本发明专利技术涉及一种触控面板，特别涉及一种纳米银线触控面板。该纳米银线触控面板包括一纳米银线导电电极层，其厚度为10nm-200nm，该纳米银线导电电极层包括纳米银线和基质，其中所述纳米银线至少部分嵌入基质，及一四分之一波长延迟片，设置在所述纳米线导电电极层上方。本发明专利技术有效解决了使用纳米银线作为触控面板的导电材料时，因为纳米银线反光率高表面漫射会产生雾度问题。
【技术实现步骤摘要】
【专利说明】
本专利技术涉及一种触控面板，特别涉及一种低雾度的纳米银线触控面板。【
技术介绍
】触控设备因其便于操作、成像效果好、功能多元化等优点逐渐受到电子通讯行业的青睐，并广泛应用于资讯系统设备、家电设备、通讯设备、个人便携设备等产品上。伴随近年来触控面板在通讯行业的迅速崛起，特别是在手机通讯行业的蓬勃发展，触控面板一举成为现今成像显示设备的首选产品。使用率最高的触控面板主要是电阻式触控面板和电容式触控面板，但是使用者出于可控性，易用性和表面外观的考虑，大多会选用电容式触控面板作为其最佳首选设备。在传统智能手机的电容式触控面板中，触控电极的材料通常为氧化铟锡(简称为ΙΤ0)。ITO的透光率很高，导电性能较好。但随着触控面板尺寸的逐步增大，特别是应用于15寸以上的面板时，ITO的缺陷越来越突出，其中最明显的缺陷就是ΓΓ0的面电阻过大，价格昂贵，无法保证大尺寸触控面板良好的导电性能与足够的灵敏度，也无法适用于电子产品不断低价化的发展趋势。另外，在制造方法上，原来的ITO需要真空腔、较高的沉积温度和/或高退火温度以获得高传导性，造成ITO的整体制作成本非常昂贵。而且，ITO薄膜非常脆弱，即使在遇到较小物理应力的弯曲也非常容易被破坏，因此在可穿戴设备逐渐崛起的新兴产品市场的浪潮下，ITO材料作为导电电极以无法不能应付市场的需求而逐渐被淘汰。正因如此，产业界一直在致力于开发ITO的替代材料，目前逐渐被开发并应用的替代材料包括纳米银线(Silver Nano Wires,简称SNW)、金属网格(Metal Mesh)、碳纳米管、有机导电膜、以及石墨稀等。其中，SNW是诸多ITO替代材料目前最为成熟的一种。纳米银线具有银优良的导电性，同时由于其纳米级别的尺寸效应，使得其具有优异的透光性与耐曲挠性，因此可用作为优选地替代ITO作为触控电极的材料。采用纳米银线导电膜做导电电极材料的触控面板，由于纳米银线反光率高，导致触控面板表面看上去发白发雾。纳米银线触控面板的雾度问题一直是阻碍纳米银线进一步推广实施的普遍问题，所谓雾度是指由于导电薄膜中的纳米银线表面光漫射造成的云雾状或混浊的外观。屏幕的雾度问题会导致在室外场景光线照射的情况下，屏幕反射光强烈，严重的时候会使得用户看不清屏幕，这也成为业界亟待解决的问题。【
技术实现思路
】为克服纳米银线作为导电电极材料时反光率高表面漫射导致的雾度问题，本专利技术提供一种可很好解决雾度问题的纳米银线触控面板。本专利技术解决以上技术问题的技术方案是:提供一种纳米银线触控面板，其包括一纳米银线导电电极层，其厚度为10nm-200nm,包括纳米银线和基质,其中所述纳米银线至少部分嵌入基质，及一四分之一波长延迟片，设置于所述纳米银线导电电极层上方。优选地，所述四分之一波长延迟片的雾度小于等于0.5%，透光率大于等于95 %。优选地，所述纳米银线触控面板进一步包括一遮蔽层，所述遮蔽层设置于四分之一波长延迟片与纳米银线导电电极层之间，附着于四分之一波长延迟片下表面的周边。优选地，所述纳米银线触控面板进一步包括，一盖板，一遮蔽层，设置于于所述盖板的下表面的周边，所述纳米银线导电电极层设置于四分之一波长延迟片的下表面，四分之一波长延迟片位于所述纳米银线导电电极层与遮蔽层之间。优选地，所述纳米银线触控面板进一步包括一基材，所述纳米银线导电电极层设置于其任意一侧。一遮蔽层，设置于所述基材与四分之一波长延迟片之间，附着于四分之一波长延迟片下表面的周边。优选地，所述纳米银线触控面板进一步包括一盖板，一遮蔽层，设置于所述盖板与四分之一波长延迟片之间，一基材，纳米银线导电电极层设置于其任意一侧，所述四分之一波长延迟片位于所述盖板和所述基材之间。优选地，所述纳米银线触控面板进一步包括至少一层光学匹配层，该光学匹配层设置在纳米银线导电电极层的任意侧。优选地，所述纳米银线触控面板的雾度小于等于3%。优选地，所述纳米银线触控面板的雾度小于等于1.5%。优选地，所述纳米银线触控面板的透光率大于等于88%。与现有技术相比，本专利技术触控面板采用SNW替代ITO作为导电材料，使得透明导电薄膜的方阻更低，导电性能和反应灵敏度得到了提高，尤其在中大尺寸的触控面板当中相对于ITO导电薄膜对灵敏度的提升尤为明显，亦有更好的柔韧性。而由于纳米银线作为导电材料时，由于纳米银的反光率较高，存在雾度现象，通过设置四分之一波长延迟片，当光通过四分之一波长延迟片时，产生反射，由于光程差延迟，入射光与反射光抵消，从而可以降低反射光，使得纳米银线的雾度得到降低。且通过在纳米银线导电电极层上方设置一层1/4波长延迟片,可同时将LCD或OLED的线偏光转化成圆偏光,从而在偏光太阳镜下观看触摸屏不会出现消光现象，本专利技术纳米银线触控面板的选用的四分之一波长延迟片的雾度小于或等于0.5%，穿透率大于或等于95%，可以改善纳米银线触控面板的雾度问题，使其小于或等于3%，甚至小于或等于1.5%，并且能够同时使纳米银线触控面板光电性能良好，光透过率在88 %以上，甚至90 %以上，方阻在0-100ohm/sq，甚至在65 土 20ohm/sq。【【附图说明】】图1是纳米银线导电电极层分布于基材上的截面结构示意图。图2是纳米银线导电电极层分布于基材上的平面示意图。图3是本专利技术第一实施例纳米银线触控面板的剖切面爆炸结构图。图4是本专利技术第一实施例纳米银线触控面板的变形结构剖切面爆炸结构图。图5是本专利技术第二实施例流程图。图6是本专利技术第三实施例纳米银线触控面板的剖切面爆炸结构图。图7是本专利技术第四实施例纳米银线触控面板的剖切面爆炸结构图。图8是本专利技术第五实施例纳米银线触控面板的剖切面爆炸结构图。图9是本专利技术第六实施例纳米银线触控面板的剖切面爆炸结构图。图10是本专利技术第七实施例纳米银线触控面板的剖切面爆炸结构图。图11是本专利技术第八实施例纳米银线触控面板的剖切面爆炸结构图。图12是是本专利技术第九实施例纳米银线触控面板的剖切面爆炸结构图。【【具体实施方式】】为了使本专利技术的目的，技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施实例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。在所有实施例中上、下、左、右等位置限定词仅限于指定视图上的相对位置，而非绝对位置。银在一般状态下为银白色金属，且为不透明材料，导电性极佳。而为纳米银线时，纳米银线具有良好的透光率和极佳的导电性，能够很好的运用于触控面板的导电电极。请参阅图1与图2，系纳米银线导电电极层1005分布在基材1007上的示意图，其包括基材1007和制作在基材1007上的纳米银线导电电极层1005，纳米银线导电电极层1005包括基质1003和嵌入在基质1003中的多根纳米银线1001，纳米银线1001排布其中相互搭接形成导电网络。纳米银线1001的线径越大电阻越低，线长越长越容易搭接形成导电网络，但同时纳米银线1001表面积也随之增大，表面反射光漫射导致的雾度问题也越明显，因此纳米银线1001的线长为10um-300 μ m，优选为20um_100 μ m，最好其长度为20um-50 μ m,纳米银线1001的线径小于500nm，或小于200nm，10nm,优选为小于50nm，且本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种纳米银线触控面板，其特征在于，包括：一纳米银线导电电极层，其厚度为10nm‑200nm，包括纳米银线和基质，其中所述纳米银线至少部分嵌入基质，及一四分之一波长延迟片，设置在所述纳米线导电电极层上方。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：高国峯，袁琼，陈艺琴，叶坤雄，
申请(专利权)人：宸鸿科技厦门有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35
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