高隔离度宽带开关制造技术

本发明专利技术涉及高隔离度宽带开关。在一个方案中，该开关包括集成电路封装，该集成电路封装具有集成电路芯片，该集成电路芯片具有第一多个引线，第一多个引线定位在具有第二多个引线的封装基板上。集成电路芯片的第一引线经由焊线连接到封装基板的第二引线，响应于施加到集成电路封装上的RF信号，在第一引线与集成电路芯片之间发生第一电耦合。焊线具有响应于RF信号的第二电耦合，焊线被布置以使第二电耦合在选定频带内与第一电耦合匹配，从而对于选定频带内的RF信号减小集成电路封装的总体电耦合。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】高隔离度宽带开关相关专利申请的交叉引用本申请要求递交于2014年10月1日的美国临时申请第62/058，507号的权益，该申请的全文通过引用合并于本文中。
描述的技术一般涉及高隔离度宽带开关。
技术介绍
宽带控制产品，例如用于开关或衰减器的四面无引线(QFN)封装，包括将包含开关或衰减器的小型集成电路(1C)芯片与封装基本电连接的焊线。在包括这种宽带控制产品的应用中，通过最小化芯片和封装尺寸来降低成本。然而，产品的隔离度和损耗参数与1C芯片、焊线和封装的尺寸和间距有关。开关的隔离度的两个主要贡献因素是片上耦合和封装串扰。
技术实现思路
在一个实现中，本专利技术的实施方案包括集成电路封装，该集成电路封装具有集成电路芯片，该集成电路芯片具有第一多个引线，所述第一多个引线定位在具有第二多个引线的封装基板上。在该实现中，集成电路芯片的第一多个引线经由焊线连接到封装基板的第二多个引线，并且响应于施加到集成电路封装上的RF信号，通过集成电路芯片在第一多个引线之间发生第一电耦合。将第一多个引线和第二多个引线互连的焊线具有响应于RF信号的第二电耦合，并且焊线被布置以使第二电耦合在选定本文档来自技高网...

【技术保护点】
集成电路(IC)封装，包括：IC芯片，其包括第一多个引线；封装基板，其包括第二多个引线，所述IC芯片位于所述封装基板上；多个焊线，其分别将所述第一引线与所述第二引线连接，其中响应于施加到所述IC封装的射频(RF)信号，在所述第一多个引线之间通过所述集成电路芯片发生第一电耦合，其中所述焊线具有响应于所述RF信号的第二电耦合，并且其中所述焊线布置成使得在选定频带内所述第二电耦合与所述第一电耦合基本匹配，从而对于所述选定频带内的RF信号减少所述集成电路封装的总体电耦合。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：Y·A·阿特赛尔，T·库尔克尤克鲁，
申请(专利权)人：亚德诺半导体集团，
类型：发明
国别省市：百慕大群岛;BM