本发明专利技术提供了一种基于光纤透镜的器件微米尺度温度分布的测量方法及系统，将稀土薄膜涂覆在待测量的器件样品表面；将激光照射到稀土薄膜表面，采集稀土薄膜激发的两种不同波长的荧光；将两种不同波长的荧光分离，并将不同波长荧光下的稀土薄膜分别成像；对不同波长荧光下的稀土薄膜成像分别进行解调，通过计算不同波长荧光下的稀土薄膜成像对应点的能量比，获得待测量器件表面的二维温度分布。本发明专利技术具有测温快、精度高等优点，并能够实时显示器件表面的二维温度分布状况。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于器件温度监测
，涉及一种器件微米尺度二维温度分布的测量 方法及系统，尤其涉及一种利用光学手段对器件高温点进行快速发现与检测的方法及系 统。
技术介绍
随着工业界对电子器件性能需求的提升，其元器件的尺寸不断减小，微米、纳米电 子器件已经广泛应用于各种大规模集成电路。这种小尺寸的电子器件电阻阻抗通常比较 大，使得焦耳热效应不可忽略。电子器件通道内的局域阻抗非常小的变化，就有可能在电子 器件上产生局部高温。局部高温区域如果不被发现和处理，可能会导致器件性能退化或损 伤。为了避免对器件的灾难性破坏，准确获得局部高温区域的位置至关重要。但是，局域高 温位置不仅依赖于器件设计，还与集成电路的质量有关，往往很难先验预测。目前，微电子 学器件的温度测量方法主要采用拉曼光谱技术，其测量的精度、效率和速度都受到限制，且 无法对面目标进行高分辨率测量。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足，本专利技术提供一种基于光纤透镜的器件微米尺度温度分 布的测量方法及系统。 本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种基于光纤透镜的器件微米尺度 温度分布的测量方法，包括以下步骤： 步骤1、将稀土薄膜涂覆在待测量的器件样品表面；所述的稀土薄膜是将摩尔比 为100 :10 :5的β-NaLuF4、Yb3+和Ho3+粉末均匀涂覆在透明的塑料薄膜表面； 步骤2、将激光照射到稀土薄膜表面，采集稀土薄膜激发的两种不同波长的荧光； 步骤3、将两种不同波长的荧光分离，并将不同波长荧光下的稀土薄膜分别成像； 步骤4、对不同波长荧光下的稀土薄膜成像分别进行解调，通过计算不同波长荧光 下的稀土薄膜成像对应点的能量比，获得待测量器件表面的二维温度分布，两种不同波长其中，B为常数，通过温度定标方法确定，定标时，测 量温度?\时的能量比η:，在已知ΔE和k时就能够得到Β，ΔE为热耦合能级差，取值为 0. 188eV，k为玻尔兹曼常数，T为待测量器件样品表面的温度。 本专利技术还提供一种实现基于光纤透镜的器件微米尺度温度分布测量的系统，包括 激光器、第一光纤准直器、第一分光镜、第二光纤准直器、光纤透镜、稀土薄膜、第二分光镜、 第三光纤准直器、第五光纤准直器、第一滤光片、第七光纤准直器、第一探测器和第四光纤 准直器、第六光纤准直器、第二滤光片、第八光纤准直器、第二探测器、三维位移平台。 所述的稀土薄膜涂覆在待测量器件样品表面，待测量器件样品固定于三维位移平 台上；所述激光器发出的激发光源经第一光纤准直器准直后直透过第一分光镜，被第二光 纤准直器收集，经光纤透镜会聚于稀土薄膜表面；通过三维位移平台调整激发光源在稀土 薄膜表面的会聚点位置；稀土薄膜受激发光源激发后发出两种不同波长的荧光，两种荧光 混合在一起被光纤透镜收集，经第二光纤准直器准直并被第一分光镜反射，到达第二分光 镜，分为光束1和光束2两束；光束1和光束2分别经第三光纤准直镜和第四光纤准直镜收 集，分别被第五光纤准直镜和第六光纤准直镜准直，到达第一滤光片和第二滤光片，第一滤 光片和第二滤光片均为窄带滤光片，第一滤光片仅允许波长1的光通过，第二滤光片仅允 许波长2的光通过；滤波后波长1的荧光经第七光纤准直器收集传导到第一探测器，波长2 的荧光经第八光纤准直器收集传导到第二探测器；通过对第一探测器和第二探测器所探测 到的信号进行解调，计算两种不同波长荧光的能量比，获得待测量器件表面位于光纤透镜 焦点处表面的温度；通过调整三维位移平台，使光纤透镜的聚焦点遍历稀土薄膜表面，得到 样品表面的二维温度分布。 本专利技术的有益效果是：具有测温快、精度高等优点，并能够实时显示器件表面某点 的温度分布状况。同时，由于系统中使用了光纤透镜，光纤透镜具有会聚激发光源和收集荧 光信息的双重作用。通过三维位移平台移动光束通过光纤透镜后在被测样品表面的聚焦点 位置，可以实现被测样品表面不同点温度的测量，通过移动光纤的聚焦点位置在被测样品 表面做二维扫描，还可以测量获得被测样品表面的二维温度场分布。因为光纤透镜焦点较 小，这一方法的测量精度很高，对微米尺度的器件表面温度的测量同样适用。【附图说明】 图1是基于光纤透镜的器件微米尺度温度分布的测量系统示意图。 图中，1-激光器，2-第一光纤准直器，3-第一分光镜，4-第二光纤准直器，5-光纤 透镜，6-稀土薄膜，7-第二分光镜，8-第三光纤准直器，9-第四光纤准直器，10-第五光纤准 直器，11-第六光纤准直器，12-第一滤光片，13-第二滤光片，14-第七光纤准直器，15-第八 光纤准直器，16-第一探测器，17-第二探测器，三维位移平台18。【具体实施方式】 下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明，本专利技术包括但不仅限于下述实施 例。 本专利技术的思想在于： 具有良好电绝缘性和热传导性的稀土发光薄膜，内部均匀分散有微米或亚微米尺 度的稀土发光粉。由于稀土粒子具有热耦合能级，当该稀土发光薄膜涂覆于待测量器件表 面时，在外界激光光源激发下，薄膜会产生两种不同波长的荧光，并且随器件温度不同，两 种不同波长荧光的能量不同。通过探测并计算稀土薄膜表面某一点处两种不同波长荧光的 能量比，即可以获得该点处待测量器件表面温度。因为光束的聚焦点可以达到微米尺寸，通 过控制光束聚焦点在器件表面的位置，即可以实现器件表面微米尺度的温度测量分辨率。 本专利技术提供的一种基于光纤透镜的器件微米尺度温度分布的测量方法步骤如 下： 步骤1 :将稀土薄膜涂覆在待测量的器件样品表面，该薄膜具有良好的电绝缘性 和热传导性；所述的稀土薄膜是将摩尔比为100 :1〇 :5的β-NaLuF4、Yb3+和Ho3+粉末均匀 涂覆在透明的塑料薄膜表面； 步骤2 :将激光照射到稀土薄膜表面某一点，由于稀土粒子具有热耦合能级，稀土 发光薄膜受激发出的两种波长的荧光对环境温度敏感，随器件温度不同，不同波长荧光的 能量不同，采集稀土薄膜激发的两种波长的荧光； 步骤3 :使用光纤透镜、分光镜、滤光片、光纤准直器等器件将两个不同波长的荧 光分离并传输到探测器上； 步骤4:对两个不同荧光的能量分别进行解调，通过计算两种不同波长荧光的能 量比，获得待测量器件表面某点处的温度，两束波长的能量比和温度满足以下关系： 其中，η为两束不同波长荧光的能量比，B为常数，通过温度定标方法确定，定标 时，测量温度?\时的能量比ni，在已知ΔΕ和k时就能够得到Β，ΔΕ为热耦合能级差，其 对上述使用的稀土薄膜取值为〇. 188eV，k为玻尔兹曼常数，T为待测量器件样品表面的温 度。 本专利技术还提供一种实现基于光纤透镜的器件微米尺度温度分布测量的系统，包括 激光器1、第一光纤准直器2、第一分光镜3、第二光纤准直器4、光纤透镜5、稀土薄膜6,第 二分光镜7、以及设置于第二分光镜之后光路中的第三光纤准直器8、第五光纤准直器10、 第一滤光片12、第七光纤准直器14、第一探测器16和第四光纤准直器当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种基于光纤透镜的器件微米尺度温度分布的测量方法，其特征在于包括下述步骤：步骤1、将稀土薄膜涂覆在待测量的器件样品表面；所述的稀土薄膜是将摩尔比为100：10：5的β‑NaLuF4、Yb3+和Ho3+粉末均匀涂覆在透明的塑料薄膜表面；步骤2、将激光照射到稀土薄膜表面，采集稀土薄膜激发的两种不同波长的荧光；步骤3、将两种不同波长的荧光分离，并将不同波长荧光下的稀土薄膜分别成像；步骤4、对不同波长荧光下的稀土薄膜成像分别进行解调，通过计算不同波长荧光下的稀土薄膜成像对应点的能量比，获得待测量器件表面的二维温度分布，两种不同波长的荧光的能量比其中，B为常数，通过温度定标方法确定，定标时，测量温度T1时的能量比η1，在已知ΔE和k时就能够得到B，ΔE为热耦合能级差，取值为0.188eV，k为玻尔兹曼常数，T为待测量器件样品表面的温度。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘国栋，胡流森，吴凌远，
申请(专利权)人：中国工程物理研究院流体物理研究所，
类型：发明
国别省市：四川;51
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