一种LED透明导电层的制备方法技术

本申请公开了一种LED透明导电层的制备方法，该方法包括：在LED芯片表面蒸镀ITO透明导电层；在氧气流量为Q1毫升/分钟，合金温度为D1度下，对所述ITO透明导电层进行合金，时间为T1秒后，静置2分钟；在氧气流量为Q2毫升/分钟，合金温度为D2度下，对所述ITO透明导电层进行合金，时间为T2秒后，静置2分钟；在氧气流量为Q3毫升/分钟，合金温度为D3度下，对所述ITO透明导电层进行合金，时间为T3秒；其中，Q1>Q2>Q3，D1＜D2＜D3，且T1＞T2＞T3；常温冷却5分钟。本发明专利技术使ITO透明导电层与LED的P-GaN形成更好的欧姆接触，得到了更均匀，质量更好的ITO透明导电膜层。

【技术实现步骤摘要】

本申请设及半导体照明
，具体地说，是设及一种L邸透明导电层的制备 方法。
技术介绍
发光二极管化i曲t-EmittingDiode,简称LED)是一种能将电能转化为光能的半 导体电子元件。运种电子元件早在1962年出现，早期只能发出低光度的红光，之后发展出 其他单色光的版本，时至今日能发出的光已遍及可见光、红外线及紫外线，光度也提高到相 当的光度。而用途也由初时作为指示灯、显示板等；随着技术的不断进步，发光二极管已被 广泛的应用于显示器、电视机采光装饰和照明。[000引LED的核屯、部分是由P型半导体和N型半导体组成的晶化在P型半导体和N型半 导体之间有一个P-N结构的过渡层。 随着LED技术的不断发展，尤其是伴随着第=代半导体技术的蓬勃发展，半导体 照明W节能、环保、亮度高、寿命长等优点，成为社会发展的焦点，也带动了整个行业上中下 游产业。GaN基L邸忍片是半导体照明的"动力"，近年来性能得到大幅提升，生产成本也不 断降低，为半导体照明走进千家万户做出突出贡献。为了提高LED照明所占的市场比例，加快替代白识灯、巧光灯等传统光源，还需进 一步提升LED器件的光效，降低L邸的成本。氧化铜锡（IndiumTin化ide，简称口0)材料 凭借良好的穿透率与导电率为L邸忍片提升光效做出了极大贡献。氧化铜锡主要的特性是 其电学传导和光学透明的组合。通常地，使用ITO合金制作LED的透明导电层，ITO合金的 作用是使LED的电极与外延层形成很好的欧姆接触，若不用ITO合金的话会使电流在电极 表面扩散，不能使电流很好的通到电极里面，造成VF偏高，影响电极的电化学性能。V代表电压，F代表正向，VF代表正向电压，一般小功率L邸红、黄、澄、黄绿的VF是 1. 8-2. 4V，纯绿、蓝、白的VF是 3. 0-3.6V。 铜锡金属氧化物，具有很好的导电性和透明性，可W切断对人体有害的电子福射， 紫外线及远红外线。因此，喷涂在玻璃，塑料及电子显示屏上后，在增强导电性和透明性的 同时切断对人体有害的电子福射及紫外、红外。ITO是一种N型氧化物半导体-氧化铜锡， ITO薄膜即铜锡氧化物半导体透明导电膜，通常有两个性能指标：电阻率和透光率。[000引在LED制作过程中所说的退火是指在氧气氛围下将PGaN层里面的Mg-H键打开， 活化Mg的作用。ITO合金即退火的主要作用有两个：一是使ITO透明导电层与P-GaN形成 良好的欧姆接触，二是使ITO膜层的光透光率提高。通过合金可W达到降低ITO透明导电 层与P-GaN的接触电阻，从而降低整个LED的正向电压W及提高LED的亮度。 现有技术的ITO透明导电层的制备步骤如下： 步骤101，采用电子束真空锻膜设备在LED忍片表面蒸锻口0透明导电层； 设定ITO透明导电层膜厚为1000-2400埃，锻膜速率为2~4埃/秒，锻膜时间为 500~1000秒，氧气流量为2~8毫升/分钟，溫度为320度，腔体压力为3. 0X106托，在 LED忍片表面蒸锻ITO透明导电层。 步骤102,ITO透明导电层合金； 在氧气流量为8~11毫升/分钟，溫度为5008度~654度条件下，合金771. 75 秒~1029秒。 步骤103,冷却 合金完成后，常溫冷却5分钟。 现有的传统ITO透明导电层的合金方法为一次性合金法，按照一次性合金方法所 审IJ备的口0透明导电层与LED的P-GaN之间的接触电阻较大，导致正向电压升高和LED忍 片亮度低。 如何解决上述应用ITO透明导电层一次性合金制备的L邸忍片亮度低且正向电压 高的问题，便成为亟待解决的技术问题。
技术实现思路
为了解决在上述现有技术中出现的问题，本专利技术的目的是提供一种LED透明导电 层的制备方法。 本专利技术提供了一种L邸透明导电层的制备方法，该方法包括： 在LED忍片表面蒸锻ITO透明导电层； 在氧气流量为Ql毫升/分钟，合金溫度为Dl度下，对所述ITO透明导电层进行合 金，时间为Tl秒后，静置2分钟； 在氧气流量为Q2毫升/分钟，合金溫度为D2度下，对所述ITO透明导电层进行合 金，时间为T2秒后，静置2分钟； 在氧气流量为Q3毫升/分钟，合金溫度为D3度下，对所述ITO透明导电层进行合 金，时间为T3秒；其中， Q1〉Q2〉Q3,Dl<D2 <D3,且Tl>T2 >T3 ; 阳〇2引常溫冷却5分钟。 进一步地，其中，所述在忍片表面蒸锻ITO透明导电层，进一步包括： 在锻膜速率为2~4埃/秒，溫度为320度，氧气流量为2~8毫升/分钟，腔体 压力为3. 0X10 6托，ITO膜厚为1000-2400埃，锻膜时间为500~1000秒的条件下在所述 LED忍片表面蒸锻ITO透明导电层。 进一步地，其中，所述在氧气流量为Ql毫升/分钟，合金溫度为Dl度下，对所述 ITO透明导电层进行合金，时间为Tl秒，进一步包括： 氧气流量为8~11毫升/分钟，合金溫度为500~540度下，对所述ITO透明导 电层进行合金，时间为300~400秒。 进一步地，其中，所述在氧气流量为Q2毫升/分钟，合金溫度为D2度下，对所述 ITO透明导电层进行合金，时间为T2秒，进一步包括： Q2 = 0. 7Q1 ~0. 95Q1，D2 =Dl~1. 2D1，T2 = 0. 7T1 ~0. 95T1。 进一步地，其中，进一步为： Q2 = 0. 9Q1，D2 = 1. 1D1，T2 = 0. 85T1。 进一步地，其中，所述在氧气流量为Q3毫升/分钟，合金溫度为D3度下，对所述 ITO透明导电层进行合金，时间为T3秒，进一步包括： Q3 = 0. 7Q2 ~0. 95Q2,D3 =D2 ~1. 2D2,T3 = 0. 7T2 ~0. 95T2。 进一步地，其中，所述在氧气流量为Q3毫升/分钟，合金溫度为D3度下，对所述 ITO透明导电层进行合金，时间为T3秒，进一步包括： Q3 = 0. 85Q1,D3 = 1. 1D2,T3 = 0. 9T2〇 与现有技术相比，本申请所述的一种L邸透明导电层的制备方法，具有W下优点： (1)本专利技术的LED透明导电层的制备方法，通过对LED忍片表面蒸锻口0透明导 电层进行=步合金，逐步规律性地减少合金时间及氧气流量，并规律性地增加合金溫度，使 ITO透明导电层与LED的P-GaN形成更好的欧姆接触，得到了更均匀，质量更好的ITO透明 导电膜层。 W40] 似本专利技术的LED透明导电层的制备方法，通过对LED忍片表面蒸锻ITO透明导电 层进行S步合金，降低ITO透明导电层与P-GaN的接触电阻，从而降低整个L邸的正向电压W及提高了LED的亮度。 当然，实施本申请的任一产品必不一定需要同时达到W上所述的所有技术效果。【附图说明】 此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申 请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中： 图1是现有技术的LED透明导电层的制备方法流程示意图； 图2是本专利技术实施例1的L邸透明导电层的制备方法流程示意图； 图3是本专利技术实施例2的LED透明导电层的制备方法流程示意图； 图4是本专利技术一个具体实施例的L邸透明导电层的制备方法本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED透明导电层的制备方法，其特征在于，该方法包括：在LED芯片表面蒸镀ITO透明导电层；在氧气流量为Q1毫升/分钟，合金温度为D1度下，对所述ITO透明导电层进行合金，时间为T1秒后，静置2分钟；在氧气流量为Q2毫升/分钟，合金温度为D2度下，对所述ITO透明导电层进行合金，时间为T2秒后，静置2分钟；在氧气流量为Q3毫升/分钟，合金温度为D3度下，对所述ITO透明导电层进行合金，时间为T3秒；其中，Q1>Q2>Q3，D1＜D2＜D3，且T1＞T2＞T3；常温冷却5分钟。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐平，苗振林，卢国军，
申请(专利权)人：湘能华磊光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43