本发明专利技术属于钨材料技术领域，特别涉及一种钨基体合金及其制备方法。该钨基体合金的成份按质量百分比包括：4－6％的铈，0.11－0.14％的铼以及余量的钨。技术效果如下：通过添加铼、铈改善钨的脆性、高温性能和可塑性。钨基体合金用作电子发射用的电极时，工作温度大大降低，工作温度仅需800－1000℃。铈作为储量最大的稀土元素，有效提高了稀土资源的利用率。本发明专利技术生产的钨基体合金纯度高，杂质含量不超过70ppm。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于钨材料
，特别涉及一种。
技术介绍
钨作为一种耐高温的金属材料具有广泛应用，特别是节能灯的灯丝或者电极以及作为各种电子发射极。但钨本身存在易脆和可塑性低的问题，这大大减小了其使用过程中的寿命。为降低钨的脆性以及提高其可塑性，传统的方法通过在钨内添加稀土金属形成钨基合金增加其性能。比如在钨内添加3 - 5%的铼，可大大增加钨的可塑性，但是铼是稀土金属中丰度最少的金属，价格昂贵，因此，寻找一种可替代的降低钨脆性提高可塑性的且具有较高的丰量的稀土金属可大大降低其成本。
技术实现思路
本专利技术提供一种能够降低钨的脆性，提高钨的可塑性，并降低成本的。本专利技术的技术方案为:一种钨基体合金，该钨基体合金的成份按质量百分比包括:4 - 6%的铈，0.11 - 0.14%的铼以及余量的钨。—种钨基体合金的制备方法，包括以下步骤:S1:按质量百分比，铈4 一 6%、铼0.11 一 0.14%、钨余量的比例混合铈液、铼液及仲钨酸铵形成混合液；S2:在氢气的环境下，从300°C至1200°C以线性升温的方式加热混合液对其还原制得铈铼钨合金粉，升温时间为92 - 95min ；S3:对铈铼钨合金粉压坯成型后在氢气的环境下加热，并保持2300 — 2800°C的温度 20 — 30min ；S4:再经自然冷却后得到钨基体合金。本专利技术的技术效果如下: 1、本专利技术通过添加铼、铈改善钨的脆性、高温性能和可塑性。2、本专利技术的钨基体合金用作电子发射用的电极时，工作温度大大降低，工作温度仅需 800 - 1000°C。3、铈作为储量最大的稀土元素，有效提高了稀土资源的利用率。4、本专利技术生产的钨基体合金纯度高，杂质含量不超过70ppm。【具体实施方式】下面对本实施例做进一步详细描述，但本专利技术并不局限于具体的实施例。实施例1:—种钨基体合金，该钨基体合金的成份按质量百分比包括:4%的铈，0.14%的铼以及余量的妈。—种钨基体合金的制备方法，包括以下步骤:S1:按质量百分比，铈4%、铼0.14%、钨余量的比例混合铈液、铼液及仲钨酸铵形成混合液；S2:在氢气的环境下，从300°C至1200°C以线性升温的方式加热混合液对其还原制得铺铼妈合金粉，升温时间为92min ；S3:对铈铼钨合金粉压坯成型后在氢气的环境下加热，并保持2800°C的温度20min ；S4:再经自然冷却后得到钨基体合金。实施例2:—种钨基体合金，该钨基体合金的成份按质量百分比包括:6%的铈，0.11%的铼以及余量的妈。—种钨基体合金的制备方法，包括以下步骤:S1:按质量百分比，铈6%、铼0.11 %、钨余量的比例混合铈液、铼液及仲钨酸铵形成混合液；S2:在氢气的环境下，从300°C至1200°C以线性升温的方式加热混合液对其还原制得铺铼妈合金粉，升温时间为95min ；S3:对铈铼钨合金粉压坯成型后在氢气的环境下加热，并保持2300°C的温度30min ；S4:再经自然冷却后得到钨基体合金。本本专利技术的技术效果如下: 1、本专利技术通过添加铼、铈改善钨的脆性、高温性能和可塑性。2、本专利技术的钨基体合金用作电子发射用的电极时，工作温度大大降低，工作温度仅需 800 - 1000°C。3、铈作为储量最大的稀土元素，有效提高了稀土资源的利用率。4、本专利技术生产的钨基体合金纯度高，杂质含量不超过70ppm。【主权项】1.一种妈基体合金，其特征在于，该妈基体合金的成份按质量百分比包括:4 一 6%的铈，0.11 - 0.14%的铼以及余量的钨。2.—种钨基体合金的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: S1:按质量百分比，铈4 一 6%、铼0.11-0.14%、钨余量的比例混合铈液、铼液及仲钨酸铵形成混合液； S2:在氢气的环境下，从300°C至1200°C以线性升温的方式加热混合液对其还原制得铈铼钨合金粉，升温时间为92 - 95min ； S3:对铈铼钨合金粉压坯成型后在氢气的环境下加热，并保持2300 - 2800°C的温度.20 — 30min ; 54:再经自然冷却后得到钨基体合金。【专利摘要】本专利技术属于钨材料
，特别涉及一种。该钨基体合金的成份按质量百分比包括：4－6％的铈，0.11－0.14％的铼以及余量的钨。技术效果如下：通过添加铼、铈改善钨的脆性、高温性能和可塑性。钨基体合金用作电子发射用的电极时，工作温度大大降低，工作温度仅需800－1000℃。铈作为储量最大的稀土元素，有效提高了稀土资源的利用率。本专利技术生产的钨基体合金纯度高，杂质含量不超过70ppm。【IPC分类】B22F9/26, C22C27/04, C22C1/04【公开号】CN105420578【申请号】CN201510822213【专利技术人】王晓伟 【申请人】王晓伟【公开日】2016年3月23日【申请日】2015年11月24日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种钨基体合金，其特征在于，该钨基体合金的成份按质量百分比包括：4－6％的铈，0.11－0.14％的铼以及余量的钨。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王晓伟，
申请(专利权)人：王晓伟，
类型：发明
国别省市：山东;37
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