本发明专利技术公开了一种抗PID膜系设计方法，即在刻蚀工序后利用PECVD设备在硅片表面镀SiO2/Si3N4组合膜系的设计方法，其具体实施步骤如下：A：在刻蚀后的硅片表面沉积第一层超高折射率的Si3N4薄膜；B：第一步沉积后，再沉积第二层高折射率的Si3N4薄膜；C：第二步沉积后，再沉积第三层低折射率的Si3N4薄膜；D：第三步沉积后，再沉积第四层SiO2薄膜。即可制备出所需性能的SiO2\Si3N4组合膜系。本发明专利技术的有益效果是降低电池片表面反射率，提高电池片转换效率，又能达到组件抗PID效果，从而延长组件使用寿命。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶娃太阳能制造领域，具体地涉及一种抗PID膜系设计方法。
技术介绍
在晶体娃太阳能电池的生产过程中，用管式阳CVD形成的氮化娃、二氧化娃等膜 系结构，具有很好的减反射和纯化效果，大大地提高了太阳能电池的平均转换效率。但太阳 能电池组件在实际使用过程中，由于受到环境温度、湿度、光照强度等因素的影响，导致组 件功率的急剧衰减。PID(Potential Induced Degradation)-般指电池板组件封装材料里 面的钢离子在极端条件下幼日温度85°C，相对湿度为85%，组件外框接地，且施加反向1000V 电压)移动至电池片表面造成电池片失效的一种效应。根据目前报道的实验结果认为，光伏 组件的PID现象主要与玻璃、电池和胶膜有较大关系。因此如何降低PID效应，重点从送Η 个方面着手研究。 目前较常用的抗PID膜系为高折射率的SisN4膜(折射率在2. 15左右)，或者Si〇2/ SisN4组合膜系。高折射率的SisN4膜，减反效果相对较差，制备成电池片后，一般转换效率 会损失0. 1 - 0. 2%。而Si〇2/Si3N4组合膜系，需要对膜系进行优化设计。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种在刻蚀后的娃片表面锥Si化/SisN4组合膜系的设计方 法，达到抗PID的效果。 本专利技术所采用的技术解决方案是在刻蚀工序后，利用PECVD设备在娃片表面锥 Si化/SisN4组合膜系，其具体实施步骤如下： A ;在刻蚀后的娃片表面沉积第一层超高折射率的SisN4薄膜，NHs流量为5. 5±2slm， SiH*流量为 1S00±SOsccm，功率为 63〇0 ~67〇Ow，压强为 17〇0± lOOmtorr，时间为 100±Ss, 膜厚为10 ±2皿，折射率为2. 25 + 0. 01 ; B ;第一步沉积后，再沉积第二层高折射率的SisN4薄膜，NHs流量为6. 5±2slm，SiH4流 量为 1300±80sccm，功率为 6300 ~6700W，压强为 1600±100mtorr，时间为 120 + 5S，膜厚 为 12±2nm，折射率为 2. 13 + 0. 01 ; C ;第二步沉积后，再沉积第Η层低折射率的SisN4薄膜，NHs流量为7. 5±2slm，SiH4流 量为600±SOsccm，功率为6300~6700W，压强为1600± lOOmtorr，时间为500±5s，膜厚为 50±2nm，折射率为 2. 02 + 0. 01 ; D ;第Η步沉积后，再沉积第四层Si〇2薄膜，成0流量为4±1.5slm，SiH4流量为 1100±80sccm，功率为 5800 ~6200W，压强为 1600±100mtorr，时间为 80±5s，膜厚为 7±2nm，折射率为 1. 54 + 0. 01。 即可制备出所需性能的Si〇2\Si^组合膜系。 本专利技术的有益效果是降低电池片表面反射率，提高电池片转换效率，又能达到组 件抗PID效果，从而延长组件使用寿命。【附图说明】 图1本专利技术提供的抗PID膜系设计的结构示意图。 图2本专利技术提供的实施方式中电池片反射率对比图。【具体实施方式】 下面结合附图1对本专利技术的提供技术解决方案作进一步详细说明。 在本【具体实施方式】中，利用多晶娃片采用选择性发射极制备工艺，先后经过酸式 制绒、扩散、喷蜡、湿法刻蚀工艺后，利用PECVD设备采用高折射率和组合膜系两种实验方 案在娃片表面锥膜。在娃片表面采用常规工艺制备高折射率膜。在娃片表面锥Si化/SisN4 组合膜系，其具体实施步骤如下： A ;在刻蚀后的娃片表面沉积第一层超高折射率的SisN4薄膜，NHs流量为5. Islm，SiH4 流量为1850sccm，功率为6500w，压强为1650mtorr，时间为100s，膜厚为9皿，折射率为 2. 25 ； B ;第一步沉积后，再沉积第二层高折射率的SisN4薄膜，NHs流量为6. 7slm，SiH4流量 为1300sccm，功率为6500W，压强为leOOmtorr，时间为120s，膜厚为13nm，折射率为2. 13 ; C ;第二步沉积后，再沉积第Η层低折射率的SisN4薄膜，NHs流量为7. 2slm，SiH4流量 为eOOsccm，功率为6500W，压强为leOOmtorr，时间为500s，膜厚为50nm，折射率为2. 02 ; D ;第Η步沉积后，再沉积第四层Si〇2薄膜，成0流量为4slm，SiH4流量为llOOsccm，功 率为6000W，压强为leOOmtorr，时间为80s，膜厚为7皿，折射率为1. 54。即可制备出所需性 能的Si〇2\Si3N4组合膜系。再晶娃丝网印巧Ij、烧结工艺制备出太阳能电池片。 通过对采用高折射率膜和组合膜系的实验样品进行反射率测试，测试结果如附图 2所示。上述实验结果表明组合膜系的反射率低，具有降低电池片表面反射率的作用。 通过对上述两种实验方案制备的电池片进行组件封装，在双85条件下，施加反向 偏压1000V，96小时后进行抗PID实验测试，其实验结果下表所示。实验结果表明，采用本 专利技术提供的组合膜系的设计方案制备的电池片具有良好的抗PID效果。【主权项】1. 一种抗PID膜系设计方法，其特征在于按照如下工艺步骤实施： A:在刻蚀后的硅片表面沉积第一层超高折射率的Si3N4薄膜，； B:第一步沉积后，再沉积第二层高折射率的Si3N4薄膜； C:第二步沉积后，再沉积第三层低折射率的Si3N4薄膜； D:第三步沉积后，再沉积第四层Si02薄膜。2. 根据权利要求1所述的一种抗PID膜系设计方法，其特征在于：步骤A中PECVD的 工艺参数順3流量为5. 5±2slm，31!14流量为1800±80sccm，功率为6300~6700w，压强为 1700±100mtorr，时间为 100±5s，膜厚为 10±2nm，折射率为 2. 25±0. 01。3. 根据权利要求1所述的一种抗PID膜系设计方法，其特征在于：步骤B中PECVD的 工艺参数順3流量为6. 5±2slm，31!14流量为1300±80sccm，功率为6300~6700w，压强为 1600±100mtorr，时间为 120±5s，膜厚为 12±2nm，折射率为 2. 13±0. 01。4. 根据权利要求1所述的一种抗PID膜系设计方法，其特征在于：步骤C中PECVD的 工艺参数順3流量为7. 5±2slm，31!14流量为600±80sccm，功率为6300~6700w，压强为 1600±100mtorr，时间为 500±5s，膜厚为 50±2nm，折射率为 2. 02±0. 01。5. 根据权利要求1所述的一种抗PID膜系设计方法，其特征在于：步骤D中PECVD的 工艺参数队0流量为4±1. 5slm，31!14流量为1100±80sccm，功率为5800~6200w，压强为 1600±100mtorr，时间为 80±5s，膜厚为 7±2nm，折射率为 1. 54±0. 01。【专利摘要】本专利技术公开了一种抗PID膜系设计方法，即在刻蚀工序后利用PECVD设备在硅片表面镀SiO2/Si3N4组合膜系的设计方法，其具体实施步骤如下：A本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种抗PID膜系设计方法，其特征在于按照如下工艺步骤实施：A：在刻蚀后的硅片表面沉积第一层超高折射率的Si3N4薄膜，；B：第一步沉积后，再沉积第二层高折射率的Si3N4薄膜；C：第二步沉积后，再沉积第三层低折射率的Si3N4薄膜；D：第三步沉积后，再沉积第四层SiO2薄膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵丽艳，徐杰，
申请(专利权)人：浙江鸿禧能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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