液晶介质制造技术

本发明专利技术涉及包含至少一种式I化合物的液晶介质，其中R1和R1各自彼此独立地表示具有1-15个C原子的烷基或烷氧基，其中另外，这些基团中的一个或多个CH2基团可各自彼此独立地被-C≡C-、-CF2O-、-OCF2-、-CH＝CH-、-O-、-CO-O-、-O-CO-以O原子不彼此直接连接的方式替代，和其中另外，一个或多个H原子可被卤素替代，L1和L2各自彼此独立地表示F、Cl、CF3或CHF2，并涉及其用于有源矩阵显示器，特别是基于VA、PSA、PA-VA、SS-VA、SA-VA、PS-VA、PALC、IPS、PS-IPS、FFS或PS-FFS效应的显示器的用途。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及包含至少一种式I化合物的液晶介质， 其中R1和Rw各自彼此独立地表示具有1-15个C原子的烷基或烷氧基，其中另外，这 些基团中的一个或多个CH2基团可各自彼此独立地被-cEC-、-CF20-、-0CF2-、-CH=CH-、,-C0-0-、-0-C0-以0原子不彼此直接连接的方式替代，和其中另 外，一个或多个H原子可被卤素替代，L1和L2各自彼此独立地表示F、Cl、CF3或CHF2。 该类型介质可用于，特别是具有基于ECB效应的有源矩阵寻址的电光显示器和 IPS(面内切换）显示器或FFS(边缘场切换）显示器。
技术介绍
1971年，首次提出了电场控制双折射，即ECB效应或者即DAP(排列相变 形）效应的原理（M.F.SchieckelandK.Fahrenschon,"Deformationofnematic liquidcrystalswithverticalorientationinelectricalfields" ,Appl.Phys. Lett. 19(1971)，3912)。之后J.F.Kahn(Appl.Phys.Lett. 20(1972)，本文档来自技高网...

【技术保护点】
基于极性化合物的混合物的液晶介质，特征在于其包含至少一种式I化合物，其中R1和R1*各自彼此独立地表示具有1‑15个C原子的烷基或烷氧基，其中另外，这些基团中的一个或多个CH2基团可各自彼此独立地被‑C≡C‑、‑CF2O‑、‑OCF2‑、‑CH＝CH‑、‑O‑、‑CO‑O‑、‑O‑CO‑以O原子不彼此直接连接的方式替代，和其中另外，一个或多个H原子可被卤素替代，L1和L2各自彼此独立地表示F、Cl、CF3或CHF2。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：H·赫施曼，M·鲍尔，M·温德赫斯特，M·罗伊特，V·雷芬拉斯，
申请(专利权)人：默克专利股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE