磁铁装置(2)具备：对置地配置的一对大致圆盘状的磁极(4U)；侧视呈C字或U字形状且该C字或U字形状的两端部与磁极(4U)接近地配置的磁轭(3)，磁轭(3)具有与磁极(4U)接近地对置的磁轭侧对置部(15U)，磁轭侧对置部(15U)具有：包含磁轭(3)的铅垂对称面(α)的一部分的中央带区域(15b)；从铅垂对称面(α)离开而位于中央带区域(15b)两侧的两侧带区域(15c)，在磁轭侧对置部(15U)的从与磁极(4U)接近地对置的磁轭侧对置表面(15a)起的高度(W3)上，中央带区域(15b、W3b)比两侧带区域(15c、W3c)高。磁轭侧对置部(15U)的从磁轭侧对置表面(15a)起的高度(W3)随着从铅垂对称面(α)远离而广义单调减小并且其最大值和最小值不同。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及磁铁装置和具备该磁铁装置的磁共振成像装置(以下称为MRI (Magnetic Resonance Imaging:磁共振成像)装置)。
技术介绍
MRI装置将被检体置于形成有均匀的静磁场的摄像空间，利用向该被检体照射高频脉冲时产生的核磁共振现象，获得表征被检体的物理、化学特性的图像。并且，该图像主要用于医疗。MRI装置从其静磁场方向来看大致分为该方向朝向水平方向的水平型和朝向铅垂方向的垂直型。在前者即水平型MRI装置中，摄像空间处于在水平方向上贯通的隧道内，被检者进入该隧道内接受检查。因此，被检者有时会有压迫感。而后者即垂直型MRI装置是在上下对置地配置的一对磁极之间形成摄像空间而被检者进入该磁极间的构造，因此被检者能够获得敞开感。因此，垂直型MRI装置也被称为敞开型MRI装置。为了发挥垂直型MRI装置的特长，使被检者周围的空间较大程度地敞开，与一对磁极连接的磁轭的形状采用C字或U字形状(例如参照专利文献I等)。本说明书中，C字或U字形状是指将大致圆环形状的一部分切除而敞开的形状。但是在采用C字或U字形状的磁轭时，从摄像空间看的包含磁轭的磁性体的分布会发生偏向，因此摄像空间内的静磁场容易形成非轴对称，摄像空间中的静磁场的磁场强度容易变得不均匀。为此，在专利文献I中采用使C字或U字形状的磁轭的在水平方向上延设的上下一对的水平部的厚度向前端侧逐渐变薄的构造，从而对摄像区域上的C字或U字形状的开口侧和柱侧的磁场强度进行调节。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2005 - 168772号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题垂直型MRI装置具备磁铁装置，用以在摄像空间中产生均匀的静磁场。并且，在该磁铁装置中采用永久磁铁或超导线圈。通常，在摄像空间中所需磁场强度小于0.5T则采用永久磁铁，而0.5T以上则采用超导线圈。并且，作为MRI装置用磁铁装置的重要参数，除了上述磁场强度和上述磁场均匀度之外还有漏磁场扩散区域的大小。漏磁场扩散区域的大小尺度一般采用磁场强度衰减至0.5mT所需的空间大小。需要将漏磁场抑制为使该空间大小比设置MRI装置的房间小的程度。并且，如果摄像空间的磁场强度为1.0T以下，则在该程度的漏磁场的抑制中能够通过仅配置铁等的磁性体来进行。而当磁场强度超过IT时，则在仅配置磁性体来抑制漏磁场时需要数十吨的磁性体，配置磁性体来抑制漏磁场并不实用。该情况下，能够采用被称为屏蔽线圈的超导线圈来抑制漏磁场。总结上述内容，在摄像空间的磁场强度为0.5T以下范围内的垂直型MRI装置中，对磁极采用永久磁铁来生成静磁场，并采用磁性体来抑制漏磁场。作为磁性体，具体而言，能够采用铁制的磁轭。并且，在0.5T以上1.0T以下的范围内的垂直型MRI装置中，采用与磁性体磁极不同的超导线圈来生成静磁场，并采用与磁极磁性体不同的磁性体来抑制漏磁场。并且，在专利文献I中，采用超导线圈和磁性体即空隙少的连续的铁制磁轭，因此能够抑制漏磁场并生成高磁场强度的静磁场。另外，使C字或U字形状的磁轭的水平部的厚度向前端侧逐渐变薄，从而减轻磁场的非轴对称性。但是，在调节磁轭的水平部前端侧的厚度的方法中具有无法校正的非轴对称性。即，关于通过摄像区域中心的铅垂轴的周向角度，在设定C字或U字形状的柱侧为O度、C字或U字形状的开口侧为180度时，即使具备使O度和180度方向的磁场的强度在磁轭的水平部前端侧的厚度上一致的机构，也无法利用该机构使O度和90度及270度方向的磁场的强度一致。并且，在专利文献I中，在使磁轭的水平部前端侧的厚度较薄的情况下，则例如上侧的水平部以该水平部的外侧表面向下凸起的形状、即从上方看呈凹状的形状为基本形状。这种向外侧表面下方凸起的形状与向上凸起的形状相比，会使流向铅垂上方的磁通向C字或U字形状的柱侧急剧地弯曲，因此C字或U字形状的开口侧的磁场向铅垂向上方流通的距离缩短，因此导致需要均匀磁场的摄像区域变小。为此，本专利技术所要解决的课题是提供一种磁铁装置，其能够使静磁场的非轴对称性减轻并提高均匀性。并且提供搭载有该磁铁装置的MRI装置。用于解决课题的方法为了解决上述课题，本专利技术是一种磁铁装置，其特征在于，具备:对置地配置的一对大致圆盘状的磁极；以及侧视呈C字或U字形状且该C字或U字形状的两端部与上述磁极接近地配置的磁轭，上述磁轭具有与上述磁极接近地对置的磁轭侧对置部，上述磁轭侧对置部具有:包含大致平分上述磁轭的铅垂对称面的一部分的中央带区域；以及从上述对称面离开而位于上述中央带区域两侧的两侧带区域，在上述磁轭侧对置部的从与上述磁极接近地对置的磁轭侧对置表面起的高度中，上述中央带区域比上述两侧带区域高。并且，本专利技术是一种MRI装置，其特征在于，具有:该磁铁装置；以及将被检者搬送到一对磁极之间的床台，上述磁铁装置在一对上述磁极之间产生均匀的静磁场而形成摄像空间。专利技术的效果根据本专利技术，能够提供一种磁铁装置及搭载有该磁铁装置的MRI装置，由于通过磁极流向磁轭侧对置部的磁通具有朝向铅垂对称面的方向成分，因此能够抑制漏磁场并使静磁场的非轴对称性减轻而提高均匀性。并且，上述以外的课题、结构及效果可以通过以下对实施方式的说明而明了。【附图说明】图1是本专利技术第一实施方式的磁共振成像装置(MRI装置)的立体图。图2是将本专利技术第一实施方式的磁铁装置沿铅垂对称面切断的纵剖视图。图3是本专利技术第一实施方式的磁铁装置的俯视图。图4是将本专利技术第一实施方式的磁铁装置的上半部分沿与铅垂对称面和水平对称面正交的平面切断的纵剖视图。图5是本专利技术第一实施方式的磁铁装置的俯视图，是表示所产生的磁通的流向的图。图6是将本专利技术第一实施方式的磁铁装置的上半部分沿与铅垂对称面和水平对称面正交的平面切断的纵剖视图，是表示所产生的磁通的流向的图。图7是将本专利技术第一实施方式的磁铁装置的上半部分沿铅垂对称面切断的纵剖视图，是表示所产生的磁通的流向的图。图8是将比较例的磁铁装置的上半部分沿铅垂对称面切断的纵剖视图，是表示所产生的磁通的流向的图。图9是本专利技术第二实施方式的磁铁装置的磁轭的上半部分的立体图。图10是本专利技术第二实施方式的磁铁装置的俯视图。图11是将本专利技术第二实施方式的磁铁装置的上半部分沿与铅垂对称面和水平对称面正交的平面切断的纵剖视图。图12是将本专利技术第二实施方式的磁铁装置的上半部分沿铅垂对称面切断的纵剖视图。图13是本专利技术第三实施方式的磁铁装置的磁轭的上半部分的立体图。图14是将采用永久磁铁时的磁铁装置沿铅垂对称面切断的纵剖视图。【具体实施方式】接下来，适宜参照附图对本专利技术的实施方式进行详细说明。并且，在各图中对共通部分标注同一符号而省略重复说明。(第一实施方式)图1示出本专利技术第一实施方式的磁共振成像装置(MRI装置)I的立体图。MRI装置I具有:在摄像空间9内生成磁场强度均匀的静磁场的磁铁装置2 ;将被检者以平卧状态向摄像空间9搬送的床台8 ;以及对磁铁装置2、床台8等MRI装置I整体进行控制，并利用向被检体照射高频脉冲时产生的核磁共振现象，取得表征被检体的物理、化学特性的图像的控制部7。控制部7与磁铁装置2、床台8等连接。控制部7具有:能够由操作者进行操作来调整其控制内容的操作部72 ;以及显示取得的图像的显示部71。操作部72通过按本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种磁铁装置，其特征在于，具备：对置地配置的一对大致圆盘状的磁极；以及侧视呈C字或U字形状且该C字或U字形状的两端部与上述磁极接近地配置的磁轭，上述磁轭具有与上述磁极接近地对置的磁轭侧对置部，上述磁轭侧对置部具有：中央带区域，其包含大致平分上述磁轭的铅垂对称面的一部分；以及两侧带区域，其从上述对称面离开而位于上述中央带区域两侧，在上述磁轭侧对置部的从与上述磁极接近地对置的磁轭侧对置表面起的高度中，上述中央带区域比上述两侧带区域高。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：堀知新，阿部充志，
申请(专利权)人：株式会社日立医疗器械，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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