铼掺杂钨基合金阴极及其制备方法技术

一种铼掺杂钨基合金阴极的制备方法，包括：将金属钨粉和铼粉混合，得到均匀混合的钨铼合金粉末；将所述钨铼合金粉末与1.5wt％硝棉溶液均匀混合，将混合溶液施加于钨丝阴极基底表面，烘烤；将表面施加了钨铼合金粉后的钨丝放入高温氢气炉中，在1600±50℃下保温10～15分钟，即制备得到所述铼掺杂钨基合金阴极。以及一种由该方法制备的铼掺杂钨基合金阴极。本发明专利技术的铼掺杂钨基合金阴极能够提高大功率连续波磁控管用纯钨丝阴极的发射电流密度，降低纯钨丝阴极的工作温度，降低阴极表面蒸发率，从而延长阴极的寿命。

【技术实现步骤摘要】
201510760269

【技术保护点】
一种铼掺杂钨基合金阴极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：a、将金属钨粉和铼粉混合，得到均匀混合的钨铼合金粉末；b、将所述钨铼合金粉末与1.5wt％硝棉溶液均匀混合，将混合溶液施加于钨丝阴极基底表面，烘烤；c、将表面施加了钨铼合金粉后的钨丝放入高温氢气炉中，在1600±50℃下保温10～15分钟，即制备得到所述铼掺杂钨基合金阴极。

【技术特征摘要】
1.一种铼掺杂钨基合金阴极的制备方法，其特征在于，包括如下步
骤：
a、将金属钨粉和铼粉混合，得到均匀混合的钨铼合金粉末；
b、将所述钨铼合金粉末与1.5wt％硝棉溶液均匀混合，将混合溶液施
加于钨丝阴极基底表面，烘烤；
c、将表面施加了钨铼合金粉后的钨丝放入高温氢气炉中，在1600±
50℃下保温10～15分钟，即制备得到所述铼掺杂钨基合金阴极。
2.如权利要求1所述的铼掺杂钨基合金阴极的制备方法，其特征在
于，所述a步骤中的钨粉和铼粉是纯度为99.9％，平均粒径为1～3μm。
3.如权利要求1所述的铼掺杂钨基合金阴极的制备方法，其特征在
于，所述a步骤中的钨粉和铼粉是按照重量百分数为95％∶5％混合的。
4.如权利要求1所述的铼掺杂钨基合金阴极的制备方法，其特征在
于，所述a步骤中的研磨，是在玛瑙钵中进行，混合研磨≤24小时。
5.如权利要求1所述的铼掺杂钨基合金阴极的制备方法，其特征在
于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：漆世锴，王小霞，罗积润，胡明炜，赵青兰，李云，张琪，
申请(专利权)人：中国科学院电子学研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11