边缘氧化层剥除装置及晶圆边缘氧化层的剥除方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种边缘氧化层剥除装置及边缘氧化层的剥除方法，所述装置包含剥除器本体及气罩，剥除器本体包含承载本体、承载盘、输入端及输出端，所述方法包含提供晶圆输入保护液体以覆盖住晶圆氧化层的保留区域，并露出欲去除的边缘氧化层、形成封闭空间、输入含氟刻蚀气体至封闭空间中，使含氟刻蚀气体与边缘氧化层反应而剥除，并不断置换保护液体，使得保护液体受含氟刻蚀气体影响大幅降低，刻蚀边缘氧化层能被精确地控制，并使后续磊晶工艺的良率大幅提升。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，尤其是边缘氧化层剥除装置及应用所述装置剥除晶圆边缘氧化层方法。
技术介绍
参阅图1，现有技术中晶圆的剖面示意图。如图1所示，通常为了防止晶圆200中掺杂(doping)原子的扩散，通常会在晶圆200的一表面形成一氧化层210。形成氧化层210时，通常是将晶圆200的正面220朝下后通SiH4与氧气反应而形成。一般来说，在晶圆200的正面220要继续磊晶(印itaxy)，而不欲形成氧化层210。但是在氧化层210形成时，氧化层210通常会延伸到正面220的边缘，而形成例如图1中晶圆中线C以下的边缘氧化层211。边缘氧化层211会影响到磊晶层的形成，或者连接性，而导致良率不佳。因而，通常需要将边缘氧化层211去除。目前，传统去除边缘氧化层211的方式，是将晶圆的氧化层210贴胶，仅露出边缘氧化层211后浸泡到氢氟酸(HF)中。但是贴胶方式很难将胶带或胶条平整贴合而无气缝，氢氟酸可能会除去本来欲保护的氧化层210。另外，由于氢氟酸对人体伤害大，而有安全的疑虑。另一种方法是将晶圆200相互堆栈，再通以HF气体。但是实际情形来看，良率较差，且有污染的问题。目前现有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种边缘氧化层剥除装置，用以剥除一晶圆的一边缘氧化层，其特征在于，包含：一剥除器本体，包含：一承载本体； 一承载盘，设置于所述承载本体中，用来放置所述晶圆；一输入端，与所述承载本体连通，用以输入一保护液体，所述保护液体覆盖住所述晶圆上的一氧化层，仅露出欲去除的所述边缘氧化层；以及一输出端，所述输出端与所述承载本体连通，用以排出所述保护液体；以及 一气罩，在剥除所述边缘氧化层时，覆盖所述承载盘，并与所述承载本体密合，并包含一进气端，以输入一含氟刻蚀气体。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：范俊一，林塘棋，徐文庆，
申请(专利权)人：昆山中辰矽晶有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32