤其是磁共振系统的需求。图1示出本专利技术一实施例的磁共振系统的时序控制单元的结构。参考图1所示，时序控制单元100包括信息缓冲模块102和延时模块104。延时模块104的输入端连接信息缓冲模块102。时序控制单元100可从序列层获取生成序列所需的时序信息。这些时序信息例如包括系统延时信息、合成射频脉冲以及梯度脉冲的信息、采集信息以及监控信息。时序控制单元100收到时序信息后先将上述时序信息经过信息缓冲模块102缓存，然后将系统延时信息和触发信号解析出来。在延时模块104，根据上述不同信息的延时信息，将不同信息对应的触发信号进行延时，进而通过延时后的触发信号触发相应的操作。经过延时的信息已经按照序列需要进行了对齐。图2示出图1所示时序控制单元的一种延时模块结构。参考图2所示，延时模块104包括一存储器202。存储器202具有一读取地址A和一写入地址A+B。在此读取地址A可以是存储器202的数据存储的起始地址，也可以是其他地址。读取地址A用于从存储器202读取数据。写入地址A+B用于向存储器202写入数据。读取地址A在写入地址A+B之前，二者之间具有偏移值B。偏移值B根据时序信息中的的延时信息来确定，即根据延时信息和读取地址A来计算写入地址，且该偏移值B决定了该延时模块的延时值。具体来说，信息缓冲模块102是向延时模块104的存储器202的写入地址A+B写入数据;而读取数据时，是从存储器202的读取地址A开始读取数据。由于读取地址A在写入地址A+B之前，那么从地址A到A+B-1的读取过程将不会读到有效数据，直到读取到地址A+B内的数据才能得到有效数据。假设每次读取请求需要lOys，那么从地址A开始读取数据的时刻，到从地址A+B开始读取有效数据的时刻，会经过B*10ys的延时。这样，只要简单地设定偏移值B，就可设定写入存储器202的数据的延时。B的值最小可以为1，最大则取决于存储器的地址范围。因此，采用存储器的延时的范围可以做得很宽，且实现比较灵活。图3示出图1所示时序控制单元的另一种延时模块结构。参考图3所示，延时模块104包括一存储器302、多个延时单元304以及延时选择单元306。存储器302具有一读取地址A和一写入地址Α+Β。在此读取地址A可以是存储器302的数据存储的起始地址，也可以是其他地址。读取地址A用于从存储器302读取数据。写入地址Α+Β用于向存储器302写入数据。读取地址A在写入地址Α+Β之前，二者之间具有偏移值B。偏移值B根据时序信息中的延时信息来确定，即根据延时信息和读取地址A来计算写入地址，且该偏移值B决定了该存储器302的延时值。有关存储器302的读取延时可以参考前一实施例，在此不再展开。本实施例的特点是引入了更精细的延时。仍然假设存储器302是实现最低1ys(此时B= I)的延时，那么选择延时低于1ys的延时单元304S卩可实现更精细的延时。通常的，可以选择延时为Iys的延时单元304，通过多个延时单元304，可以实现n*lys的延时。回到图3所示，各延时单元304串联在存储器302的输出端，且各延时单元304的输出端还分别连接到延时选择单元306。延时选择单元306根据延时选择信号，可以从各个延时单元304中选择所需的延时单元的输出信号，从而实现所需的延时。从左端的第I个延时单元304开始，延时单元304依次实现1，2，3，...，nys的延时。假设系统需要实现12ys的延时，存储器302的读取地址和写入地址分别为A、A+1，通过存储器302读取地址和写入地址之间的偏移值可以实现10ys的延时，然后延时选择单元306根据延时选择信号来选择所需的延时单元输出信号，如果每个延时单元3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁共振系统的时序控制单元，包括一延时模块，该延时模块包括一存储器，该存储器具有一用于从该存储器读取数据的读取地址和一用于向该存储器写入数据的写入地址，其中该读取地址在该写入地址之前，且该写入地址与该读取地址之间具有一偏移值，该偏移值决定该延时模块的延时值。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘子盟，谢强，
申请(专利权)人：上海联影医疗科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31