掩膜图案的形成方法、薄膜晶体管及形成方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种掩膜图案的形成方法、薄膜晶体管及形成方法、显示装置，涉及显示技术领域，该掩膜图案的形成方法只需采用普通掩膜板即可形成厚度不均的掩膜图案，从而避免了采用半色调掩膜板。一种掩膜图案的形成方法，包括：在衬底上形成负性光刻胶；在无氧环境中，利用第一普通掩膜板对负性光刻胶进行第一次曝光，以使得负性光刻胶的完全固化部被曝光、半固化部和去除部不被曝光；在有氧环境中，利用第二普通掩膜板对负性光刻胶进行第二次曝光，以使得负性光刻胶的半固化部被曝光、去除部不被曝光；去除掉未固化的负性光刻胶，形成掩膜图案。本发明专利技术适用于掩膜图案的制作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种掩膜图案的形成方法、薄膜晶体管及形成方法、显示装置。
技术介绍
目前，显示装置中的膜层大多采用构图工艺形成。构图工艺是将薄膜形成包含至少一个图案的层的工艺。构图工艺一般包括:在薄膜上形成掩膜图案，然后刻蚀掉掩膜图案未覆盖的薄膜部分，最后将剩下的掩膜图案剥离，便可得到所需要的薄膜图案。在实际应用中，往往需要形成具有台阶的薄膜图案，此时就需要形成图1所示的具有台阶的掩膜图案I。目前均采用半色调掩膜板形成上述掩膜图案，而半色调掩膜板的制作工艺较复杂。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种掩膜图案的形成方法、薄膜晶体管及形成方法、显示装置，该掩膜图案的形成方法只需采用普通掩膜板即可形成厚度不均的掩膜图案，避免了使用半色调掩膜板。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案:第一方面，提供了一种掩膜图案的形成方法，包括:在衬底上形成负性光刻胶，且所述负性光刻胶具有以下特性:在无氧环境中经过曝光后，被曝光部分能够固化;在有氧环境中经过曝光后，被曝光部分的表面不能固化，除表面外的其他被曝光部分能够固化；在无氧环境中，利用第一普通掩膜板对所述负性光刻胶进行第一次曝光，以使得所述负性光刻胶的完全固化部被曝光、半固化部和去除部不被曝光；在有氧环境中，利用第二普通掩膜板对所述负性光刻胶进行第二次曝光，以使得所述负性光刻胶的所述半固化部被曝光、所述去除部不被曝光；去除掉未固化的所述负性光刻胶，形成掩膜图案。可选的，所述负性光刻胶的所述半固化部位于所述完全固化部和所述去除部之间、并紧邻所述完全固化部。可选的，所述第二普通掩膜板和所述第一普通掩膜板为同一掩膜板；所述在有氧环境中，利用第二普通掩膜板对所述负性光刻胶进行第二次曝光，以使得所述负性光刻胶的所述半固化部被曝光、所述去除部不被曝光具体包括:在有氧环境中，保持所述第一普通掩膜板与所述负性光刻胶的位置对应关系并调整曝光参数，利用所述第一普通掩膜板对所述负性光刻胶进行第二次曝光，以使得所述负性光刻胶的所述半固化部被曝光、所述去除部不被曝光。可选的，所述调整曝光参数具体包括:调整曝光机发出光线的角度以使得所述负性光刻胶接受光线照射的范围增大、增加曝光量、增加所述掩膜板与所述衬底之间的距离中的任意一种或其组合。可选的，所述增加曝光量具体包括:增加曝光时间和/或增加曝光机的照度。可选的，所述无氧环境为真空环境或者惰性气体环境。可选的，所述负性光刻胶的所述半固化部位于所述完全固化部和所述去除部之间、并紧邻所述完全固化部；所述在有氧环境中，利用第二普通掩膜板对所述负性光刻胶进行第二次曝光，以使得所述负性光刻胶的所述半固化部被曝光、所述去除部不被曝光具体包括:在有氧环境中，利用第二普通掩膜板对所述负性光刻胶进行第二次曝光，以使得所述负性光刻胶的所述半固化部被曝光、所述去除部不被曝光，其中，所述第二普通掩膜板和所述第一普通掩膜板为不同掩膜板。可选的，所述在衬底上形成负性光刻胶具体包括:在衬底上涂覆负性光刻胶，或者通过转印方法在衬底上形成负性光刻胶。本专利技术的实施例提供了一种掩膜图案的形成方法，该方法利用负性光刻胶在无氧环境中经过曝光可以正常固化、而在有氧环境中经过曝光表面无法正常固化、除表面外的其他被曝光部分可以正常固化的特点，在无氧环境中利用第一普通掩膜板对负性光刻胶进行第一次曝光，以使得负性光刻胶的完全固化部被曝光、半固化部和去除部不被曝光;接着在有氧环境中利用第二普通掩膜板对负性光刻胶进行第二次曝光，以使得负性光刻胶的半固化部被曝光、去除部不被曝光;最后，去除掉未固化的负性光刻胶，形成掩膜图案。该掩膜图案包括完全固化部对应形成的图案和半固化部对应形成的图案，半固化部对应形成的图案的厚度小于完全固化部对应形成的图案。该掩膜图案的形成方法只需采用普通掩膜板即可形成厚度不均的掩膜图案，从而避免了使用半色调掩膜板。第二方面，提供了一种薄膜晶体管的形成方法，所述方法包括:在衬底上依次形成金属氧化物层、刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层上采用上述掩膜图案的形成方法形成掩膜图案，其中，所述掩膜图案包括本体部和位于所述本体部周围的台阶部，且所述本体部的厚度大于所述台阶部的厚度；刻蚀掉所述金属氧化物层和所述刻蚀阻挡层中所述掩膜图案未覆盖的部分；对所述掩膜图案进行灰化，以去除所述台阶部、并减薄所述本体部；刻蚀掉所述刻蚀阻挡层中灰化后的所述掩膜图案未覆盖的部分；剥离剩下的所述掩膜图案，以形成金属氧化物层图案和刻蚀阻挡层图案。可选的，所述金属氧化物层的材料为铟镓锌氧化物、铟锡锌氧化物、锌铟锡氧化物或者镁铟锌氧化物。本专利技术的实施例提供了一种薄膜晶体管的形成方法，通过该方法可以形成金属氧化物薄膜晶体管，该薄膜晶体管具有非常高的迀移率和反应速度。第三方面，提供了另一种薄膜晶体管的形成方法，所述方法包括:在衬底上形成多晶硅层；在所述多晶硅层上采用上述掩膜图案的形成方法形成掩膜图案，其中，所述掩膜图案包括本体部和位于所述本体部周围的台阶部，且所述本体部的厚度大于所述台阶部的厚度；对所述多晶硅层中所述掩膜图案未覆盖的部分进行第一次掺杂；对所述掩膜图案进行灰化，以去除所述台阶部、并减薄所述本体部；对所述多晶硅层中灰化后的所述掩膜图案未覆盖的部分进行第二次掺杂，其中，掺杂后的所述多晶硅层中仅经过第二次掺杂的部分的杂质浓度小于经过两次掺杂的部分的杂质浓度；剥离剩下的所述掩膜图案，以形成多晶硅层图案。可选的，所述在衬底上形成多晶硅层之前，所述方法还包括:在所述衬底上形成缓冲层，所述缓冲层位于所述衬底和所述多晶硅层之间。本专利技术的实施例提供了另一种薄膜晶体管的形成方法，通过该方法可以形成多晶硅薄膜晶体管，该薄膜晶体管具有迀移率高、成本低的特点。第四方面，本专利技术的实施例提供了一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管采用上述任一项所述的薄膜晶体管的形成方法形成。该薄膜晶体管的迀移率高、反应速度快。第五方面，本专利技术的实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括上述的薄膜晶体管。该显示装置可以为液晶显示器、电子纸、OLED(Organic Light-Emitting D1de，有机发光二极管)显示器等显示器件以及包括这些显示器件的电视、数码相机、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术中提供的一种具有台阶的掩膜图案；图2为本专利技术实施例提供的一种掩膜图案的形成方法的流程示意图；图3为图2中步骤SOl后形成的结构不意图；图4为图2中步骤S02第一次曝光的示意图；图5为图3经过第一次曝光后的结构示意图；图6为负性光刻胶与掩膜图案的对应关系的示意图；图7为图5经过第二次曝光后的结构示意图；图8为本专利技术实施例提供的负性光刻胶中完全固化部和半固化部的位置关系的结构示意图一；图9为本专利技术实施例提供的负性光刻胶中完全当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩膜图案的形成方法，其特征在于，包括：在衬底上形成负性光刻胶，且所述负性光刻胶具有以下特性：在无氧环境中经过曝光后，被曝光部分能够固化；在有氧环境中经过曝光后，被曝光部分的表面不能固化，除表面外的其他被曝光部分能够固化；在无氧环境中，利用第一普通掩膜板对所述负性光刻胶进行第一次曝光，以使得所述负性光刻胶的完全固化部被曝光、半固化部和去除部不被曝光；在有氧环境中，利用第二普通掩膜板对所述负性光刻胶进行第二次曝光，以使得所述负性光刻胶的所述半固化部被曝光、所述去除部不被曝光；去除掉未固化的所述负性光刻胶，形成掩膜图案。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张斌，周婷婷，刘震，曹占锋，舒适，姚琪，关峰，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11