复合层结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种复合层结构及其制造方法，其可用于声电器件中，所述复合层结构包括上基层及与所述上基层相对的下基层，从所述上基层至所述下基层，依次包括第一绝缘层、结构层、四乙氧基硅烷层及第二绝缘层。本发明专利技术复合层结构可在较低的温度下进行退火处理，且能达到良好的结合效果。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】
本专利技术涉及一种，尤其涉及应用于声电器件中的。【
技术介绍
】目前，在一些声学元件中，复合层结构中氧化物与氧化物绝缘层之间结合通常需要在超过1000°c的温度中进行退火处理，才能形成良好的固定。然而，在市场中，比较倾向于使用较低的温度进行退火处理，但是直接在较低的温度中进行退火处理，氧化物与氧化物之间的结合效果并不理想，现有技术中，为了能够实现在较低的温度中进行退火处理，会在需要结合的氧化物表面进行等离子处理，如此，制作工艺便较为繁琐。因此，有必要提供一种新的复合层结构来克服上述缺点。【
技术实现思路
】本专利技术的目的在于提供一种具有良好结合效果的复合层结构。为实现上述目的，本专利技术可采用如下技术方案:一种复合层结构，其可用于声电器件中，所述复合层结构包括上基层及与所述上基层相对的下基层，从所述上基层至所述下基层，依次包括第一绝缘层、结构层、四乙氧基硅烷层及第二绝缘层。优选的，所述第一绝缘层及第二绝缘层由氧化硅材料制成。优选的，所述结构层由多晶硅材料制成。优选的，所述四乙氧基硅烷层是以四乙氧基硅烷为原料的氧化层。优选的，所述第一绝缘层及第二绝缘层的厚度均大于所述四乙氧基硅烷层的厚度。同时，本专利技术还提供了一种制造复合层结构的方法，所述方法包括如下步骤:步骤S1，提供上基层及与所述上基层相对的下基层，在所述上基层的下方沉积第一绝缘层，在所述下基层的上方沉积第二绝缘层；步骤S2，在所述第一绝缘层的下方沉积结构层；步骤S3，在所述结构层的下方沉积四乙氧基硅烷层；步骤S4，将上基层下方的四乙氧基硅烷层与下基层上方的第二绝缘层压合形成复合层结构；步骤S5，将上述复合层结构进行退火处理。优选的，退火处理的温度为700?900 °C。优选的，所述第一绝缘层及第二绝缘层由氧化硅材料制成。优选的，所述结构层由多晶硅材料制成。优选的，所述四乙氧基硅烷层是以四乙氧基硅烷为原料的氧化层。与相关技术的复合层结构相比较，本专利技术具有以下优点:本专利技术的复合层结构由于增加了四乙氧基硅烷层，使得该复合层结构可在较低的温度的范围内进行退火处理以实现良好的结合，且结构层上的内应力可以保持在较为均衡的范围内，同时可以根据不同的退火温度调节结构层上的内应力。【【附图说明】】图1为本专利技术复合层结构的结构示意图。【【具体实施方式】】下面结合附图，对本专利技术复合层结构作详细说明。本专利技术复合层结构100可以用于声电器件上，例如，MEMS麦克风、扬声器或其他设备。如图1所示，本专利技术的复合层结构100，其包括上基层11及与所述上基层11相对的下基层12，从所述上基层11至所述下基层12，依次包括第一绝缘层21、结构层3、四乙氧基硅烷层4及第二绝缘层22。所述第一绝缘层21及第二绝缘层22由氧化硅材料制成，所述结构层3由多晶硅材料制成，所述四乙氧基娃烧层4是以四乙氧基娃烧(TEOS:Tetraethyl Orthosilicate,化学式:Si (0C2H5)4)为原料的氧化层，所述第一绝缘层21及第二绝缘层33的厚度均大于所述四乙氧基硅烷层4的厚度。由于四乙氧基硅烷层4中含有较多的悬挂键，只需要较少的能量便可轻易使悬挂键解离，因此，无需增加其他工艺步骤或者设备，本专利技术便可在较低的温度下实现氧化物与氧化物之间的良好结合。本专利技术还提供了一种制造复合层结构100的方法，所述方法包括如下步骤:首先，提供上基层11及与所述上基层11相对的下基层12，在所述上基层11的下方沉积第一绝缘层21，在所述下基层12的上方沉积第二绝缘层22 ;其次，在所述第一绝缘层21的下方沉积结构层3 ;然后，在所述结构层3的下方沉积四乙氧基硅烷层4 ;然后，将上基层11下方的四乙氧基硅烷层4与下基层12上方的第二绝缘层22的表面进行一些预处理，包括清洗等步骤，再将四乙氧基硅烷层4与第二绝缘层22压合形成复合层结构100 ;最后，将上述复合层结构100进行退火处理以实现整个复合层结构100的固定，其中，退火处理的温度为700?900。。。本专利技术的复合层结构100可在较低的温度的范围内进行退火处理以实现氧化物与氧化物之间良好的结合，使得结构层3上的内应力可以保持在较为均衡的范围内，同时可以根据不同产品的需求选择不同的退火温度来调节结构层3上的内应力。以上所述仅为本专利技术的较佳实施方式，本专利技术的保护范围并不以上述实施方式为限，但凡本领域普通技术人员根据本专利技术所揭示内容所作的等效修饰或变化，皆应纳入权利要求书中记载的保护范围内。【主权项】1.一种复合层结构，其可用于声电器件中，所述复合层结构包括上基层及与所述上基层相对的下基层，其特征在于:从所述上基层至所述下基层，依次包括第一绝缘层、结构层、四乙氧基硅烷层及第二绝缘层。2.根据权利要求1所述的复合层结构，其特征在于:所述第一绝缘层及第二绝缘层由氧化娃材料制成。3.根据权利要求1所述的复合层结构，其特征在于:所述结构层由多晶硅材料制成。4.根据权利要求1所述的复合层结构，其特征在于:所述四乙氧基硅烷层是以四乙氧基硅烷为原料的氧化层。5.根据权利要求1所述的复合层结构，其特征在于:所述第一绝缘层及第二绝缘层的厚度均大于所述四乙氧基硅烷层的厚度。6.一种制造复合层结构的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤: 步骤S1，提供上基层及与所述上基层相对的下基层，在所述上基层的下方沉积第一绝缘层，在所述下基层的上方沉积第二绝缘层； 步骤S2，在所述第一绝缘层的下方沉积结构层； 步骤S3，在所述结构层的下方沉积四乙氧基硅烷层； 步骤S4，将上基层下方的四乙氧基硅烷层与下基层上方的第二绝缘层压合形成复合层结构； 步骤S5，将上述复合层结构进行退火处理。7.根据权利要求6所述的制造复合层结构的方法，其特征在于:退火处理的温度为700 ?900。。。8.根据权利要求6所述的制造复合层结构的方法，其特征在于:所述第一绝缘层及第二绝缘层由氧化硅材料制成。9.根据权利要求6所述的制造复合层结构的方法，其特征在于:所述结构层由多晶硅材料制成。10.根据权利要求6所述的制造复合层结构的方法，其特征在于:所述四乙氧基硅烷层是以四乙氧基硅烷为原料的氧化层。【专利摘要】本专利技术公开了一种，其可用于声电器件中，所述复合层结构包括上基层及与所述上基层相对的下基层，从所述上基层至所述下基层，依次包括第一绝缘层、结构层、四乙氧基硅烷层及第二绝缘层。本专利技术复合层结构可在较低的温度下进行退火处理，且能达到良好的结合效果。【IPC分类】H04R7/12, H04R7/10, H04R31/00【公开号】CN105392089【申请号】CN201510884292【专利技术人】吳伟昌, 吳宛玲, 吕丽英, 钟晓辉, 林义雄, 黎家健 【申请人】瑞声声学科技(深圳)有限公司【公开日】2016年3月9日【申请日】2015年12月3日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种复合层结构，其可用于声电器件中，所述复合层结构包括上基层及与所述上基层相对的下基层，其特征在于：从所述上基层至所述下基层，依次包括第一绝缘层、结构层、四乙氧基硅烷层及第二绝缘层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吳伟昌，吳宛玲，吕丽英，钟晓辉，林义雄，黎家健，
申请(专利权)人：瑞声声学科技深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44