一种晶化槽消音装置制造方法及图纸

技术编号:13026896 阅读:61 留言:0更新日期:2016-03-16 23:31
一种晶化槽消音装置,是由:晶化槽、消音器、吸音孔构成;晶化槽的内壁上均匀分布至少两个消音器,所述消音器上均匀分布至少十个吸音孔;在晶化过程中产生的噪音,大部分可被消音装置吸收,从而起到降低晶化合成过程中产生的噪音分贝,改善车间生产环境。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及晶化槽装置,尤其是一种晶化槽消音装置
技术介绍
分子筛原粉在合成过程中需要经过反应液配制、成胶、低温老化、高温晶化等步骤合成最终分子筛原粉成品。晶化过程温度一般为90-100°C,加热过程是通过蒸汽加热实现的。在加热过程中,会产生较大噪音,产生噪音污染,影响车间环境。 鉴于上述原因,现有晶化槽的结构需要改进。
技术实现思路
本技术的目的是为了克服现有技术中的不足,提供一种晶化槽消音装置,在晶化过程中产生的噪音,大部分可被消音装置吸收,从而起到降低晶化合成过程中产生的噪音分贝,改善车间生产环境。 本技术为了实现上述目的,采用如下技术方案:一种晶化槽消音装置,是由:晶化槽、消音器、吸音孔构成;晶化槽的内壁上均匀分布至少两个消音器,所述消音器上均勾分布至少十个吸音孔。 本技术的有益效果是:本技术在晶化槽内安装消音装置,在晶化过程中产生的噪音,大部分可被消音装置吸收,从而起到降低晶化合成过程中产生的噪音分贝,改善车间生产环境。本技术结构简单,操作方便,制造成本低,使用效果好,降低了生产成本,提高了生产效率,适合普遍推广应用。【附图说明】 下面结合附图对本技术作进一步说明:图1是,总装结构示意图;图1中:晶化槽1、消音器2、吸音孔3。【具体实施方式】 下面结合附图与【具体实施方式】对本技术作进一步详细说明: 如图所示,晶化槽1的内壁上均匀分布至少两个消音器2,所述消音器2上均匀分布至少十个吸音孔3。【主权项】1.一种晶化槽消音装置,是由:晶化槽(1)、消音器(2)、吸音孔(3)构成;其特征在于:晶化槽(1)的内壁上均匀分布至少两个消音器(2),所述消音器(2)上均匀分布至少十个吸首孔(3) D【专利摘要】一种晶化槽消音装置,是由:晶化槽、消音器、吸音孔构成;晶化槽的内壁上均匀分布至少两个消音器,所述消音器上均匀分布至少十个吸音孔;在晶化过程中产生的噪音,大部分可被消音装置吸收,从而起到降低晶化合成过程中产生的噪音分贝,改善车间生产环境。【IPC分类】C01B37/00, C01B39/00【公开号】CN205087930【申请号】CN201520776465【专利技术人】郑艳洁, 姬二昌 【申请人】洛阳建龙微纳新材料股份有限公司【公开日】2016年3月16日【申请日】2015年9月27日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶化槽消音装置,是由:晶化槽(1)、消音器(2)、吸音孔(3)构成;其特征在于:晶化槽(1)的内壁上均匀分布至少两个消音器(2),所述消音器(2)上均匀分布至少十个吸音孔(3)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:郑艳洁姬二昌
申请(专利权)人:洛阳建龙微纳新材料股份有限公司
类型:新型
国别省市:河南;41

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