一种温度调阻75千欧电阻片，包括焊接层、绝缘层、电阻层和釉层，所述绝缘层上部依次为焊接层、电阻层和釉层，所述焊接层的反面为银层，正面为银极，所述绝缘层为陶瓷基片，所述电阻层采用温度调阻制备工艺制成，印完电阻层与焊接层的正面银极，均采取低于电阻层850度烧结，控制电阻片电阻低于公差上限，再利用釉层中温烧结时，部份玻璃釉渗透到电阻层结构内，会增大电阻之特性，针对不同电阻范围的产品按不同温度返炉烧结，以达到增加电阻，从面保证良品率在98%以上。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电阻片，具体为。
技术介绍
现在电阻片调阻工艺主要依靠激光切割机或喷沙，对电阻层进分割，从面达到精密调阻目的，此工艺直接破坏了电阻层及玻璃釉层，影响了电阻片的电性能。现有的电阻片主要依靠激光切割机对电阻层进行分割，从而加大电阻，得到所要的电阻，温度调阻电阻片，电阻层采取低800度烧结，控制电阻片电阻低于公差上限，再利用釉层中温烧结时，部份玻璃釉渗透到电阻层结构内，会增大电阻之特性，针对不同电阻范围的产品按不同温度返炉烧结，以达到增加电阻，从而保证良品率在98%以上。激光或喷沙调阻，对厚膜电阻片带来众多问题:调阻改变了电阻层的结构，造成的电阻膜局部损伤，改变电流密度分布，导致损伤处发热不匀，厚膜电阻的功率承受能力和稳定性大为降低，调阻工艺将会损伤基片，使基片的绝缘性变差，基片功率承受能力下降；调阻工艺所使用的设备成本高；所以，性能优越的大功率电阻片制作的技术关键:制作时电阻一致性好，避免采用损伤的调阻工艺，本温度调阻制备工艺有投入成本低，不损伤电阻层及基片，电阻片的电性能好的优点。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供，解决
技术介绍
中的问题。本专利技术采用以下技术方案实现: 一种温度调阻75千欧电阻片，包括焊接层、绝缘层、电阻层和釉层，所述绝缘层上部依次为焊接层、电阻层和釉层，所述焊接层的反面为银层，正面为银极，所述绝缘层为陶瓷基片。一种温度调阻75千欧电阻片的制备方法，包括以下步骤: 第一步:选择96氧化铝陶瓷基片，尺寸为17*19*0.635 mm ;选择850度，银含量为80%的银浆； 第二步:在陶瓷基片反面，采用150目丝网印刷尺寸为15*17mm的银层，经850度烧结，得到厚度为12UM的反面焊接层； 第二步:选择850度烧结，方阻为100ΚΩ，温度系数50PPM/°C钌系电阻浆料，在陶瓷正面，利用200目丝网印刷电阻层，尺寸为17*10.2 mm，经800度烧结得到厚底为8UM的电阻层；第三步:在电阻层两边，采用150目丝网印刷宽度为2.5 mm，长为15 mm的银电极；两银电极尺寸为15*17 mm，中间空10*17 mm为电阻层，经800度烧结得到连接引线的银电极；第四步:在电阻层上面，采用550到580度烧结的玻璃釉，以150目丝网印刷尺寸为10.1*18 mm厚度为15UM的绝缘层，用6温区厚膜烧结炉，设定温度曲线为:350-450-550-550-450-350，转速为 200 mm /Μ ； 第五步:采用数字电桥测试电阻，按电阻大小分区放置，按公差5%，A区:71.25ΚΩ-78.75ΚΩ ；B 区:63.75ΚΩ-71.24ΚΩ ；C 区:56.25ΚΩ-71.25ΚΩ ； 第六步:温度调阻:A区为良品，不需调阻，B区采用厚膜烧结炉，烧结温度调整350-450-570-570-450-350，转速:200 mm /M，C区产品，烧结温度调整为400-500-590-590-500-400转速180 mm /M，再次用数字电桥测试电阻，按同样方式分区，经2到3次调阻，98%均可达到A区范围。有益效果:本专利技术投入成本小，生产成本低，合格率高，性能优越，可批量生产。【附图说明】图1为本专利技术的结构示意图。【具体实施方式】为了使本专利技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本专利技术。参见图1，一种温度调阻75千欧电阻片的结构示意图，一种温度调阻75千欧电阻片，包括焊接层1、绝缘层2、电阻层3和釉层4，所述绝缘层2上部依次为焊接层1、电阻层3和釉层4，所述焊接层1的反面为银层，正面为银极，所述绝缘层2为陶瓷基片，所述电阻层3采用温度调阻制备工艺制成，印完电阻层3与焊接层1的正面银极，均采取低于电阻层850度烧结，控制电阻片电阻低于公差上限，再利用釉层4中温烧结时，部份玻璃釉渗透到电阻层3结构内，会增大电阻之特性，针对不同电阻范围的产品按不同温度返炉烧结，以达到增加电阻，从面保证良品率在98%以上。实施例1 选择96氧化铝陶瓷基片，尺寸为17*19*0.635 mm ;选择850度，银含量为80%的银浆；在陶瓷基片反面，采用150目丝网印刷尺寸为15*17 mm的银层，经850度烧结，得到厚度为12UM的反面焊接层；选择850度烧结，方阻为100K Ω，温度系数50PPM/°C钌系电阻浆料，在陶瓷正面，利用200目丝网印刷电阻层，尺寸为17*10.2 mm,经800度烧结得到厚底为8UM的电阻层；在电阻层两边，采用150目丝网印刷宽度为2.5 mm，长为15 mm的银电极；两银电极尺寸为15*17 mm，中间空10*17 mm为电阻层.经800度烧结得到连接引线的银电极；在电阻层上面，采用550到580度烧结的玻璃釉，以150目丝网印刷尺寸为10.1*18 mm厚度为15UM的绝缘层，用6温区厚膜烧结炉，设定温度曲线为:350-450-550-550-450-350，转速为200mm/M ;采用数字电桥测试电阻，按电阻大小分区放置，按公差5%，A区:71.25ΚΩ-78.75ΚΩ ；B区:63.80ΚΩ-71.20ΚΩ ；Cg:56.25ΚΩ-71.25ΚΩ ;温度调阻:A区为良品，不需调阻，B区采用厚膜烧结炉，烧结温度调整350-450-570-570-450-350，转速:200 mm /M, C区产品，烧结温度调整为400-500-590-590-500-400转速180 mm /M，再次用数字电桥测试电阻，按同样方式分区，经3次调阻，98%均可达到A区范围。实施例2 选择96氧化铝陶瓷基片，尺寸为17*19*0.635 mm ;选择850度，银含量为80%的银浆；在陶瓷基片反面，采用150目丝网印刷尺寸为15*17 mm的银层，经850度烧结，得当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种温度调阻75千欧电阻片，包括焊接层、绝缘层、电阻层和釉层，其特征在于，所述绝缘层上部依次为焊接层、电阻层和釉层，所述焊接层的反面为银层，正面为银极，所述绝缘层为陶瓷基片。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：康丁华，刘溪海，
申请(专利权)人：娄底市安地亚斯电子陶瓷有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43
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