抗单粒子翻转的锁存型灵敏放大器制造技术

本发明专利技术提供了一种抗单粒子翻转的锁存型灵敏放大器。该锁存型灵敏放大器在普通锁存灵敏放大器的结构基础上添加两个P型晶体管构成的隔离单元，在保持了普通结构的高性能的同时由于隔离单元的限流作用同时降低了电路的功耗，当节点n1或n2发生1到0翻转后，可以通过隔离单元将其状态迅速恢复为1。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子行业集成电路
，尤其涉及一种抗单粒子翻转的锁存型灵敏放大器。
技术介绍
单粒子效应是指高能带电粒子在穿过微电子器件的灵敏区时，沉积能量，产生足够数量的电荷，这些电荷被器件电极收集后，造成器件逻辑状态的非正常改变或器件损坏，它是一种随机效应。除了空间高能粒子以外，各种核辐射、电磁辐射环境也是产生单粒子效应的主要原因。单粒子翻转是辐照环境下集成电路最常见的一种单粒子效应，它会导致存储数据的错误。锁存型灵敏放大器是一种带时钟控制的比较器，将小信号差分输入转换为全摆幅输出，广泛应用于存储器，数据转换，数据传输等电路设计中，作为数模混合电路中的关键元件之一，其抗辐照性能尤为重要，因为在读取数据的过程中一旦出现单粒子翻转，会引起读出数据错误，甚至导致系统失效，随着空间技术、核技术和战略武器的发展，各种电子设备已经广泛应用于人造卫星、宇宙飞船、运载火箭、远程导弹和核武器控制系统中。构成电子设备的电子元器件不可避免的要处于辐射环境中，由于半导体技<本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抗单粒子翻转的锁存型灵敏放大器，其特征在于，包括：锁存型灵敏放大器本体，其比较电路中包含两个上拉PMOS管‑第四上拉PMOS管(P4)和第五上拉PMOS管(P5)；以及隔离单元，包括：第二PMOS管(P2)和第三PMOS管(P3)，其中：第二PMOS管(P2)，其栅极连接字线BL，其源极连接至电源，其漏极连接至锁存型灵敏放大器本体中比较电路中所述第四上拉PMOS管(P4)的源极；以及第三PMOS管(P3)，其栅极连接至字线BLB，其源极连接至电源，其漏极连接至锁存型灵敏放大器本体中比较电路所述第五上拉PMOS管(P5)的源极；其中，所述锁存型灵敏放大器本体的两输出端分别连接至所述锁存型灵敏...

【技术特征摘要】
1.一种抗单粒子翻转的锁存型灵敏放大器，其特征在于，包括：
锁存型灵敏放大器本体，其比较电路中包含两个上拉PMOS管-第四
上拉PMOS管(P4)和第五上拉PMOS管(P5)；以及
隔离单元，包括：第二PMOS管(P2)和第三PMOS管(P3)，其中：
第二PMOS管(P2)，其栅极连接字线BL，其源极连接至电源，
其漏极连接至锁存型灵敏放大器本体中比较电路中所述第四上拉PMOS
管(P4)的源极；以及
第三PMOS管(P3)，其栅极连接至字线BLB，其源极连接至电
源，其漏极连接至锁存型灵敏放大器本体中比较电路所述第五上拉PMOS
管(P5)的源极；
其中，所述锁存型灵敏放大器本体的两输出端分别连接至所述锁存型
灵敏放大器的两输出端(OUT和OUT_B)。
2.根据权利要求1所述的锁存型灵敏放大器，其特征在于，所述锁
存型灵敏放大器包括：
第一预充PMOS管(P1)，其栅极连接至所述锁存型灵敏放大器的时
钟输入端，其源极连接至电源，其漏极连接第三节点(n3)；
第六预充PMOS管(P6)，其栅极连接至锁存型灵敏放大器的时钟输
入端，其源极连接至电源，其漏极连接第四节点(n4)；以及
比较电路，包括：第四上拉PMOS管P4，其源极连接至第二PMOS
管(P2)的漏极，其漏极连接至第三节点(n3)；第五上拉PMOS管(P5)，
其源极连接至第三PMOS管(P3)的漏极，其漏极连接至第四节点(n4)；
第一NMOS管(N1)，其栅极连接至第四上拉PMOS管P4的栅极以及第
四节点(n4)，其漏极连接至第三节点(n3)；第二NMOS管(N2)，其栅
极连接至第五上拉PMOS管(P5)的栅极以及第三节点(n3)；其漏极连
接至第四节点(n4)；第三NMOS管(N3)，其栅极连接至字线BL；其漏
极连接至第一NMOS管(N1)的源极；第四NMOS管(N4)，其栅极连
接至字线BLB，其漏极连接至第二NMOS管(N2)的源极；第五NMOS
管(N5)，其栅极连接至锁存型灵敏放大器的时钟输入端...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨海钢，李天文，蔡刚，秋小强，贾海涛，舒毅，支天，李悦，
申请(专利权)人：中国科学院电子学研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11