提供提高了光电变换效率的太阳能电池、太阳能电池面板以及太阳能电池薄膜。根据实施方式，提供具备第1电极、光电变换膜、第2电极、以及第1驻极体的太阳能电池。所述光电变换膜设置在所述第1电极之上。所述光电变换膜包括第1导电型的第1半导体层、以及设置在所述第1半导体层之上的第2导电型的第2半导体层。所述第1半导体层和所述第2半导体层产生内置电场。所述第2电极设置在所述光电变换膜之上。所述第1驻极体与所述光电变换膜在所述第1半导体层与所述第2半导体层的层叠方向上排列，产生朝向与所述内置电场相同的一侧的外部电场。
【技术实现步骤摘要】
【专利说明】太阳能电池、太阳能电池面板从及太阳能电池薄膜 相关申请的交叉引用 本申请基于2014年10月28日提出的日本在先申请第2014-219330号并要求优 先权，该申请的全部内容通过引用记入本申请中。
实施方式一般设及太阳能电池、太阳能电池面板W及太阳能电池薄膜。
技术介绍
有进行将太阳光等的光变换为电能的光电变换的太阳能电池。太阳能电池例如 作为将多个太阳能电池连接而成的太阳能电池面板、具有可晓性的太阳能电池薄膜而被利 用。太阳能电池希望提高光电变换的变换效率。【附图说明】 图1 (a) W及图1化）是表示第1实施方式的太阳能电池的示意图。 图2(a)~图2(e)是示意地表示第1实施方式的太阳能电池的审Ij造工序的截面 图。 图3(a) W及图3(b)是示意地表示第2实施方式的太阳能电池的截面图。 阳00引图4(a)~图4(c)是示意地表示第3实施方式的太阳能电池的截面图。 图5是示意地表示第4实施方式的太阳能电池的截面图。 图6是示意地表示第5实施方式的太阳能电池的截面图。 W11] 图7(a)~图7(c)是示意地表示第6实施方式的太阳能电池的截面图。 图8是示意地表示第7实施方式的太阳能电池薄膜的截面图。 图9是示意地表示第8实施方式的太阳能电池面板的俯视图。 附图标记说明 10、20、22、30 ~32、40、50、60 ~62......太阳能电池 ，IOw......加工体，11......第 1 电极，12......第2电极，13......光电变换膜，13a......第1半导体层，13b......第2半导体层， 13d……重渗杂层，14……驻极体（第1驻极体），15……导电层，16……抗蚀剂膜，25……防 反射膜，35……光学层，45……保护层，64……驻极体（第2驻极体），100……太阳能电池薄 膜，110……基板，200……太阳能电池面板，210……基板，El……内置电场，E2……外部电 场【具体实施方式】 根据本专利技术的实施方式，提供具备第1电极、光电变换膜、第2电极W及第1驻极 体的太阳能电池。所述光电变换膜设置在所述第1电极之上。所述光电变换膜包括第1导 电型的第1半导体层、W及设置在所述第1半导体层之上的第2导电型的第2半导体层。所 述第1半导体层和所述第2半导体层产生内置电场。所述第2电极设置在所述光电变换膜 之上。所述第I驻极体与所述光电变换膜在所述第I半导体层和所述第2半导体层的层叠 方向上排列，产生朝向与所述内置电场相同的一侧的外部电场。 根据其他实施方式，提供太阳能电池面板，具备基板和在所述基板上排列设置且 相互电连接的多个太阳能电池，所述多个太阳能电池分别包括：第1电极；光电变换膜，设 置在所述第1电极之上，包括第1导电型的第1半导体层和设置在所述第1半导体层之上 的第2导电型的第2半导体层，所述第1半导体层和所述第2半导体层产生内置电场；第2 电极，设置在所述光电变换膜之上；W及第1驻极体，与所述光电变换膜在所述第1半导体 层和所述第2半导体层的层叠方向上排列，产生朝向与所述内置电场相同的一侧的外部电 场。 根据其他实施方式，提供太阳能电池薄膜，具备具有可晓性的基板和设置在所述 基板上的太阳能电池，该太阳能电池包括：第1电极；光电变换膜，设置在所述第1电极之 上，包括第1导电型的第1半导体层和设置在所述第1半导体层之上的第2导电型的第2 半导体层，所述第1半导体层和所述第2半导体层产生内置电场；第2电极，设置在所述光 电变换膜之上；W及第1驻极体，与所述光电变换膜在所述第1半导体层和所述第2半导体 层的层叠方向上排列，产生朝向与所述内置电场相同的一侧的外部电场。 W下，参照附图对各实施方式进行说明。 另外，附图是示意的或者是概念性的，各部分的厚度与宽度的关系、部分间的大小 的比率等不一定与现实的结构相同。此外，即使是表示相同部分的情况，也有附图中表示为 彼此的尺寸或比率不同的情况。 另外，在本申请说明书和各图中，对于与关于已出现过的图说明的要素相同的要 素赋予相同的附图标记，并适当省略详细的说明。 阳0巧（第1实施方式） 图1(a) W及图1(b)是表示第1实施方式的太阳能电池的示意图。 图1(a)是太阳能电池10的示意的俯视图，图1化）是太阳能电池10的示意的截 面图。图1化）示意地表示图1 (a)的Al - A2线截面。 如图1(a) W及图1(b)所示，太阳能电池10具备第1电极11、第2电极12、光电 变换膜13 W及驻极体（electret) 14(第1驻极体）。 光电变换膜13设置在第1电极11之上。光电变换膜13包括第1半导体层13a 和第2半导体层13b。第1半导体层13a设置在第1电极11之上。第2半导体层13b设置 在第1半导体层13a之上。 在此，将第1半导体层13a与第2半导体层13b的层叠方向设为Z轴方向。将相 对于Z轴方向垂直的一个方向设为X轴方向。将相对于X轴方向W及Z轴方向垂直的方向 设为Y轴方向。 第1半导体层13a具有第1导电型。第2半导体层13b具有第2导电型。例如， 第1导电型为n型，第2导电型为P型。也可W是第1导电型为P型，第2导电型为n型。 W下，设为第1导电型为n型、第2导电型为P型的情况进行说明。目P，该例中，第1半导体 层13a为n型半导体，第2半导体层13b为P型半导体。 第2半导体层13b例如与第1半导体层13a相接。第2半导体层13b例如与第1 半导体层13a进行pn接合。在第1半导体层13a与第2半导体层13b的接合界面附近，形 成耗尽层化。耗尽层化之中的第I半导体层13a的部分因作为多数载流子的电子的不足 而带正电。另一方面，耗尽层化之中的第2半导体层13b的部分因作为多数载流子的空穴 的不足而带负电。由此，第1半导体层13a和第2半导体层13b在耗尽层化内产生从第1 半导体层13a朝向第2半导体层13b的方向的内置电场El。 光电变换膜13中使用Si类、化合物类W及有机材料类等。Si类例如使用单晶 娃、多晶娃、W及薄膜多晶娃等。化合物类例如使用CIGS (CuInGaSez)、CdTe、半导体多晶体、 GaAs、InP、W及化合物多晶体等。第1半导体层13a W及第2半导体层13b也可W包括有 机半导体。但是，光电变换膜13中优选使用结晶性良好的Si类或化合物类。[00川第1电极11与第1半导体层13a电连接。该例中，第1电极11为阴极。第1电 极11具有光反射性。第1电极11使用例如Al、Ag、Ti等金属材料。第1电极11的材料可 W是具有导电性和光反射性的任意的材料。 在第1电极11与光电变换膜13之间设有导电层15。导电层15例如与第1电极 11 W及光电变换膜13分别相接。第1电极11经由导电层15而与光电变换膜13电连接。 导电层15例如是巧晶（seed)层。导电层15使第1电极11与光电变换膜13的 晶格常数差减小。导电层15的晶格常数与光电变换膜13的晶格常数之差小于第1电极11 的晶格常数与光电变换膜13的晶格常数之差。由此，例如能够在化合物类的光电变换膜13 等中，使结晶构造良好，使由太阳光激励的载流子的寿命变长。例如能够使提取的有效电流 变本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种太阳能电池，具备：第1电极；光电变换膜，设置在所述第1电极之上，包括第1导电型的第1半导体层、以及设置在所述第1半导体层之上的第2导电型的第2半导体层，所述第1半导体层和所述第2半导体层产生内置电场；第2电极，设置在所述光电变换膜之上；以及第1驻极体，与所述光电变换膜在所述第1半导体层与所述第2半导体层的层叠方向上排列，产生朝向与所述内置电场相同的一侧的外部电场。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：李永芳，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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