用于晶圆再生的材料剥除方法技术

本发明专利技术是关于用于自其上具有至少一个材料层的不合格微电子装置结构除去该材料层的除去组合物及方法。该除去组合物包括氢氟酸。该组合物实现待除去的材料的实质除去，同时不会损坏待保留的层，以再生、再加工、再循环和／或再使用该结构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术主要涉及适用于自具有例如低k电介质的材料的基板或制 品除去该材料层的方法，以再生、再加工、再循环和/或再使用该基板 或制品，并涉及使用该方法制造的产品。
技术介绍
对与高密度、超大规模集成电路(ULSI)半导体布线有关的效能逐 步提高的需要已日益要求使用低介电常数(低k)绝缘层，从而在减小装 置尺寸的同时增加信号传输速度。典型的低k材料包括(例如)使用专有BLACK DIAMONDtm方法使 用诸如SiLKTM、 AURORA , CORALtm或BLACK DIAMONDtm的市售 前体沉积的掺碳氧化物(CDO)。该CDO通常是使用化学气相沉积(CVD) 法自有机硅烷及有机硅氧烷前体形成的。CVD掺碳氧化物低k电介质通 常由总体介电常数小于约3.2的多孔低密度材料组成，且通常藉由形成 内部形成有诸如金属互连管线或信道的其它半导体结构的CDO多层而 用于多种半导体结构中。举例而言，CDO可用作介电绝缘层(金属层间 介电(IMD)层)、顶盖层和/或用于某些结构的间隙填充材料。通常，在多层装置制造方法或质量鉴定方法中，微电子装置晶圆 (例如硅半导体晶圆)在不可接受的层处理后必本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种除去组合物，其包含至少一种蚀刻剂、至少一种表面活性剂、任选的至少一种有机溶剂、任选的至少一种螯合剂、任选的至少一种氧化剂、任选的至少一种氯化物源及任选的水，其中该除去组合物适于自其上具有至少一种选自由以下各物组成的群的材料的微电子装置结构除去该材料：蚀刻后残余物、低ｋ电介质、高ｋ电介质、蚀刻终止材料、金属堆栈材料、阻挡层材料、铁电体材料、硅化物材料、氮化物材料、氧化物材料、光阻、底部抗反射涂层（ＢＡＲＣ）、牺牲抗反射涂层（ＳＡＲＣ）、含有聚合物的积累、杂项材料、掺杂区域及其组合。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2007-3-31 60/909,428;US 2007-6-13 60/943,7361.一种除去组合物，其包含至少一种蚀刻剂、至少一种表面活性剂、任选的至少一种有机溶剂、任选的至少一种螯合剂、任选的至少一种氧化剂、任选的至少一种氯化物源及任选的水，其中该除去组合物适于自其上具有至少一种选自由以下各物组成的群的材料的微电子装置结构除去该材料蚀刻后残余物、低k电介质、高k电介质、蚀刻终止材料、金属堆栈材料、阻挡层材料、铁电体材料、硅化物材料、氮化物材料、氧化物材料、光阻、底部抗反射涂层(BARC)、牺牲抗反射涂层(SARC)、含有聚合物的积累、杂项材料、掺杂区域及其组合。2. 如权利要求l的除去组合物，3. 如权利要求l的除去组合物， 种氧化剂、至少一种氯化物源及水。4. 如权利要求3的除去组合物，其包含该至少一种有机溶剂及水。 其包含至少一种螯合剂、至少一其进一步包含至少一种有机溶剂。5. 如权利要求l-4中任一项的除去组合物，其中该至少一种蚀刻剂 包含HF。6. 如权利要求l-4中任一项的除去组合物，其中该至少一种表面活 性剂包含选自由以下各物组成的群的物质氟烷基表面活性剂、乙氧 基化氟表面活性剂、聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙二醇醚、聚丙二醇醚、 羧酸盐、十二烷基苯磺酸及其盐、聚丙烯酸酯聚合物、二壬基苯基聚 氧化乙烯、聚硅氧聚合物、改性聚硅氧聚合物、炔属二醇、改性炔属 二醇、垸基铵盐、改性烷基铵盐、垸基苯酚聚縮水甘油醚、烷基硫酸 钠、烷基硫酸铵、垸基(Curd8)羧酸铵盐、磺基丁二酸钠及其酯、烷基 (C『d8)磺酸钠盐、二阴离子磺酸盐表面活性剂、溴化十六烷基三甲基 铵、硫酸氢十六烷基三甲基铵、羧酸铵、硫酸铵、胺氧化物、N-十二烷基-N，N-二甲基甜菜碱、甜菜碱、磺基甜菜碱、硫酸垸基铵基丙酯、聚乙二醇(PEG)、聚氧化乙烯(PEO)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、羟基乙基 纤维素(HEC)、丙烯酰胺聚合物、聚(丙烯酸)、羧基甲基纤维素(CMC)、 羧基甲基纤维素钠(Na CMC)、羟基丙基甲基纤维素、聚乙烯吡咯烷酮 K30、乳胶粉末、乙基纤维素聚合物、丙基纤维素聚合物、纤维素醚、 水溶性树脂及其组合。7. 如权利要求l-4中任一项的除去组合物，其中该至少一种表面活 性剂包含乙基己基硫酸钠。8. 如权利要求l、 2或4中任一项的除去组合物，其中该至少一种 有机溶剂包含选自由以下各物组成的群的物质醇类、醚类、吡咯垸 酮类、二醇类、羧酸类、二醇醚类、胺类、酮类、醛类、烷烃类、烯 烃类、炔烃类、酰胺类、含硫的溶剂类、砜类及其组合，其限制条件 为二醇类及二醇醚类不包括亚乙基。9. 如权利要求l、 2或4中任一项的除去组合物，其中该至少一种 有机溶剂包含四亚甲基砜、丙二醇、二丙二醇、丙二醇甲基醚、二丙 二醇甲基醚、三丙二醇甲基醚、二丙二醇二甲基醚、二丙二醇乙基醚、 丙二醇正丙基醚、二丙二醇正丙基醚(DPGPE)、三丙二醇正丙基醚、丙 二醇正丁基醚、二丙二醇正丁基醚、三丙二醇正丁基醚、丙二醇苯基 醚及其组合。10. 如权利要求l、 2或4中任一项的除去组合物，其中该至少一种 有机溶剂包含四亚甲基砜。11. 如权利要求l、 3或4中任一项的除去组合物，其中该至少一种 螯合剂包含选自由以下各物组成的群的物质乙酰基丙酮酸酯、l，l,l-三氟-2,4-戊二酮、1，1，1，5，5，5-六氟-2,4-戊二酮、甲酸酯、乙酸酯、双(三 甲基硅烷基酰胺)四聚物、甘胺酸、丝胺酸、脯胺酸、白胺酸、丙胺酸、天冬酰胺酸、天冬胺酸、麸酰胺酸、缬胺酸、离胺酸、柠檬酸、乙酸、 顺丁烯二酸、草酸、丙二酸、丁二酸、膦酸、羟基亚乙基二膦酸(HEDP)、 l-羟基乙垸-l,l-二膦酸、氮基-三(亚甲基膦酸)、氮基三乙酸、亚胺二乙酰、依替膦酸(etidronic acid)、乙二胺、乙二胺四乙酸(EDTA)、 (1,2-亚 环己基二氮基)四乙酸(CDTA)、尿酸、四甘醇二甲醚、五甲基二亚乙基 三胺(PMDETA)、 1，3，5-三嗪-2,4,6-三硫醇三钠盐溶液、1,3,5-三嗪-2，4,6-三硫醇三铵盐溶液、二乙基二硫代胺基甲酸钠、经二取代的二硫代胺 基甲酸酯、硫酸铵、单乙醇胺(MEA)、 Dequest 2000、 Dequest 2010、 Dequest2060s、 二亚乙基三胺五乙酸、丙二胺四乙酸、2-羟基吡啶l-氧 化物、乙二胺二丁二酸、三磷酸...

【专利技术属性】
技术研发人员：江平，迈克尔B克赞斯基，大卫W明赛克，
申请(专利权)人：高级技术材料公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]