【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电子材料
,特别涉及一种高导热绝缘复合材料的制备方法。
技术介绍
随着当前信息化产业的快速发展,电子产品呈现出轻薄化、小型化、数字化、多功能化和网络化的发展趋势,迫切需要各种新型电子材料来满足电子元件的设计和制造要求。比如,以碳化硅和氮化镓等材料为代表的三代半导体技术革命,极大地促进了LED照明、电力电子等行业的繁荣与发展,但这一类电子器件往往具有很高的功率,发热严重,并且集成设计要求更加紧凑,因此用于基板、封装体、覆铜基材以及导热粘合剂的电子材料的散热问题成为当今电子制造行业领域的关键课题之一。导电材料通常具有良好的导热性能,特别是石墨烯,其热导系数为5300W/m·K,远远高于银、铜、金刚石和碳纳米管等材料,但是其导电性限制了该类材料的应用范围;无机非金属同时具有优良的导热性和绝缘性,但是其制备困难,成本高昂,可弯折性差,同样限制了其应用范围;高分子高分子聚合物易于加工、成本低廉,且具有良好的韧性,但是其导热系数很低,应用为电子材料时,产品的性能也受到极大的限制。基于以上所述,当前市场上主流的电子材料的热导率仍然偏低,通常为0.5~6.0W/m·K之间,工作温度上限一般为200℃。其中主要的原因就在于这些用作电子材料的复合体系材料的配方与制备方法仍有待优化,因此,如何保证复合材料绝缘性的同时提高其热导率仍然具有非常重要的现实意义。
技术实现思路
本专利技术提供一种高导热绝缘复合材料的制 ...
【技术保护点】
一种高导热绝缘复合材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:S1、对无机填料进行前处理,使得极性硅烷基团完全覆盖所述无机填料表面,以得到改性的无机填料;S2、表面修饰石墨烯,使得极性硅烷基团完全覆盖所述石墨烯表面,以得到改性的还原的石墨烯;S3、预先对高分子聚合物进行溶解,将所述高分子聚合物和步骤S1所得的改性的无机填料、步骤S2所得的改性的还原的石墨烯共混,搅拌均匀;S4、将步骤S3共混所得物料先预固化预成型处理,再固化成型处理,得到高导热绝缘复合材料。
【技术特征摘要】
1.一种高导热绝缘复合材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1、对无机填料进行前处理,使得极性硅烷基团完全覆盖所述无机填料表面,以得到改性
的无机填料;
S2、表面修饰石墨烯,使得极性硅烷基团完全覆盖所述石墨烯表面,以得到改性的还原的
石墨烯;
S3、预先对高分子聚合物进行溶解,将所述高分子聚合物和步骤S1所得的改性的无机填
料、步骤S2所得的改性的还原的石墨烯共混,搅拌均匀;
S4、将步骤S3共混所得物料先预固化预成型处理,再固化成型处理,得到高导热绝缘复
合材料。
2.根据权利要求1所述的高导热绝缘复合材料的制备方法,其特征在于:步骤S3中还加入
分散剂防沉降剂。
3.根据权利要求1所述的高导热绝缘复合材料的制备方法,其特征在于:所述无机填料为氮
化铝、氮化镓、氮化硅、碳化硅、氧化铝和氮化硼中的一种或两种以上的混合。
4.根据权利要求1所述的高导热绝缘复合材料的制备方法,其特征在于:所述高分子聚合物
是聚酰亚胺、环氧树脂和固化剂的组合物、或者聚偏氟乙烯。
5.根据权利要求1~4中任意一项所述的高导热绝缘复合材料的制备方法,其特征在于,在
所述步骤S1中,所述前处理的方法具体为:
a、称取无机填料粉体,按照1g无机填料粉体对应10mL无水乙醇的比例与无水乙醇混
合后,在30~60℃下超声搅拌均匀,得到无机填料悬浊液;
b、按照1g无机填料对应0.01~0.02g的比例称量硅烷偶联剂,加入所述无机填料悬浊液,
在40~60℃下搅拌均匀后进行固液分离,将得到的固体产物洗涤、干燥,得到改性的
无机填料。
6.根据权利要求1~4中任意一项所述的高导热绝缘复合材料的制备方法,其特征在于,在
所述步骤S2中,所述表面修饰石墨烯的方法具体为:
a、按照1g无机填料对应0.1~0.3g的比例称量石墨烯,并以1g石墨烯对应1L去离子水
的比例溶于去离子水中,超声搅拌,使得所述石墨烯剥离并均匀分散在溶液中;
b、按照1g石墨烯对应0.8mL水合肼的比例、1g石墨烯对应3.5mL氨水的比例分别称
量水合肼和氨水,加入所述石墨烯的水溶液中,搅拌均匀后升温至95℃,反应2h后
固液分离,将得到的固体产物干燥,获得还原的石墨烯;
c、将所述还原的石墨烯溶于硅烷偶联剂中,在冰浴条件下超声搅拌,使得所述还原的石
墨烯均匀分散于硅烷偶联剂中,再加入催化剂,在75℃下搅拌反应12h后进行固液
分离,将得到的固体产物干燥,获得改性的还原的石墨烯。<...
【专利技术属性】
技术研发人员:张仕通,王锋伟,崔成强,
申请(专利权)人:安捷利番禺电子实业有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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