液晶介质制造技术

技术编号:13030839 阅读:148 留言:0更新日期:2016-03-17 01:49
本发明专利技术涉及基于极性化合物的混合物的液晶介质,其包含·至少一种式I的化合物,其中R1、L1、L2、L3和m具有如在权利要求1中所定义的含义和·至少一种选自式IA至I-K化合物的化合物,其中R1、R1*、a、L1、L2具有如在权利要求1所定义的含义,并涉及所述LC混合物用于有源或无源矩阵寻址显示器(特别是基于VA、PSA、PS-VA、IPS、FFS、PS-IPS、PS-FFS技术),优选在光学显示器中用于自配向VA模式的用途。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】液晶介质 本专利技术涉及用于LC显示器的液晶介质,尤其是用于不含任何取向层的显示器的 液晶介质,所述取向层即含有至少一种自配向添加剂的聚酰亚胺层。 该类型介质特别可用于基于ECB效应的具有有源或无源矩阵寻址的电光显示器。 电控双拆射、ECB效应亦或DAP(配向相畸变)效应的原理首次描述于1971年 (M. R Schieckel 和 K. Fahrenschon," Deformation of nematic liquid crystals with vertical orientation in electrical fields",Appl. Phys. Lett. 19 (1971),3912) 〇这随 后描述于 J. F. Kahn (Appl. Phys. Lett. 20 (1972),1193)及 G. Labrunie 和 J. Robert (J. Appl. Phys. 44(1973),4869)的论文中。 J. Robert 和 F. Clerc (SID 80 Digest Techn. Papers (1980),30)、 J.Duchene(Displays 7(1986),3)以及 H.Schad(SID 82 Digest Techn.Papers(1982), 244)的论文显示液晶相必须具有高数值的弹性常数K3A 1K、高数值的光学各向异性An和 Λ ε <-0.5的介电各向异性值以适用于基于ECB效应的高信息显示器元件。基于ECB效 应的电光学显示器元件具有垂面边缘配向(VA枝术=垂直配向)^ 除了 IPS(面内切换)显示器(例如:Yeo, S. D.,论文 15. 3 : " An LC Display for the TV Application" ,SID 2004 International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV,Book II,pp.758&759)和长久已知的TN(相i转向列)显示器之外,使用 ECB效应的显示器,如例如在MVA(多域垂面配向,例如:Yoshide,H.等,论文3.1: " MVA LCD for Notebook or Mobile PCs…",SID 2004 International Symposium, Digest of Technical Papers,XXXV,Book I,pp.6to 9,和 Liu,C.T.等,论文 15. I : " A 46-inch TFT-LCD HDTV Technology…",SID 2004 International Symposium, Digest of Technical Papers,XXXV,Book II,pp. 750 to 753)、PVA(图案化垂面配向,例如: Kim,Sang Soo,论文 15.4: " Super PVA Sets New State-of-the-Art for LCD-TV", SID 2004 International Symposium, Digest of Technical Papers, XXXV, Book II, pp. 760 to 763)、ASV (先进超视角,例如:Shigeta,Mitzuhiro 和 Fukuoka,Hirofumi,论文 15. 2 : " Development of High Quality LCDTV",SID 2004 International Symposium, Digest of Technical Papers,XXXV,Book II,pp. 754至757)樽式中的所谓的 VAN(垂面配 向向列)显示器,自身已确立为当今最重要的三种较新型液晶显示器之一,特别是对于电 视应用而言D该技术以一般形式进行比较,例如,在Souk,Jun,SID Seminar 2004, seminar M-6 : " Recent Advances in LCD Technology " ? Seminar Lecture Notes, M-6/1 至 M-6/26,和 Miller,Ian,SID Seminar 2004, seminar M_7 : " LCD-Television" ? Seminar Lecture Notes,M-7/1至M-7/32中。虽然现代ECB显示器的响应时间已通过在超速驱 动下的寻址方法得以显著改善,例如:Kim,Hyeon Kyeong等,论文9.1: " A 57-in. Wide UXGA TFT-LCD for HDTV Application" ? SID 2004 International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV,Book I,pp. 106至109,但获得视频相容响应时间,特别是灰阶切 换,仍为尚未得到满意解决的问题。 该效应在电光显示器元件中的工业应用需要LC相,其必须满足多种要求。此处尤 为重要的是对水分、空气的化学耐受性和物理影响,例如热、红外线、可见光和紫外辐射以 及直流和交流电场。 此外,工业可用LC相需要在适合的温度范围和低粘度下具有液晶介晶相。 迄今公开的具有液晶介晶相的系列化合物均不包括符合全部这些要求的单一化 合物。因此,通常制备2-25种,优选3-18种化合物的混合物以获得可用作LC相的物质。然 而,还没有可能以该方式容易地制备最优相,因为目前还没有可用的具有显著介电负性各 向异性和适当长期稳定性的液晶材料。 已知矩阵液晶显示器(MLC显示器)。可用于单像素单切换的非线性元件为,例如, 有源元件(即晶体管)。因而使用术语"有源矩阵",其中可区分为以下两种类型: 1.位于硅晶片(作为基板)上的MOS (金属氧化物半导体)晶体管 2.位于玻璃板(作为基板)上的薄膜晶体管(TFT)。 在类型1的情况下,所用的电光效应通常为动态散射或宾主效应。使用单晶硅作 为基板材料限制了显示器的尺寸,因为多个分显示器的平滑模块化装配在接合处存在问 题。 在更加有希望的类型2 (其为优选的)的情况下,所用的电光效应通常为TN效应。 两种技术之间存在区别:包含化合物半导体(例如,CdSe)的TFT,或基于多晶或无 定形娃的TFT。后一技术正于全球范围内集中研发中。 TFT矩阵应用于显示器一个玻璃板的内侧,同时另一个玻璃板于其内侧携带透明 反电极。与像素电极的尺寸相比,TFT非常小并且几乎对影像无不利影响。该技术也可扩 展至全色功能显示器,其中红、绿和蓝色滤光器的镶嵌块以如此方式设置以致滤光器元件 相对于每个可切换像素。 此处术语MIC显示器覆盖了带有整体非线性元件的任意矩阵显示器,即除了有源 矩阵之外,也包括带有无源元件的显示器,例如变阻器或二极管(MIM =金属-绝缘体-金 属)。 该类型MLC显示器特别适用于TV应用(例如袖珍TV)或用于汽车或飞机构造中 的高信息显示器。除了关于对比度的角度依赖性和响应时间的问题之外,MLC显示器也会出 现因液晶混合物不够高的比电阻而产生的问题。本文档来自技高网...

【技术保护点】
基于极性化合物的混合物的液晶介质,特征在于其包含·至少一种式I的化合物,其中R1表示具有1‑15个C原子的烷基或烷氧基,其中此外,这些基团中的一个或多个CH2基团可各自彼此独立地被‑C≡C‑、‑CF2O‑、‑CH=CH‑、‑O‑、‑CO‑O‑、‑O‑CO‑以O原子不彼此直接连接的方式替代,和其中此外,一个或多个H原子可被卤素替代,L1、L2和L3各自彼此独立地表示H、F、Cl、CF3、CHF2或具有1‑5个碳原子的烷基,优选F或烷基,和m表示0、1、2、3、4、5或6,和·至少一种选自式IA至I‑K化合物的化合物,其中R1、R1*和R2各自彼此独立地表示具有1‑15个C原子的烷基或烷氧基,其中此外,这些基团中的一个或多个CH2基团可各自彼此独立地被‑C=C‑、‑CF2O‑、‑CH=CH‑、‑O‑、‑CO‑O‑、‑O‑CO‑以O原子不彼此直接连接的方式替代,和其中此外,一个或多个H原子可被卤素替代,a为0或1,L1和L2各自彼此独立地表示H、F、Cl、CF3或CHF2。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:G·阿切蒂M·克拉森梅默R·福特S·舍恩
申请(专利权)人:默克专利股份有限公司
类型:发明
国别省市:德国;DE

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1