一种光半导体装置用引线框的基体，其通过轧制加工而形成，其中，以入射角60°测定的该基体表面的光泽度在相对于轧制方向的平行方向和垂直方向上分别为500％以上，并且，其平行方向的光泽度与垂直方向的光泽度之比是0.8～1.2。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于光半导体装置用引线框的基体及其制造方法、使用该基体的光半 导体装置用引线框及其制造方法、以及光半导体装置。
技术介绍
光半导体装置用引线框被广泛地用作利用例如LED(Light Emitting Diode:发光 二极管)元件等光半导体元件即发光元件作为光源的各种显示用、照明用光源的构成部件。 在该光半导体装置中，例如在基板配置引线框，在该引线框上搭载发光元件后，为了防止由 热、湿气、氧化等外部因素导致的发光元件及其周边部位的劣化，利用树脂对发光元件及其 周围进行密封。 然而，在采用LED元件作为照明用光源的情况下，要求引线框的反射材料在可视光 波长(400nm~800nm)的整个区域中的反射率高(例如，相对于硫酸钡及氧化铝等基准物质 的反射率在80%以上）。此外，作为形成白色光的LED的方法，主要大致分为以下三种方法： 排列3个放出红(R)、绿(G)、蓝(B)全部颜色的芯片;采用使黄色荧光体分散到蓝色LED芯片 的密封树脂；以及采用分别使RGB的荧光体分散到近紫外光区域的LED芯片的密封树脂。以 往，采用使黄色荧光体分散到蓝色芯片的密封树脂的方法是主流，但近年来由于演色性的 问题而关注于采用发光波段包含紫外光区域的LED芯片的方法。根据该方法，要求光半导体 装置的反射材料在近紫外光区域(波长340nm~400nm)和可视光区域(波长400nm~800nm) 的反射率高。 这样，为了得到反射率高的表面，考虑采用平滑的基体作为引线框用的基体。 例如，在专利文献1中提出了如下的平滑的基体:对由铜合金板或条构成的基体的 至少一个面电解处理后实施乳制加工，20°入射的光泽度在200 %以上，并且表面粗糙度Rz 在Ι.Ομπι以下。 但是，在专利文献1中，记载了光泽度在200 %以上、并且表面粗糙度Rz在1. Ομπι以 下，但关于测定方向没有明确记载。这是因为:通过乳制加工而在基体表面沿乳制平行方向 产生被称为乳制筋的加工痕迹，但有时光泽度根据乳制平行方向和乳制垂直方向的测定方 向而大不相同。特别是作为用于光半导体装置的引线框基体，由于乳制筋相对于光的反射 而变成皱曲呈现，因此要求在乳制平行(长边)方向和乳制垂直(宽度)方向这两方向上光泽 度高。在该方面，专利文献1中未对这些进行研究，作为光半导体装置用的引线框基体，需要 进一步的研究。此外，近年来，有时对引线框实施胀形加工而形成凹部，并对其侧面实施镀 银而形成高输出型的光半导体装置。此时，有时乳制筋导致的凹凸变成起点而在胀形加工 时发生破裂。因此，要求胀形加工性良好的光半导体装置用引线框基体，专利文献1中也未 从该角度进行研究。 并且，在安装有LED元件的引线框上，特别是以提高可视光区域的光反射率(下面， 称为反射率)为目的而多形成有由银或银合金构成的层(覆膜）。已知银覆膜的可视光区域 的反射率高，具体而言，已知在反射面形成镀银层(专利文献2)、以及在形成银或银合金覆 膜后在200°C以上实施30秒以上的热处理，使该覆膜的结晶粒径为0.5μπι~30μπι的范围，并 且使基底材料的表面粗糙度在〇.5μπι以上(专利文献3)等。并且，作为另外的高反射化的方 法，已知在银合金反射膜中使表面粗糙度Ra在2. Onm以下(专利文献4)等。 此外，作为提高反射率的电镀的研究，如专利文献2所述，在仅简单地形成银覆膜 或其合金覆膜的情况下，特别是近紫外光区域(波长340nm~400nm)的反射率大幅降低，要 求进一步改善反射率。 此外，即使如专利文献3所述在银或银合金的覆膜的结晶粒径为0.5μπι~30μπι、并 且基底的表面粗糙度在〇.5μπι以上的情况下，尚未维持反射率始终高的状态，可以考虑有进 一步改善的余地。特别是从专利文献3的图8和图9可见，在近紫外光区域(340nm~400nm)、 特别是345nm~355nm附近可见吸收峰值。这相当于当使用发光波长为375nm的LED芯片时反 射率低于可视光区域的部分。此时，与搭载例如发光波长为450nm的蓝色LED芯片的情况相 比，在使用发光波长为375nm的LED芯片的情况下反射率低约10 %。此外，当通过热处理调整 为上述结晶粒径后，有时由于残留氧的影响而使银氧化，相反地反射率降低，反射率改善方 面无法得到足够的效果。 并且，如专利文献4中公开的那样，为了形成表面粗糙度Ra在2nm以下那样的非常 平滑的覆膜，作为达成方法，溅射及蒸镀法等PVD(物理蒸镀)工序是必须的，不适合作为光 半导体装置那样的要求大量生产性的方法。并且，当粗糙度在2nm以下时，存在这样的另外 的问题:与形成于光半导体装置的模塑树脂之间的紧贴性极差。 现有技术文献 专利文献 专利文献1:日本特开平9-087899号公报 专利文献2:日本特开昭61-148883号公报 专利文献3:日本特开2008-016674号公报 专利文献4:日本特开2005-29849号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题 因此，本专利技术的课题在于，提供在用于LED、光耦合器、光断续器等的光半导体装置 用引线框中即使进行胀形加工也不容易发生破裂的用于光半导体装置用引线框的基体及 其制造方法，并且提供采用该基体的近紫外光区域至可视光区域(波长340~800nm)的反射 率极良好的光半导体装置用引线框及其制造方法。 用于解决课题的手段 本专利技术人们鉴于上述现有技术的问题进行了锐意研究，其结果是，发现了如下情 况:在通过乳制加工而形成的光半导体装置用引线框的基体的表面上，以入射角60°测定的 光泽度在相对于乳制方向的平行方向和垂直方向上分别为500%以上，并且，其平行方向的 光泽度和垂直方向的光泽度之比是0.8~1.2以内，从而能够作为即使进行胀形加工也不容 易发生破裂、波长340nm~800nm的光的反射率优异的引线框用的基体。并且，通过采用本发 明的基体来实施镀银或银合金，从而能够简便地提供反射率高的光半导体装置用引线框。 本专利技术根据该见解而完成。 根据本专利技术，提供以下的手段： (1)-种用于光半导体装置用引线框的基体，该基体通过乳制加工而形成，所述用 于光半导体装置用引线框的基体的特征在于，以入射角60°测定的该基体表面的光泽度在 相对于乳制方向的平行方向和垂直方向上分别为500%以上，并且，该平行方向的光泽度与 垂直方向的光泽度之比是0.8~1.2。 (2)根据（1)项所述的用于光半导体装置用引线框的基体，其特征在于，在所述基 体上，在表面上形成的油坑的个数在100μπιΧ 100μπι的面积中是50个以内。 (3)根据（1)或(2)项所述的用于光半导体装置用引线框的基体，其特征在于，在所 述光半导体装置用引线框基体上形成有用于在引线框上搭载光半导体元件的凹部，该凹部 呈碗状。 (4)-种光半导体装置用引线框，其特征在于，在（1)至(3)中的任一项所述的用于 光半导体装置用引线框的基体上的最表面，具有由银、银-硒合金、银-锑合金、银-锡合金、 银-铟合金、银-金合金、银-铂合金中的任一种构成的反射层。 (5)根据(4)项所述的光半导体装置用引线框，其特征在于，所述反射层的厚度是3 μπι以下。 (6)根据(4)或(5)项所述的光半导体本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于光半导体装置用引线框的基体，该基体通过轧制加工而形成，所述用于光半导体装置用引线框的基体的特征在于，以入射角60°测定的该基体表面的光泽度在相对于轧制方向的平行方向和垂直方向上分别为500％以上，并且，该平行方向的光泽度与垂直方向的光泽度之比是0.8～1.2。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
【专利技术属性】
技术研发人员：小林良聪，中津川达也，座间悟，松田晃，铃木智，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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