本发明专利技术公开了一种TiN/TiO2核壳纳米线阵列及其制备方法。该材料是以TiN纳米线为骨架，在TiN纳米线表面生长TiO2颗粒，形成核壳结构的纳米线阵列。制备过程为：将钛片先依次在NaOH溶液中进行水热反应、酸交换、NH3气氛中高温热处理，得到TiN纳米线阵列；然后将上述TiN纳米线阵列在TiF4或TiCl4水溶液中反应，最终得到TiN/TiO2核壳纳米线阵列。所得到的TiN/TiO2核壳纳米线阵列可提高TiO2电极整体的电导率和电化学活性，核壳结构的纳米线阵列作为锂离子电池负极时，还可大幅减小TiO2脱嵌锂时电子和锂离子所需的传输距离，进而提高其电化学性能。可用于锂离子电池和光催化等领域。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种TiN/T1jS壳纳米线阵列及其制备方法，可应用于能量存储和能量转换领域。
技术介绍
纳米结构1102在能量存储和能量转换等领域具有潜在的应用前景，但其作为锂离子电池负极材料时，Ti02的低电导率(例如锐钛矿Ti02的电导率只有5.6X10 8 S/cm左右，Xiaodong Yan, et al, Energy Technology, 2015, 3, 801-814)影响了裡离子电池的电化学性能。为此，有必要研究制备高性能的打02锂离子电池负极材料。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种具有良好电化学性能的TiN/Ti02。本专利技术的TiN/Ti02核壳纳米线阵列，以TiN纳米线为骨架，在TiN纳米线表面生长有Ti02颗粒，形成核壳结构的纳米线阵列。TiN/Ti02核壳纳米线阵列的制备方法，其步骤如下: 1)将清洗干净的钛片置于浓度为1.25 Μ的NaOH溶液中，在水热环境下于220 °C反应20小时，得到钛酸钠纳米线阵列； 2)将上述钛酸钠纳米线阵列在pH值为1的盐酸溶液中浸泡40min以上，进行质子交换反应，得到钛酸纳米线阵列； 3)将上述钛酸纳米线阵列在流量为200mL/min的順3气氛中于800 °C热处理1小时，得到TiN纳米线； 4)将上述TiN纳米线置于浓度为0.04Μ的TiF4S液中于60 °C反应40~180 min，或置于浓度为0.04 M~0.4 Μ的11(:14溶液中于60 °C反应30 min，得到TiN/T1 2核壳纳米线阵列。本发的有益效果在于: TiN具有高熔点、高硬度、稳定性好、电导率高(其电导率为4X104 S/cm左右，PengChen, et al, Journal of Materials Chemistry C, 2015, 3, 7272)等优点。本专利技术以导电性较好的TiN纳米线作为导电骨架，在TiN纳米线阵列表面生长覆盖Ti02颗粒，可提高Ti02电极整体的电导率和电化学活性，核壳结构的纳米线阵列作为锂离子电池负极时，还可大幅减小Ti02脱嵌锂时电子和锂离子所需的传输距离，进而提高其电化学性能。【附图说明】图1为实施例1制备的TiN纳米线阵列的扫描电子显微镜照片； 图2为实施例1制备的TiN/Ti02核壳纳米线阵列的X射线衍射图谱； 图3为实施例1制备的TiN/Ti02核壳纳米线阵列的扫描电子显微镜照片； 图4为实施例1制备的TiN/Ti02核壳纳米线阵列的能谱面分布照片，其中，a图为扫描透射电镜照片，b图为Ti元素的能谱面分布图，c图为N元素的能谱面分布图，d图为0元素的能谱面分布图； 图5为实施例1制备的TiN/Ti02核壳纳米线阵列的外壳层的Ti02的高分辨透射电子显微镜照片； 图6为实施例2制备的TiN/Ti02核壳纳米线阵列的扫描电子显微镜照片； 图7为实施例3制备的TiN/Ti02核壳纳米线阵列的扫描电子显微镜照片； 图8为实施例4制备的TiN/Ti02核壳纳米线阵列的扫描电子显微镜照片； 图9为实施例5制备的TiN/Ti02核壳纳米线阵列的扫描电子显微镜照片； 图10为实施例1制备的TiN/T1jS壳纳米线阵列薄膜在0.11 mA/cm2的面电流密度下的锂电池循环性能曲线； 图11为实施例1制备的TiN/T1jS壳纳米线阵列薄膜在1 mA/cm2的面电流密度下的锂电池循环性能曲线。【具体实施方式】以下结合实施例进一步阐述本专利技术，但本专利技术不仅仅局限于下述实施例。实施例1 将面积为2.5X2.5 cm2的清洗干净的钛片置于35 mL浓度为1.25 Μ的NaOH溶液中，在水热环境下220 °C反应20小时，得到钛酸钠纳米线阵列；将上述钛酸钠纳米线阵列在pH值为1的盐酸中浸泡40 min，将浸泡过程重复三次(每次在新更换的pH值为1的盐酸中浸泡40 min)，得到钛酸纳米线阵列；将上述钛酸纳米线阵列在流量为200 mL/min的见13中于800 °C热处理1小时，得到TiN纳米线；将上述TiN纳米线置于15 mL浓度为0.04 Μ的TiF4溶液中，于60 °C反应180 min，得到TiN/T1 2核壳纳米线阵列。图1为得到TiN纳米线的场发射扫描电子显微镜照片，可以看出其具有纳米线阵列结构。图2为本例制得产物的X射线衍射图谱，经与标准卡片对照可知，所得产物的物相为TiN、Ti02&及来自基底的Ti。图3为所获得的TiN/T1j^扫描电子显微镜照片，可以看到产物具有纳米线阵列结构。图4为本例所制备的TiN/Ti02核壳纳米线阵列的T1、N、0元素的能谱面分布照片，可以看出，N元素集中分布在纳米线的中心部分，即中心部分为TiN，TiN外层的包覆了一层Ti02 (壳层)，所以所制备的11~1102具有核壳纳米线结构。图5为所制备的TiN/Ti02核壳纳米线阵列的外壳层的高分辨透射电子显微镜照片，可以看到其晶面间距为0.35 nm，对应于1102锐钛矿的(101)晶面，进一步说明该核壳纳米线的外层(壳层)为Ti02。实施例2 将面积为2.5X2.5 cm2的清洗干净的钛片置于浓度为1.25 Μ的NaOH溶液中，在水热环境下220 °C反应20小时，得到钛酸钠纳米线阵列；将上述钛酸钠纳米线阵列在pH值为1的盐酸中浸泡40 min，将浸泡过程重复三次，得到钛酸纳米线阵列；将上述钛酸纳米线阵列在流量为200 mL/min的順3中于800 °C热处理1小时，得到TiN纳米线；取面积为1 X 1cm2的上述TiN纳米线置于5 mL浓度为0.04 Μ的TiF 4溶液中，于60 °C反应40 min，得到TiN/Ti02核壳纳米线阵列。本例所获得的TiN/T1 2的扫描电子显微镜照片如图6所示。实施例3 将面积为2.5X2.5 cm2的清洗干净的钛片置于浓度为1.25 Μ的NaOH溶液中，在水热环境下220 °C反应20小时，得到钛酸钠纳米线阵列；将上述钛酸钠纳米线阵列在pH值为1的盐酸中浸泡40 min，将浸泡过程重复三次，得到钛酸纳米线阵列；将上述钛酸纳米线阵列在流量为200 mL/min的順3中于800 °C热处理1小时，得到TiN纳米线；取面积为1 X 1cm2的上述TiN纳米线置于5 mL浓度为0.04 Μ的TiF 4溶液中，于60 °C反应120 min，得到TiN/Ti02核壳纳米线阵列。本例所获得的TiN/T1 2的扫描电子显微镜照片如图7所示。实施例4 将面积为2.5X2.5 cm2的清洗干净的钛片置于浓度为1.25 Μ的NaOH溶液中，在水热环境下220 °C反应20小时，得到钛酸钠纳米线阵列；将上述钛酸钠纳米线阵列在pH值为1的盐酸中浸泡40 min，将浸泡过程重复三次，得到钛酸纳米线阵列；将上述钛酸纳米线阵列在流量为200 mL/min的順3中于800 °C热处理1小时，得到TiN纳米线；取面积为1 X 1cm2的上述TiN纳米线置于5 mL浓度为0.04 Μ的TiCl 4溶液中，于60 °C反应30 min，得到TiN/Ti02核壳纳米线阵列。本例所获得的TiN/T1 2的扫描电子显微镜照片如图8所示。实施例5 将面积为2.5X2.5 cm2的清洗干净的本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种TiN/TiO2核壳纳米线阵列，其特征是：以TiN纳米线为骨架，在TiN纳米线表面生长有TiO2颗粒，形成核壳结构的纳米线阵列。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：文伟，白俊强，吴进明，
申请(专利权)人：海南大学，
类型：发明
国别省市：海南;66
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