本发明专利技术涉及一种导电层叠结构，特别涉及一种纳米银线导电层叠结构。该纳米银线导电层叠结构包括：一可挠性基材，一纳米银线导电电极层，置于所述可挠性基材表面及一增粘层，置于所述可挠性基材和纳米银线导电电极层之间，用于增加所述可挠性基材与所述纳米银线导电电极层的附着力。现有的纳米银线导电层叠结构，纳米银线之间的搭接不良或游移会影响其导电率，通过提供增粘层，增强了纳米银线导电电极层和基材的附着力，本发明专利技术还提供一种采用该纳米银线导电层叠结构的电容式触控面板。
【技术实现步骤摘要】
【专利说明】
本专利技术涉及一种导电层叠结构，特别涉及一种纳米银线导电层叠结构及采用该纳米银线导电层叠结构的电容式触控面板。【
技术介绍
】伴随近年来触控面板在通讯行业的迅速崛起，特别是在手机通讯行业的蓬勃发展，触控面板一举成为现今成像显示设备的首选产品。使用率最高的触控面板主要是电阻式触控面板和电容式触控面板，但是使用者出于可控性，易用性和表面外观的考虑，大多会选用电容式触控面板作为其最佳首选设备。在传统智能手机的电容式触控面板中，触控电极的材料通常为氧化铟锡(简称为ΙΤ0)。ITO的透光率很高，导电性能较好。但随着触控面板尺寸的逐步增大，特别是应用于15寸以上的面板时，ITO的缺陷越来越突出，其中最明显的缺陷就是ITO的面电阻过大，价格昂贵，无法保证大尺寸触控面板良好的导电性能与足够的灵敏度，也无法适用于电子产品不断低价化的发展趋势。另外，在制造方法上，原来的ITO需要真空腔、较高的沉积温度和/或高退火温度以获得高传导性，造成ITO的整体制作成本非常昂贵。而且，ITO薄膜非常脆弱，即使在遇到较小物理应力的弯曲也非常容易被破坏，因此在可穿戴设备逐渐崛起的新兴产品市场的浪潮下，ITO材料作为导电电极已无法应付市场的需求而逐渐被淘汰。正因如此，产业界一直在致力于开发ITO的替代材料，目前逐渐被开发并应用的替代材料包括纳米银线(Silver Nano Wires,简称SNW)、金属网格(Metal Mesh)、碳纳米管、有机导电膜、以及石墨稀等。其中，SNW是诸多ITO替代材料目前最为成熟的一种。纳米银线具有银优良的导电性，同时由于其纳米级别的尺寸效应，使得其具有优异的透光性与耐曲挠性，因此可用作为优选地替代ITO作为触控电极的材料。—般的纳米银线触控面板，将纳米银线直接涂布在基材上，纳米银线之间仅凭较弱的分子间作用力搭接在一起，容易在曲挠作用下发生滑移，接触电阻较高和较不稳定，并且涂布形成均匀薄膜时存在一定的工艺技术困难。导电率是纳米银线触控面板的一个重要参数，然而纳米银线搭接的牢固程度直接影响银线的导电率。通常纳米银线与基材的附着越牢，纳米银线之间的搭接则更为良好。一般而言，成膜制造工艺在进行时，常会伴随温度的变化，而可挠性基材具有较大的膨胀系数，在升温降温的过程当中常会有显著的体积变化，常因为粘着于硬质基材上的可挠性基材的膨胀或收缩而使可挠性基材产生翘曲或变形。【
技术实现思路
】为克服纳米银线导电电极层与基材之间的附着力问题，以及在成膜制造工艺中因可挠性基材的膨胀引起的翘曲或变形等问题，本专利技术提供了一种纳米银线导电层叠结构及采用该纳米银线导电层叠结构的电容式触控面板。本专利技术解决技术问题的方案是:提供一种纳米银线导电层叠结构，其包括，一可挠性基材，一纳米银线导电电极层，置于所述可挠性基材表面，及一增粘层，置于所述可挠性基材和纳米银线导电电极层之间，用于增加所述可挠性基材与所述纳米银线导电电极层的附着力。优选地,所述纳米银线导电电极层的厚度为10nm-200nm。优选地，所述纳米银线导电电极层包括纳米银线和基质，纳米银线相互搭接形成导电网络，其中所述纳米银线至少部分嵌入基质中，所述纳米银线导电电极层的方阻小于100hm/sq0优选地，所述增粘层的厚度为10nm-300nm。优选地，所述增粘层的热膨胀系数小于可挠性基材的热膨胀系数。优选地，所述纳米银线导电电极层在厚度方向上至少部分与增粘层相互嵌入。优选地，所述增粘层材料为高分子聚合物、树脂、透明光学胶、氧化物、类光阻之任意一种或其任意组合。优选地，所述增粘层为一层光学膜，该光学膜的折射率为1.1-1.6。优选地，所述增粘层由两层或两层以上的低折射率光学膜、高折射率光学膜按交替叠加的方式叠加构成，其中低折射率光学膜的折射率为1.1-1.6，高折射率光学膜的折射率为 1.8-2.7。本专利技术解决上述技术问题提供的又一技术方案是:提供一种电容式触控面板，包括一盖板，一胶层，一触控电路控制器和一纳米银线导电层叠结构，该胶层连接所述盖板和纳米银线导电层叠结构，且胶层粘接所述盖板任一面和纳米银线导电层叠结构的任一面，所述纳米银线导电层叠结构电性连接于所述触控电路控制器，实现触控。优选地，所述电容式触控面板进一步包括一光学匹配层、一四分之一波长延迟片之任意一种或者其组合，所述光学匹配层位于盖板下方任意位置，所述四分之一波长延迟片位于纳米银线导电电极层和盖板之间。与现有技术相比，本专利技术纳米银线导电层叠结构及采用该纳米银线导电层叠结构的电容式触控面板在可挠性基材和纳米银线导电电极层之间设置一增粘层，相比于一般纳米银线触控面板，纳米银线之间仅仅凭借分子间作用力搭接在一起，容易在曲挠作用下发生滑移，不仅增加了可挠性基材与纳米银线导电电极层之间的附着力，使得不易滑移，而且当纳米银线导电层叠结构运用到触控面板中时，由于基材为可挠性基材时，在成膜制造工艺过程中，常会伴随着温度的升高或降低，而可挠性基材的膨胀系数较大，经常性膨胀或收缩使可挠性基材会产生翘曲或变形，通过设置增粘层，增粘层膨胀系数小于可挠性基材，为可挠性基材于其他功能层之间提供一个缓冲，从而使翘曲或变形等问题得到缓解。此外，本专利技术纳米银线导电层叠结构制备方法简单、效率高、成本低。传统纳米银线触控面板在涂布形成均匀薄膜时存在一定的工艺技术困难，本专利技术纳米银线通过多种方式进行涂布，实现纳米银线的镶嵌，容易实现均匀涂布。本专利技术纳米银线导电层叠结构可待增粘层半固化后形成纳米银线导电电极层，使得纳米银线导电电极层至少有部分和增粘层实现相互嵌入，进一步牢固纳米银线导电电极层与可挠性基材之间的附着，本专利技术触控面板的光学性能良好，光透过率在85%，甚至在90%以上，方阻小于100ohm/sq，具有良好的导电性。【【附图说明】】图1是纳米银线导电电极层分布于可挠性基材上的截面结构示意图。图2是纳米银线导电电极层分布于可挠性基材上的平面示意图。图3是本专利技术第一实施例纳米银线导电层叠结构的剖切结构示意图。图4是本专利技术第二实施例纳米银线导电层叠结构的剖切结构示意图。图5是本专利技术第三实施例电容式触控面板的剖切结构示意图。图6是本专利技术第四实施例电容式触控面板的剖切结构示意图。图7是本专利技术第五实施例电容式触控面板的剖切结构示意图。图8是本专利技术第六实施例电容式触控面板的剖切结构示意图。图9是本专利技术第七实施例电容式触控面板的剖切结构示意图。图10是本专利技术第八实施例采用图当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种纳米银线导电层叠结构，其特征在于，其包括：一可挠性基材；一纳米银线导电电极层，置于所述可挠性基材表面；及一增粘层，置于所述可挠性基材和纳米银线导电电极层之间，用于增加所述可挠性基材与所述纳米银线导电电极层的附着力。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吕正源，何小娴，李绍，张凡忠，
申请(专利权)人：宸鸿科技厦门有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35
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