【技术实现步骤摘要】
本专利技术设及一种高阶皿I板的制作方法改进技术。
技术介绍
现有的皿I板生产中，对于板之间的对位一般有如下两种方式。一种为传统多层 板的对位方式，该方式钻孔为机械钻孔，采用压合后x-ray3. 175mm祀孔定位，在图形转移 时，采用X-ray3. 175mm祀孔或者机械钻孔2.Omm工具孔。另一种为采用激光钻孔，采用压 合后X-ray3. 175mm祀孔定位及MASK点对位，图形转移采用X-ray3. 175mm祀孔或者机械钻 孔2.Omm工具孔。 W上两种对位方式由于加上机台精度存在偏差，整体的偏移度在0. 15mm-0. 2mm 之间，对单边ring在4milW下无法生产，对高阶皿I板及任意层互联（An^ayer)更精密 线路、Pad、ring满足不了要求。
技术实现思路
针对上述现有技术的问题和不足，本专利技术要解决的技术问题是提供一种对位精确 度高的高阶皿I板对位方法。 为了解决上述问题，本专利技术所采用如下方式实现： 一种高阶皿I板对位方法，该方法包括如下步骤： 预先在内层图形转移时在内层设计相对应的PAD; W该内层的PAD为基准，在表层激光烧蚀出内层PAD祀标，W及生产成型区内的盲孔； 图形转移时，在激光钻孔加工时在板边设计多个激光环定位，采用LDI曝光机通过纯 盲孔进行对位。 其中，激光钻孔根据x-ray祀孔预定位。 其中，每个激光环由多颗小盲孔环绕组成。[000引且，所述的激光环为四个，分布于板边四角，每个激光环由12颗0. 2mm盲孔组成。 本专利技术激光钻孔采用内层pad对位及图形转移采用纯盲孔对位方式，对位精度 高...
【技术保护点】
一种高阶HDI板对位方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：预先在内层图形转移时在内层设计相对应的PAD；以该内层的PAD为基准，在表层激光烧蚀出内层PAD靶标，以及生产成型区内的盲孔；图形转移时，在激光钻孔加工时在板边设计多个激光环定位，采用LDI曝光机通过纯盲孔进行对位。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王平，张晃初，曾祥福，
申请(专利权)人：胜宏科技惠州股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。