多充电接口直流充电桩制造技术

技术编号:11531291 阅读:86 留言:0更新日期:2015-06-01 02:11
本实用新型专利技术涉及一种充电设备,尤其涉及了一种电动汽车充电设备。公开了一种多充电接口直流充电桩,包括监控单元、多个充电模块和多个充电接口,每个充电模块的输出端并联有多个MOSFET管,每个充电模块的输出端并联的MOSFET管数量与充电接口的数量相同,每个MOSFET管均正向连接有一个二极管,二极管的负极分别连接不同的充电接口,所有MOSFET管的G极分别连接控制板,控制板、充电接口和充电模块分别与监控单元相连,所有的MOSFET管、二极管和控制板组成能量分配器。本实用新型专利技术通过设置能量分配器,能根据实际情况进行动态的多路接口能量调节,使得装置中的充电模块高效率的工作。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种充电设备,尤其涉及了一种电动汽车充电设备。
技术介绍
随着我国节能减排政策的推进,电动汽车的数量将会越来越多。目前电动汽车通常采用整车充电和汽车电池换电充的方法。汽车电池换电充,需要配备电池换装机器人,因此存在设备多、管理难度大、占地面积大等弊端。采用整车充电是目前行业比较多的充电方式,但仍然存在一些问题,由于充电时间长、一台车就得配一台充电设备和一个充电工位,因此也存在充电设备数量多、占地面积大的弊端。采用多充电接口直流充电装置的充电设备可以大大减小充电设备和占地面积,但目前行业采用的多充电接口整车充电粧多是分组方法如图2所示,并没有正真实现充电设备的能量动态分配,只是少了一个充电粧,整流设备的容量并没有真正减少。
技术实现思路
本技术针对现有技术中固定分组的缺陷,提供了一种具有能量动态调节功能的多充电接口直流充电粧。为了解决上述技术问题,本技术通过下述技术方案得以解决:MOSFET管,即金属-氧化物半导体场效应晶体管,包括G极(栅极)、S极(源极)及D极(漏极)。在G极和S极之间加正电压VGS及在D极和S极之间加正电压VDS,则在D极和S极间产生正向工作电流I。改变电压VGS可控制工作电流I。多充电接口直流充电粧,包括监控单元、多个充电模块和多个充电接口,每个充电模块的输出端并联有多个MOSFET管,每个充电模块的输出端并联的MOSFET管数量与充电接口的数量相同,每个MOSFET管均正向连接有一个二极管,二极管的负极分别连接不同的充电接口,所有MOSFET管的G极分别连接控制板,控制板对MOSFET管起到控制作用,控制板、充电接口和充电模块分别与监控单元相连,所有的MOSFET管、二极管和控制板组成能量分配器。充电模块与能量分配器中MOSFET管的D极连接,MOSFET管的S极连接二极管正极。根据监控单元实际的获取各个充电输出接口的电流、电压参数,监控单元与能量分配器通信,控制板控制相应的MOSFET管完成充电模块的输出端口与充电接口之间的切换,使得输出接口能够动态分配功率。MOSFET管后连接的二极管可以防止当电池电压高于充电模块时,经由MOSFET管发生能量回流,无法控制,损坏充电粧。作为优选,监控单元和充电接口之间、监控单元和能量分配器之间用RS485通信网络相连,充电模块和监控单元之间用CAN总线连接。CAN总线和RS485通信网络通用性强,且较为成熟和可靠。本技术由于采用了以上技术方案,具有显著的技术效果:该充电装置通过设置能量分配器,能根据实际情况进行动态的多路接口能量调节,使得装置中的充电模块高效率的工作,大大减小设备的体积和成本,根据各充电接口的实际情况动态分配能量,实现快速充电的目的。【附图说明】图1是本技术的方框图。图2是传统多充电接口整车充电粧方框图。附图中各数字标号所指代的部位名称如下:Q1、Q2、Q3……Qa、Qb—MOSFET管,Dl、D2、D3......Da、Db—二极管。【具体实施方式】下面结合附图与实施例对本技术作进一步详细描述。实施例1MOSFET管,即金属-氧化物半导体场效应晶体管,包括G极(栅极)、S极(源极)及D极(漏极)。在G极和S极之间加正电压VGS及在D极和S极之间加正电压VDS,则在D极和S极间产生正向工作电流I。改变电压VGS可控制工作电流I。多充电接口直流充电粧,包括监控单元、多个充电模块和充电接口 A、B,每个充电模块的输出端并联有2个MOSFET管,每个充电模块的输出端并联的MOSFET管数量与充电接口的数量同为2个,每个MOSFET管均正向连接有一个二极管,二极管的负极分别连接不同的充电接口,所有MOSFET管的G极分别连接控制板,控制板对MOSFET管起到控制作用,控制板、充电接口和充电模块分别与监控单元相连,所有的MOSFET管、二极管和控制板组成能量分配器。充电模块与能量分配器中MOSFET管的D极连接,MOSFET管的S极连接二极管正极。根据监控单元实际的获取两个充电接口的电流、电压参数,监控单元与能量分配器通信,控制板控制相应的MOSFET管完成充电模块的输出端口与充电接口之间的切换,使得输出接口能够动态分配功率。MOSFET管后连接的二极管可以防止当电池电压高于充电模块时,经由MOSFET管发生能量回流,无法控制,损坏充电粧。作为优选,监控单元和充电接口 A、充电接口 B之间、监控单元和能量分配器之间用RS485通信网络相连,充电模块和监控单元之间用CAN总线连接。CAN总线和RS485通信网络通用性强,且较为成熟和可靠。本技术由于采用了以上技术方案,具有显著的技术效果:该充电装置通过设置能量分配器,能根据实际情况进行动态的多路接口能量调节,使得装置中的充电模块高效率的工作,大大减小设备的体积和成本,根据各充电接口的实际情况动态分配能量,实现快速充电的目的。总之,以上所述仅为本技术的较佳实施例,凡依本技术申请专利范围所作的均等变化与修饰,皆应属本技术专利的涵盖范围。【主权项】1.多充电接口直流充电粧,包括监控单元、多个充电模块和多个充电接口,其特征在于:每个充电模块的输出端并联有多个MOSFET管,每个充电模块的输出端并联的MOSFET管数量与充电接口的数量相同,每个MOSFET管均正向连接有一个二极管,二极管的负极分别连接不同的充电接口,所有MOSFET管的G极分别连接控制板,控制板对MOSFET管起到控制作用,控制板、充电接口和充电模块分别与监控单元相连,所有的MOSFET管、二极管和控制板组成能量分配器。2.根据权利要求1所述的多充电接口直流充电粧,其特征在于:监控单元和充电接口之间、监控单元和能量分配器之间用RS485通信网络相连,充电模块和监控单元之间用CAN总线连接。【专利摘要】本技术涉及一种充电设备,尤其涉及了一种电动汽车充电设备。公开了一种多充电接口直流充电桩,包括监控单元、多个充电模块和多个充电接口,每个充电模块的输出端并联有多个MOSFET管,每个充电模块的输出端并联的MOSFET管数量与充电接口的数量相同,每个MOSFET管均正向连接有一个二极管,二极管的负极分别连接不同的充电接口,所有MOSFET管的G极分别连接控制板,控制板、充电接口和充电模块分别与监控单元相连,所有的MOSFET管、二极管和控制板组成能量分配器。本技术通过设置能量分配器,能根据实际情况进行动态的多路接口能量调节,使得装置中的充电模块高效率的工作。【IPC分类】H02J7-00【公开号】CN204361735【申请号】CN201520009689【专利技术人】汪维玉, 陈虹, 吴正元 【申请人】杭州奥能电源设备股份有限公司【公开日】2015年5月27日【申请日】2015年1月7日本文档来自技高网...

【技术保护点】
多充电接口直流充电桩,包括监控单元、多个充电模块和多个充电接口,其特征在于:每个充电模块的输出端并联有多个MOSFET管,每个充电模块的输出端并联的MOSFET管数量与充电接口的数量相同,每个MOSFET管均正向连接有一个二极管,二极管的负极分别连接不同的充电接口,所有MOSFET管的G极分别连接控制板,控制板对MOSFET管起到控制作用,控制板、充电接口和充电模块分别与监控单元相连,所有的MOSFET管、二极管和控制板组成能量分配器。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:汪维玉陈虹吴正元
申请(专利权)人:杭州奥能电源设备股份有限公司
类型:新型
国别省市:浙江;33

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