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一种二总线数据发送电路制造技术

技术编号:13038551 阅读:120 留言:0更新日期:2016-03-23 10:29
本发明专利技术涉及一种二总线数据发送电路,由信号整形电路,大功率MOS管,MOS管开关驱动电路,总线上的大功率电感组成;其特征是微处理器产生的高低电平信号,经过信号整形电路限宽整形,再经过MOS管开关驱动电路,驱动大功率MOS管,控制二总线电压,在总线上大功率电感的隔离作用下,数据与电源可以同时传输。

【技术实现步骤摘要】
一种二总线数据发送电路
本专利技术涉及二总线通信
,尤其涉及一种二总线数据发送电路。
技术介绍
目前传统的二总线数据发送电路结构比较复杂,驱动能力差,总线保护措施不完善,成本高等。
技术实现思路
专利技术目的:为了避免
技术介绍
中存在的不足之处,设计一种电路结构简单、驱动能力强、具有较强的总线保护功能的二总线数据发送电路。技术方案:本专利技术是通过以下技术方案来实现的:一种二总线数据发送电路,包括:信号整形电路,大功率MOS管,MOS开关驱动电路,总线上的大功率电感。在信号整形电路中,当发送数据时微处理器输出脉冲信号到非门U1A的2引脚,经过与非U1A的引脚3输出相位相反的脉冲信号,经过电容C2,在与非门U1B的引脚6输出和微处理器输出脉冲相位相同的信号;经过三极管Q2,Q3,Q4组成的驱动电路驱动大功率MOS管实现二总线上的电压控制,完成二总线上的数据发送;由于C2的隔离直流作用,脉冲可以通过,当微处理器出现故障时,与非门U1B的引脚4、5恢复为低电平,从而使与非门U1B的引脚6输出高电平,使MOS管保持截止状态;其中R2和C2构成阻容式时间常数电路,实现脉冲宽度限制,有利于提高传输速度,减少MOS管功耗。在MOS开关驱动电路中,MOS管采用低功耗大功率MOS管,总线上采用大功率电感,通过电流允许达到十几安培,可以为二总线上提供很大的驱动能力。优点及效果:本专利技术与
技术介绍
相比,优点如下:一是功率大,驱动能力强;二是具有脉冲宽度限制功能,有效防止总线短路;三是电路结构简单,元器件少,成本低,可靠性高。附图说明:图1一种二总线数据发送电路结构图。具体实施方式:下面结合附图和具体实施方式对本专利技术做进一步说明,本专利技术保护范围不仅局限于以下内容的表述。如图1:包括微处理器接口C,信号整形电路,大功率MOS管,MOS开关驱动电路和大功率电感L1;其中所述的微处理器接口C输出高低电平信号到信号整形电路U1A的2引脚;所述的信号整形电路包括:与非门U1A、U1B,电阻R1、R2,电容C1、C2;其中与非门U1A的1引脚连接电阻R1一端,电阻R1另一端连接5V电源和电容C1,电容C1另一端接地;与非门U1A的3引脚连接电容C2的一端,电容C2另一端接电阻R2和与非门U1B的4、5引脚,其中R2另一端接地;与非门U1B的6引脚为信号整形电路输出引脚。所述的总线上的大功率电感为串联在总线上,可以通过直流大电流,且隔离脉冲信号的大功率电感L1。所述的MOS开关驱动电路包括:电阻R3、R4、R5、R6,三极管Q2、Q3、Q4;其中电阻R3一端接信号整形电路输出引脚,另一端接三极管Q2基极和电阻R4,其中R4另一端接地;三极管Q2发射极接地,集电极接电阻R5一端和Q3和Q4的基极;电阻R5另一端接5V电源;三极管Q4的集电极接5V电源,发射极接三极管Q3发射极和电阻R6的一端,其中三极管Q3集电极接地;电阻R6另一端接大功率MOS管Q1栅极,其中大功率MOS管Q1漏极接二总线正极和电感L1,源极接地。可以理解的是,以上关于本专利技术的具体描述,仅用于说明本专利技术而并非受限于本专利技术实施例所描述的技术方案,本领域的普通技术人员应当理解,仍然可以对本专利技术进行修改或等同替换,以达到相同的技术效果;只要满足使用需要,都在本专利技术的保护范围之内,本专利技术说明书中未作详细描述的内容属本领域技术人员的公知技术。本文档来自技高网...
一种二总线数据发送电路

【技术保护点】
一种二总线数据发送电路,包括:信号整形电路,大功率MOS管,MOS开关驱动电路,总线上的大功率电感;      所述的信号整形电路,包括:与非门U1A、U1B,电阻R1、R2,电容C1、C2;其中与非门U1A的1引脚连接电阻R1一端,电阻R1另一端连接5V电源和电容C1,电容C1另一端接地;与非门U1A的3引脚连接电容C2的一端,电容C2另一端接电阻R2和与非门U1B的4、5引脚,其中R2另一端接地;与非门U1B的6引脚为信号整形电路输出引脚;       所述的总线上的大功率电感为串联在总线上,可以通过直流大电流,且隔离脉冲信号的大功率电感L1;       所述的MOS开关驱动电路包括:电阻R3、R4、R5、R6,三极管Q2、Q3、Q4;其中电阻R3一端接信号整形电路输出引脚,另一端接三极管Q2基极和电阻R4,其中R4另一端接地;三极管Q2发射极接地,集电极接电阻R5一端和Q3和Q4的基极;电阻R5另一端接5V电源;三极管Q4的集电极接5V电源,发射极接三极管Q3发射极和电阻R6的一端,其中三极管Q3集电极接地;电阻R6另一端接大功率MOS管Q1栅极,其中大功率MOS管Q1漏极与二总线和电感L1连接,源极接地。...

【技术特征摘要】
1.一种二总线数据发送电路,包括:信号整形电路,大功率MOS管,MOS开关驱动电路,总线上的大功率电感;所述的信号整形电路,包括:与非门U1A、U1B,电阻R1、R2,电容C1、C2;其中U1A的第二输入端为信号输入引脚;与非门U1A的第一输入端连接电阻R1一端,电阻R1另一端连接5V电源和电容C1,电容C1另一端接地;与非门U1A的输出端引脚连接电容C2的一端,电容C2另一端接电阻R2和与非门U1B的第一、第二输入端,其中R2另一端接地;与非门U1B的输出端引脚为信号整形电路输出引脚;所述的总线上的大功率电感为串联在总线上,可以通过直流大电流,且隔离脉冲信号的大功率电感L1...

【专利技术属性】
技术研发人员:踪念品踪家帅徐伦
申请(专利权)人:踪念品
类型:发明
国别省市:辽宁;21

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