ESD保护装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了能使放电开始电压有效降低的ESD保护装置。ESD保护装置(1)包括：基板(2)；第一、第二放电电极(3、4)，该第一、第二放电电极(3、4)设置在基板(2)，前端相互隔着间隔相对；以及高介电常数层(7)，该高介电常数层(7)的相对介电常数比基板(2)高。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】ESD保护装置
本专利技术涉及用于使电子电路不受静电影响的ESD保护装置，特别是涉及放电电极隔着间隙相对的ESD保护装置。
技术介绍
下述的专利文献1中，公开了在陶瓷多层基板内设置有第一、第二放电电极的ESD保护装置。设置辅助电极，与第一、第二放电电极连接。通过分散涂覆了不具有导电性的无机材料的导电性材料而形成辅助电极。另外，下文的专利文献2中，公开了在绝缘性基板上具备隔着放电间隙相互相对设置的放电电极的贴片型浪涌吸收器。在放电电极和绝缘性基板之间设置具有比绝缘性基板的相对介电常数大的相对介电常数的电介质层。另外，记载了由上述电介质层形成绝缘性基板本身的情况下，静电电容增大，难以在高频电路使用的内容。现有技术文献专利文献专利文献1：WO2009/098944专利文献2：日本专利特开2002-43021号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题专利文献1中记载的ESD保护装置，虽然利用辅助电极实现了放电开始电压的低电压化，但仍然不充分。另一方面，专利文献2记载的贴片型浪涌吸收器中，通过设置上述电介质层实现低电压化。专利文献2的专利技术中，以防止静电电容的增大为目的，电介质层未设置在放电间隙中。即，电介质层仅设置在绝缘性基板上的放电电极的正下方。由此，在气体放电或沿面放电中，沿面放电难以被充分利用。由此，难以使放电开始电压充分地被低电压化。本专利技术的目的在于提供一种ESD保护装置，能使放电开始电压有效降低。解决技术问题所采用的技术方案本专利技术涉及的ESD保护装置包括：基板；第一、第二放电电极，该第一、第二放电电极设置在所述基板上，隔着间隙相对；以及高介电常数层，该高介电常数层的相对介电常数比所述基板高。所述高介电常数层被设置为直接或间接连接所述第一放电电极和所述第二放电电极。本专利技术涉及的ESD保护装置，优选地，还包括放电辅助电极，该放电辅助电极被设置为连接所述第一放电电极和所述第二放电电极，促进第一、第二放电电极间的放电。本专利技术的ESD保护装置的某一特定方面中，所述放电辅助电极包含覆盖了不具有导电性的材料的导电性粒子。本专利技术的ESD保护装置的另一特定方面中，所述高介电常数层被构成为层叠在所述放电辅助电极。本专利技术涉及的ESD保护装置中，优选地，所述高介电常数层被设置在所述间隙部分的上方或下方中的至少一方。本专利技术涉及的ESD保护装置中，优选地，在所述间隙设置有相对介电常数低于所述基板的部分。相对介电常数低于所述基板的部分可为空洞。另外，相对介电常数低于所述基板的部分可由相对介电常数低于基板的材料形成。优选地，采用树脂作为相对介电常数低于基板的所述材料。本专利技术涉及的ESD保护装置，优选地，还包括背后电极，该背后电极被设置为隔着所述基板的一部分与所述第一、第二放电电极间的间隙重合。优选地，包括第一、第二外部电极，该第一、第二外部电极设置于所述基板，各自与第一、第二放电电极电连接，所述背后电极与第一、第二外部电极中的一个电连接。其中，背后电极可以为悬浮导体。本专利技术涉及的ESD保护装置中，优选地，所述背后电极包含：金属，以及与所述基板相比高介电常数的材料。本专利技术涉及的ESD保护装置中，所述第一、第二放电电极可设置在所述基板的外表面。另外，本专利技术涉及的ESD保护装置中，所述第一、第二放电电极的前端可设置在所述基板内，所述间隙可位于基板内。专利技术效果根据本专利技术涉及的ESD保护装置，由于相对介电常数高于基板的高介电常数层与第一、第二放电电极直接或间接连接，因此能降低放电开始电压。由此，电子电路等中，能更有效地实现静电防护。附图说明图1(a)以及图1(b)是本专利技术的第一实施方式涉及的ESD保护装置的正面剖视图以及用于说明其关键部分的局部剖面放大正面剖视图。图2是用于说明本专利技术的第一实施方式涉及的ESD保护装置中第一、第二放电电极、放电辅助电极以及背后电极的位置关系的示意平面图。图3(a)以及图3(b)是本专利技术的第二实施方式涉及的ESD保护装置的正面剖视图以及表示其关键部分的局部剖面放大正面剖视图。图4是表示本专利技术的第二实施方式中第一、第二放电电极、放电辅助电极以及背后电极的位置关系的示意平面图。图5是用于说明第一、第二放电电极、放电辅助电极、以及背后电极的位置关系的变形例的示意性平面图。图6是用于说明第一、第二放电电极、放电辅助电极、以及背后电极的位置关系的另一变形例的示意性平面图。图7是本专利技术的第三实施方式涉及的ESD保护装置的正面剖视图。图8是表示本专利技术的第三实施方式的ESD保护装置中第一、第二放电电极、放电辅助电极以及背后电极的位置关系的示意平面图。图9是本专利技术的第四实施方式涉及的ESD保护装置的正面剖视图。图10是表示本专利技术的第四实施方式的ESD保护装置中第一、第二放电电极、放电辅助电极以及背后电极的位置关系的示意平面图。图11是本专利技术的第五实施方式涉及的ESD保护装置的正面剖视图。图12是本专利技术的第六实施方式涉及的ESD保护装置的正面剖视图。图13是本专利技术的第七实施方式涉及的ESD保护装置的正面剖视图。图14是本专利技术的第八实施方式涉及的ESD保护装置的正面剖视图。具体实施方式下面，参照附图，通过对本专利技术的具体实施方式进行说明，来明确本专利技术。图1(a)以及图1(b)是本专利技术的第一实施方式涉及的ESD保护装置的正面剖视图以及表示其关键部分的局部剖面正面剖视图。ESD保护装置1具有基板2。基板2由合适的绝缘性材料构成。本实施方式中，基板2由陶瓷多层基板构成，采用包含Ba、Al以及Si作为主要成分的BAS材料。其中，也可利用玻璃陶瓷等低温烧结陶瓷(LTCC)。另外，也可利用氮化铝或氧化铝等以高温烧结的陶瓷(HTCC)。进一步地，也可利用铁氧体等磁性体陶瓷。例如在基板上使用上述BAS材料的情况下，基板2的相对介电常数为6左右。另外，基板2也可由陶瓷以外的树脂等绝缘性材料形成。在基板2的上表面2a上形成第一放电电极3和第二放电电极4。另外，在第一、第二放电电极3、4的下表面设置放电辅助电极5使第一、第二放电电极3、4的前端相互连接。放电辅助电极5在基板2的上表面2a中，被设置为连接第一放电电极3和第二放电电极4。如图2所示，俯视的情况下，放电辅助电极5被设置在包含第一、第二放电电极3、4的前端相互相对的间隙区域的区域中。放电辅助电极5在基板2的上表面2a通过分散覆盖了不具有导电性的材料的导电性粒子6而形成。更具体而言，通过涂布含有像这样的导电性粒子的糊料，进行煅烧而形成。该情况下，糊料中含有的、覆盖了不具有导电性的材料的导电性粒子6从基板2的上表面2a扩散至基板2的表面层。结果，形成上述放电辅助电极。放电辅助电极5起到促进第一放电电极3的前端和第二放电电极4的前端之间放电的作用。对于构成上述覆盖了不具有导电性的材料的导电性粒子的材料不作特别限定。作为不具有导电性的材料，列举有氧化铝等绝缘性陶瓷、玻璃等。另外，对构成导电性粒子的材料不作特别限定，能适当使用金属等。作为像这样的金属，优选地使用铜或以铜为主要成分的铜系合金。其中，也可使用银、铝、钼、钨等其它金属或以其它金属为主体的合金。进一步地，在放电辅助电极5中，除了覆盖了不具有导电性的材料的导电性粒子之外，也可添加半导体陶瓷粒子。作为像这样的半导体陶瓷粒子能利用SiC、TiC等构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ESD保护装置，其特征在于，包括：基板；第一、第二放电电极，该第一、第二放电电极设置在所述基板上，隔着间隙相对；以及高介电常数层，该高介电常数层被设置为直接或间接连接所述第一放电电极和所述第二放电电极，并且相对介电常数比所述基板高。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.05.23 JP 2013-1091281.一种ESD保护装置，其特征在于，包括：基板；第一、第二放电电极，该第一、第二放电电极设置在所述基板上，隔着间隙相对；以及高介电常数层，该高介电常数层被设置为直接或间接连接所述第一放电电极和所述第二放电电极，并且相对介电常数在30以上，还包括背后电极，该背后电极被设置为隔着所述基板的一部分与所述第一、第二放电电极间的间隙重合，还包括第一、第二外部电极，该第一、第二外部电极设置在所述基板上，分别与所述第一、第二放电电极电连接，所述背后电极与所述第一、第二外部电极中的一个电连接。2.如权利要求1所述的ESD保护装置，其特征在于，还包括放电辅助电极，该放电辅助电极被设置为连接所述第一放电电极和所述第二放电电极，促进所述第一、第二放电电极间的放电。3.如权利要求2所述的ESD保护装置，其特征在于，所述放电辅助电极包含覆盖了不具有导电性的材料的导电性粒子。4.如权利要求1～3中任一项所述的ESD保护装置，其特征在于，所述高介电常数层被构成层叠在所述放电辅助电极。5.如权利要求1～3...

【专利技术属性】
技术研发人员：足立淳，安中雄海，鹫见高弘，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP