噻吩衍生物及其利用以及噻吩衍生物的制备方法技术

本发明专利技术提供由下述式(1)表示的噻吩衍生物。其中，R1～R4表示烷基、烯基、炔基、烷氧基、烯氧基、炔氧基、烷硫基、炔硫基、芳氧基、杂芳氧基、芳硫基或者杂芳硫基；R5～R8表示氢、烷基、烯基、炔基、烷氧基、烯氧基、炔氧基、烷硫基、炔硫基、芳氧基、杂芳氧基、芳硫基或者杂芳硫基；R9～R12表示氢、烷基、烯基、炔基、烷氧基、烯氧基、炔氧基、烷硫基、炔硫基或者芳基。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及，更详细地说，涉及 在2、3、4和5位被至少在3位具有取代基的2-噻吩基取代的噻吩衍生物及其作为电荷传 输性物质的利用、以及噻吩衍生物的制备方法。
技术介绍
有机电致发光（下文称为有机EL)元件中，使用包含有机化合物的电荷传输性薄 膜作为发光层或电荷注入层。特别是空穴注入层承担着阳极与空穴传输层或发光层之间的 电荷的授受，发挥用于实现有机EL元件的低电压驱动和高亮度的重要功能。 空穴注入层的形成方法大致分为以蒸镀法为代表的干式法以及以旋转涂布法为 代表的湿式法，对这些方法进行比较，湿式法可以高效率地制造大面积且平坦性高的薄膜。 因此，在有机EL显示器向大面积化进展的现在，希望采用能够以湿式法来形成的空穴注入 层。 鉴于这种情况，本专利技术人等开发了能够适用于各种湿式法的电荷传输性材料，当 将这种材料用于有机EL元件的空穴注入层时，能够形成可实现优良EL元件特性的薄膜，并 且还开发了用于该电荷传输性材料的、在有机溶剂中的溶解性良好的化合物（参见例如专 利文献1~4)。 现有技术文献 专利文献 专利文献1 :国际公开第2008/032616号 专利文献2 :国本文档来自技高网...

【技术保护点】
噻吩衍生物，其特征在于，其由下述式(1)表示：[化1]式中，R1～R4各自独立地表示可被Z1取代的碳数1～20的烷基、可被Z1取代的碳数2～20的烯基、可被Z1取代的碳数2～20的炔基、可被Z1取代的碳数1～20的烷氧基、可被Z1取代的碳数2～20的烯氧基、可被Z1取代的碳数2～20的炔氧基、可被Z1取代的碳数1～20的烷硫基、可被Z1取代的碳数2～20的烯硫基、可被Z1取代的碳数2～20的炔硫基、可被Z2取代的碳数6～20的芳氧基、可被Z2取代的碳数2～20的杂芳氧基、可被Z2取代的碳数6～20的芳硫基或者可被Z2取代的碳数2～20的杂芳硫基；R5～R8各自独立地表示氢原子、可被Z1取代的碳...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：中家直树，中泽太一，
申请(专利权)人：日产化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP