本实用新型专利技术涉及一种电路，尤其涉及了一种准谐振反激电路，公开了一种组合式准谐振反激架构电路，包括多个准谐振反激电路模块，通过准谐振反激电路模块之间并联、串联或者交错并联，准谐振反激模块包括原边电路和副边电路，原边电路包括并联的变压器原边线圈和原边电容，还包括MOS管、缓冲电容，缓冲电容与变压器原边线圈串联，MOS管的D极与S极分别与缓冲电容的两端相连，本实用新型专利技术通过多个准谐振反激模块的自由组合，比如原边电路并联，副边串联以实现高升压比，可用于低压大电流输入场合；也可原边电路串、并联，副边电路串、并联以满足不同的升压要求和功率要求。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种电路，尤其涉及了一种准谐振反激电路。
技术介绍
现有技术中的准谐振反激模块电路如附图1所示，该电路适用于宽范围、较高升压比的场合，但由于变压器漏感、原边电流纹波等影响，单个电路一般输出功率在150W以下、升压比在20倍以下，即功率小，升压比不高，不能适应大功率的场合，同时准谐振反激模块电路的工作频率与脉宽调制信号中的占空比均受输出负载控制。
技术实现思路
本技术针对现有技术中单个的准谐振反激电路功率小，升压比不高的缺点，提供了一种组合式准谐振反激架构电路。为了解决上述技术问题，本技术通过下述技术方案得以解决:组合式准谐振反激架构电路，包括并联构架部分，并联构架部分包括第一输入端、第二输入端、第一输出端、第二输出端和2个以上的准谐振反激模块，准谐振反激模块包括原边电路和副边电路，原边电路包括并联的变压器原边线圈和原边电容，还包括M0S管、缓冲电容，缓冲电容与变压器原边线圈串联，M0S管的D极与S极分别与缓冲电容的两端相连，M0S管的D极连接在原边线圈与缓冲电容之间，原边电容的另一端与M0S管的S极相连，副边电路包括变压器副边线圈、整流二极管和滤波电容，变压器副边线圈与整流二极管串联后与滤波电容并联，原边电路的两端分别与第一输入端和第二输入端相连，副边电路的两端分别与第一输出端和第二输出端相连。作为优选，还包括串联构架部分，串联构架部分包括至少2个并联构架部分，并联构架部分中的第一输入端均相连，并联构架部分中的第二输入端均相连，前一个并联构架部分中的第二输出端与后一个并联构架部分中的第一输出端相连。作为优选，还包括串联构架部分，串联构架部分包括至少2个并联构架部分，前一个并联构架部分中的第二输入端与后一个并联构架部分中的第一输入端相连，前一个并联构架部分中的第二输出端与后一个并联构架部分中的第一输出端相连。作为优选，还包括控制器，控制器与M0S管的G极相连。设本技术中共有N个准谐振反激模块，每个准谐振反激模块的脉宽调制信号相位依次相差360/N度，实现了电压与电流纹波频率的倍频，同时极大地减小纹波电流、电压的有效值。每个准谐振反激模块的输出功率由于与变压器的输出功率的电感量有关，因此组合式准谐振反激架构电路中的每个准谐振反激模块的传送功率是基本相同的。本技术通过多个准谐振反激模块的自由组合，比如原边电路并联，副边串联以实现高升压比，可用于低压大电流输入场合；也可原边电路串、并联，副边电路串、并联以满足不同的升压要求和功率要求。 本技术以输入并联时准谐振反激，实现多个准谐振反激的交错并联。本技术中通过每个准谐振反激模块输入电流相位的控制，实现了交错并联的多相准谐振反激控制，从而减小了输入纹波电流，成倍地提升上系统纹波频率，对系统可靠性和寿命、电磁干扰和发射、负载动态响应等方面性能均有很高的提升。【附图说明】图1是
技术介绍
的电路原理图。图2是实施例1中的电路原理图。图3是实施例2中的电路原理图。图4是实施例3中的电路原理图。【具体实施方式】下面结合附图与实施例对本技术作进一步详细描述。实施例1组合式准谐振反激架构电路，如图2所示，包括第一输入端V1、第二输入端V2、第一输出端V3、第二输出端V4、2个准谐振反激模块，第一个准谐振反激模块包括原边电路和副边电路，原边电路包括并联的变压器T11的变压器原边线圈和原边电容C11，还包括M0S管Q11、缓冲电容C13，缓冲电容C13与变压器原边线圈串联，M0S管Q11的D极与S极分别与缓冲电容C13的两端相连，M0S管Q11的D极连接在原边线圈与缓冲电容C13之间，原边电容C11的另一端与M0S管Q11的S极相连，副边电路包括变压器T11的变压器副边线圈、整流二极管Dl 1和滤波电容C15，变压器副边线圈与整流二极管Dl 1串联后的整体与滤波电容C15并联。第二个准谐振反激模块的结构同第一个准谐振反激模块，第二个准谐振反激模块包括变压器T12、M0S管Q12、原边电容C12、缓冲电容C14、整流二极管D12、滤波电容C16。第一个准谐振反激模块、第二个准谐振反激模块的原边电路的两端均分别与第一输入端和第二输入端相连，两个准谐振反激模块副边电路的两端分别与第一输出端和第二输出端相连，g卩，第一个准谐振反激模块与第二个准谐振反激模块的原边电路并联、副边电路并联。还包括控制器，控制器与M0S管的G极相连。采用原边电路2个并联，副边电路2个并连后串联的结构输出功率可达2倍于图1即
技术介绍
中的单个的准谐振反激模块。实施例2与实施例1相同，所不同的是准谐振反激模块的数量为4个，如图3所示，输出功率可达4倍于图1即
技术介绍
中的单个的准谐振反激模块。实施例3如图4所示，其中共有4个准谐振反激模块，4个准谐振反激模块的原边电路均并联，4个副边电路中，两两并联后再串联起来。采用原边电路4个并联，副边电路两个并连后串联的结构输出功率可达4倍于图1即
技术介绍
中的单个的准谐振反激模块，同时升压比为图1单个准谐振反激模块的2倍。总之，以上所述仅为本技术的较佳实施例，凡依本技术申请专利范围所作的均等变化与修饰，皆应属本技术专利的涵盖范围。【主权项】1.组合式准谐振反激架构电路，其特征在于:包括并联构架部分，并联构架部分包括第一输入端、第二输入端、第一输出端、第二输出端和2个以上的准谐振反激模块，准谐振反激模块包括原边电路和副边电路，原边电路包括并联的变压器原边线圈和原边电容，还包括MOS管、缓冲电容，缓冲电容与变压器原边线圈串联，MOS管的D极与S极分别与缓冲电容的两端相连，MOS管的D极连接在原边线圈与缓冲电容之间，原边电容的另一端与MOS管的S极相连，副边电路包括变压器副边线圈、整流二极管和滤波电容，变压器副边线圈与整流二极管串联后与滤波电容并联，原边电路的两端分别与第一输入端和第二输入端相连，副边电路的两端分别与第一输出端和第二输出端相连。2.根据权利要求1所述的组合式准谐振反激架构电路，其特征在于:还包括串联构架部分，串联构架部分包括至少2个并联构架部分，并联构架部分中的第一输入端均相连，并联构架部分中的第二输入端均相连，前一个并联构架部分中的第二输出端与后一个并联构架部分中的第一输出端相连。3.根据权利要求1所述的组合式准谐振反激架构电路，其特征在于:还包括串联构架部分，串联构架部分包括至少2个并联构架部分，前一个并联构架部分中的第二输入端与后一个并联构架部分中的第一输入端相连，前一个并联构架部分中的第二输出端与后一个并联构架部分中的第一输出端相连。4.根据权利要求1所述的组合式准谐振反激架构电路，其特征在于:还包括控制器，控制器与MOS管的G极相连。【专利摘要】本技术涉及一种电路，尤其涉及了一种准谐振反激电路，公开了一种组合式准谐振反激架构电路，包括多个准谐振反激电路模块，通过准谐振反激电路模块之间并联、串联或者交错并联，准谐振反激模块包括原边电路和副边电路，原边电路包括并联的变压器原边线圈和原边电容，还包括MOS管、缓冲电容，缓冲电容与变压器原边线圈串联，MOS管的D极与S极分别与缓冲电容的两端相连，本技术通过多个准谐振反激模块的自由组合，比如原边电路并联，副边串联以实现高升压比本文档来自技高网...
【技术保护点】
组合式准谐振反激架构电路，其特征在于：包括并联构架部分，并联构架部分包括第一输入端、第二输入端、第一输出端、第二输出端和2个以上的准谐振反激模块，准谐振反激模块包括原边电路和副边电路，原边电路包括并联的变压器原边线圈和原边电容，还包括MOS管、缓冲电容，缓冲电容与变压器原边线圈串联，MOS管的D极与S极分别与缓冲电容的两端相连，MOS管的D极连接在原边线圈与缓冲电容之间，原边电容的另一端与MOS管的S极相连，副边电路包括变压器副边线圈、整流二极管和滤波电容，变压器副边线圈与整流二极管串联后与滤波电容并联，原边电路的两端分别与第一输入端和第二输入端相连，副边电路的两端分别与第一输出端和第二输出端相连。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：简化军，梁军，
申请(专利权)人：杭州奥能电源设备股份有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33
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