光纤端面的微加工方法技术

技术编号:12783734 阅读:85 留言:0更新日期:2016-01-28 03:42
本发明专利技术公开了光纤端面的微加工方法,包括以下步骤:在光纤端面涂光刻胶,形成均匀光刻胶层;烘干;进行对准,曝光,显影,清洗,使用真空热板烘干;进行刻蚀,得到光纤端面反应池。本发明专利技术实现了光纤端面反应池的低成本、高精度的加工。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光纤加工
,具体涉及。
技术介绍
光纤是光导纤维的简写,是一种由玻璃或塑料制成的纤维,可作为光传导工具。传输原理是‘光的全反射’。光纤的种类很多,根据用途不同,所需要的功能和性能也有所差异。但对于有线电视和通信用的光纤,其设计和制造的原则基本相同,诸如:①损耗小?’②有一定带宽且色散小;③接线容易;④易于成统;⑤可靠性高制造比较简单;⑦价廉等。光纤的分类主要是从工作波长、折射率分布、传输模式、原材料和制造方法上作一归纳的,兹将各种分类举例如下: (1)工作波长:紫外光纤、可观光纤、近红外光纤、红外光纤(0.85 μ m、1.3 μ m、1.55 μm)。(2)折射率分布:阶跃(SI)型光纤、近阶跃型光纤、渐变(GI)型光纤、其它(如三角型、W型、凹陷型等)。(3)传输模式:单模光纤(含偏振保持光纤、非偏振保持光纤)、多模光纤。(4)原材料:石英光纤、多成分玻璃光纤、塑料光纤、复合材料光纤(如塑料包层、液体纤芯等)、红外材料等。按被覆材料还可分为无机材料(碳等)、金属材料(铜、镍等)和塑料等。(5 )制造方法:预塑有汽相轴向沉积(VAD )、化学汽相沉积(CVD )等,拉丝法有管律法(Rod intube)和双i甘锅法等。近年来,光纤广泛应用于通信、照明、图像传输和传感器等领域,甚至由于其透光性能优良,逐渐应用于生物芯片领域。为了实现功能,使芯片达到可使用的物理结构,需要对芯片进彳丁精确的加工。现有技术需要对光刻胶进行旋转涂胶,很容易造成甩胶不均匀,还需要去除边缘光刻胶的步骤,并且因为技术限制,不能够加工出任意所需形状,不利于推广应用。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是一种,包括以下步骤: (1)在光纤端面涂光刻胶,形成均匀光刻胶层; (2)对光纤端面进行烘干; (3)进行激光自动对准,曝光,显影,清洗,使用真空热板烘干; (4)使用干法刻蚀对光纤端面进行刻蚀,得到光纤端面反应池。所述清洗先使用三乙醇胺,再使用水冲洗。所述光纤为石英光纤。所述涂光刻胶使用喷涂装置,优选为高压无气喷涂装置,喷出速度在100-110m/s,得到光刻胶的厚度为1-1.5 μ m。所述光刻胶为PAC (重氮萘醌磺酸酯类光活性化合物)、线型酚醛树脂和溶剂组成;所述溶剂为四氢呋喃和乙酸乙酯。所述光刻胶在使用时,用溶剂稀释5倍。所述步骤(2)中烘干的温度为55-65°C,时间为15-30分钟。所述步骤(3)中烘干温度为130-135°C,时间为40-55s。所述曝光为投影式曝光。所述显影的显影液使用TMAH(四甲基氢氧化铵),显影温度为18°C _25°C,显影时间为 90-150s。所述刻蚀气体为三氟化氮和氧气。本专利技术的工艺简单,可操作性强,对准度高,适合大规模工业生产,有利于推广应用。多次的烘干过程能够避免各个步骤之间的干扰。高压无气喷涂装置确保了喷出的光刻胶液滴较小,涂布均匀,避免了旋转涂胶时甩胶不均匀和去除边缘光刻胶的步骤。本专利技术制得的芯片能够应用于多个领域,比如制备微流控芯片、蛋白芯片或者基因芯片。【具体实施方式】实施例1 (1)清洗石英光纤端面,先使用三乙醇胺洗涤,再使用水冲洗,然后65°C吹片烘干30分钟; (2)使用四氢呋喃和乙酸乙酯将光刻胶稀释5倍,光刻胶为PAC、线型酚醛树脂、四氢呋喃和乙酸乙酯的混合物,使用高压无气喷涂装置在光纤端面涂光刻胶,喷出速度为100m/S,得到光刻胶的厚度为1.2 μ m,形成均匀光刻胶层; (3)对光纤端面进行65°C烘干15分钟; (4)进行激光自动对准,进行投影式曝光,在18°C下,使用TMAH显影90s,清洗,先使用三乙醇胺,再使用水冲洗,使用真空热板于135°C烘干40s ; (5)使用干法刻蚀对光纤端面进行刻蚀,刻蚀气体为三氟化氮和氧气,得到光纤端面反应池。实施例2 (1)清洗石英光纤端面,先使用三乙醇胺洗涤,再使用水冲洗,然后55°C吹片烘干15分钟; (2)使用四氢呋喃和乙酸乙酯将光刻胶稀释5倍,光刻胶为PAC、线型酚醛树脂、四氢呋喃和乙酸乙酯的混合物,使用高压无气喷涂装置在光纤端面涂光刻胶,喷出速度为106m/s,得到光刻胶的厚度为1 μ m,形成均匀光刻胶层; (3)对光纤端面进行60°C烘干23分钟; (4)进行激光自动对准,进行投影式曝光,在25°C下,使用TMAH显影150s,清洗,先使用三乙醇胺,再使用水冲洗,使用真空热板于133°C烘干50s ; (5)使用干法刻蚀对光纤端面进行刻蚀,刻蚀气体为三氟化氮和氧气,得到光纤端面反应池。实施例3 (1)清洗石英光纤端面,先使用三乙醇胺洗涤,再使用水冲洗,然后57°C吹片烘干25分钟; (2)使用四氢呋喃和乙酸乙酯将光刻胶稀释5倍,光刻胶为PAC、线型酚醛树脂、四氢呋喃和乙酸乙酯的混合物,使用高压无气喷涂装置在光纤端面涂光刻胶,喷出速度为lOOm/s,得到光刻胶的厚度为1.5 μ m,形成均匀光刻胶层; (3)对光纤端面进行65°C烘干15分钟; (4)进行激光自动对准,进行投影式曝光,在20°C下,使用TMAH显影100s,清洗,先使用三乙醇胺,再使用水冲洗,使用真空热板于135°C烘干55s ; (5)使用干法刻蚀对光纤端面进行刻蚀,刻蚀气体为三氟化氮和氧气,得到光纤端面反应池。实施例4 (1)清洗石英光纤端面,先使用三乙醇胺洗涤,再使用水冲洗,然后55°C吹片烘干28分钟; (2)使用四氢呋喃和乙酸乙酯将光刻胶稀释5倍,光刻胶为PAC、线型酚醛树脂、四氢呋喃和乙酸乙酯的混合物,使用高压无气喷涂装置在光纤端面涂光刻胶,喷出速度为lOOm/s,得到光刻胶的厚度为1.3 μ m,形成均匀光刻胶层; (3)对光纤端面进行65°C烘干15分钟; (4)进行激光自动对准,进行投影式曝光,在23°C下,使用TMAH显影120s,清洗,先使用三乙醇胺,再使用水冲洗,使用真空热板于130°C烘干45s ; (5)使用干法刻蚀对光纤端面进行刻蚀,刻蚀气体为三氟化氮和氧气,得到光纤端面反应池。实施例5 (1)清洗石英光纤端面,先使用三乙醇胺洗涤,再使用水冲洗,然后64°C吹片烘干16分钟; (2)使用四氢呋喃和乙酸乙酯将光刻胶稀释5倍,光刻胶为PAC、线型酚醛树脂、四氢呋喃和乙酸乙酯的混合物,使用高压无气喷涂装置在光纤端面涂光刻胶,喷出速度为108m/s,得到光刻胶的厚度为1 μ m,形成均匀光刻胶层; (3)对光纤端面进行62°C烘干16分钟; (4)进行激光自动对准,进行投影式曝光,在21°C下,使用TMAH显影135s,清洗,先使用三乙醇胺,再使用水冲洗,使用真空热板于135°C烘干40s ; (5)使用干法刻蚀对光纤端面进行刻蚀,刻蚀气体为三氟化氮和氧气,得到光纤端面反应池。上述详细说明是针对本专利技术其中之一可行实施例的具体说明,该实施例并非用以限制本专利技术的专利范围,凡未脱离本专利技术所为的等效实施或变更,均应包含于本专利技术技术方案的范围内。【主权项】1.一种,其特征在于,包括以下步骤: (1)在光纤端面涂光刻胶,形成均匀光刻胶层; (2)对光纤端面进行烘干; (3)进行激光自动对准,曝光,显影,清洗,使用真空热板烘干; (4本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种光纤端面的微加工方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)在光纤端面涂光刻胶,形成均匀光刻胶层;(2)对光纤端面进行烘干;(3)进行激光自动对准,曝光,显影,清洗,使用真空热板烘干;(4)使用干法刻蚀对光纤端面进行刻蚀,得到光纤端面反应池。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:陈哲张睿王者馥王绪敏殷金龙任鲁风
申请(专利权)人:北京中科紫鑫科技有限责任公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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