本实用新型专利技术公开一种用于防止晶片背面污染的显影装置，包旋括转真空吸柱(1)、晶片(2)、内部旋转挡板(3)和护圈(4)，晶片水平放置在旋转真空吸柱的正上方，内部旋转挡板布置在晶片的下方位于旋转真空吸柱外侧，护圈安装在内部旋转挡板与晶片之间，内部旋转挡板可上下左右移动的安装在旋转真空吸柱外侧，通过移动内部旋转挡板可调整内部旋转挡板与晶片之间的间隙，防止涂抹在晶片表面的显影液流到背面，减少对晶片、内部旋转挡板及旋转真空吸柱造成的污染。本实用新型专利技术可以防止显影液导致的晶片背面污染，提高了良率，减少了对后续蚀刻工艺的影响。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种显影装置，具体是一种用于防止晶片背面污染的显影装置，属于显影装置
技术介绍
目前，正在使用的半导体制造显影设备中，利用显影设备显影已经曝光的晶片时，当显影过度，吸住晶片的真空吸柱的水平度发生偏移，机械臂的位置发生偏移，或者显影液超过表面张力时，均会使显影液流到晶片背面。如图1所示的内部旋转挡板与晶片之间间隙放大图所见，现有的设备在显影过程中，因内部旋转挡板是固定的，故晶片和内部旋转挡板之间存在约为I毫米的间隙。由于该间隙的存在，在显影时，由于显影过度，吸住晶片的真空吸柱的水平度，或者机械臂的位置发生偏移，易导致涂抹在晶片表面的显影液流到背面，进而会对晶片及内部旋转挡板造成污染，甚至会接连污染其他晶片，继而在后续蚀刻工艺进行时，导致污染问题发生。
技术实现思路
针对上述现有技术存在的问题，本技术提供一种用于防止晶片背面污染的显影装置，能防止显影液导致的晶片背面污染，提高良率，减少对后续蚀刻工艺的影响。为了实现上述目的，本技术采用的一种用于防止晶片背面污染的显影装置，包括旋转真空吸柱、晶片、内部旋转挡板和护圈，晶片水平放置在旋转真空吸柱的正上方，内部旋转挡板布置在晶片的下方位于旋转真空吸柱外侧，护圈安装在内部旋转挡板与晶片之间，所述内部旋转挡板可上下左右移动的安装在旋转真空吸柱外侧，通过移动内部旋转挡板可调整内部旋转挡板与晶片之间的间隙，防止涂抹在晶片表面的显影液流到背面，减少对晶片、内部旋转挡板及旋转真空吸柱造成的污染。所述护圈安装在内部旋转挡板上，与内部旋转挡板一起上下左右移动。所述内部旋转挡板通过上下左右调节装置安装在旋转真空吸柱外侧，所述上下左右调节装置包括立板和横板，所述立板安装在横板的导轨内，所述立板和横板均为伸缩式安装板，通过立板的伸缩实现内部旋转挡板的上下移动，通过横板的伸缩实现内部旋转挡板的左右移动。与现有技术相比，本技术通过更改内部旋转挡板的安装方式，将现有固定安装的内部旋转挡板改成可以上下左右移动的内部旋转挡板，通过移动内部旋转挡板可消除它们之间的间隙，继而防止涂抹在晶片表面的显影液流到晶片背面或流入旋转真空吸柱，减少了对晶片、内部旋转挡板及旋转真空吸柱造成的污染，提高了良率，减少了对后续蚀刻工艺的影响。【附图说明】图1为现有显影设备真空吸柱周围的剖面示意图；图2为本技术显影设备真空吸柱周围的剖面示意图；图3为本技术上下左右移动内部旋转挡板的剖面示意图；图4为本技术上下移动护圈时的剖面示意图；图5为本技术左右移动护圈时的剖面示意图。图中:1、旋转真空吸柱，2、晶片，3、内部旋转挡板，4、护圈。【具体实施方式】下面结合附图对本技术作进一步说明。如图2至图5所示，一种用于防止晶片背面污染的显影装置，包括旋转真空吸柱1、晶片2、内部旋转挡板3和护圈4，晶片2水平放置在旋转真空吸柱I的正上方，内部旋转挡板3布置在晶片2的下方位于旋转真空吸柱I外侧，护圈4安装在内部旋转挡板3与晶片2之间，所述内部旋转挡板3可上下左右移动的安装在旋转真空吸柱I外侧，通过移动内部旋转挡板3可调整内部旋转挡板3与晶片2之间的间隙，防止涂抹在晶片2表面的显影液流到背面，减少对晶片2、内部旋转挡板3及旋转真空吸柱I造成的污染。优选地，所述护圈4安装在内部旋转挡板3上，与内部旋转挡板3 —起上下左右移动。此时，护圈4可随内部旋转挡板3上下左右移动，护圈4与内部旋转挡板3 —起防止显影液流入真空吸柱或防止晶片背面的污染。优选地，所述内部旋转挡板3通过上下左右调节装置安装在旋转真空吸柱I外侧，所述上下左右调节装置包括立板和横板，所述立板安装在横板的导轨内，所述立板和横板均为伸缩式安装板，通过立板的伸缩实现内部旋转挡板3的上下移动，通过横板的伸缩实现内部旋转挡板3的左右移动。这种结构可以实现内部旋转挡板3的上下左右移动，结构简单，操作方便。工作时，可上下移动内部旋转挡板3，调整内部旋转挡板3与晶片2之间的间隙，直至消除，即使内部旋转挡板3与晶片之间不存在间隙，从而实现阻止涂抹在晶片表面的显影液流到晶片背面或流入旋转真空吸柱的目的。同时，在对其进行清洗时，可将内部旋转挡板上调至晶片背面，借助它的阻挡作用，即使有显影液流到晶片背面，也会阻断流晶片背面的显影液，保证它不会污染旋转真空吸柱。待清洗结束后，可将内部旋转挡板重新降到下面，同时旋转晶片。当真空吸柱旋转时，考虑到晶片背面划伤的问题，可将内部旋转挡板3下调，使其远离晶片。此外，与内部旋转挡板相比，显影装置中更接近中心的纯水喷嘴可将显影液清洗到晶片边缘。因为与内部旋转挡板相比，纯水喷嘴更接近中心，所以在背部喷淋时，可以清除内部旋转挡板外层的污染。由上述结构可见，本技术更改了内部旋转挡板的安装方式，使其可以上下左右移动，而通过内部旋转挡板的移动可消除它与晶片之间的间隙，继而防止涂抹在晶片表面的显影液流到晶片背面或流入旋转真空吸柱，减少了对晶片、内部旋转挡板及旋转真空吸柱造成的污染，提高了良率，减少了对后续蚀刻工艺的影响。【主权项】1.一种用于防止晶片背面污染的显影装置，包括旋转真空吸柱(I)、晶片(2)、内部旋转挡板(3)和护圈(4)，晶片(2)水平放置在旋转真空吸柱(I)的正上方，内部旋转挡板(3)布置在晶片(2)的下方位于旋转真空吸柱(I)外侧，护圈(4)安装在内部旋转挡板(3)与晶片(2)之间，其特征在于，所述内部旋转挡板(3)可上下左右移动的安装在旋转真空吸柱(I)外侧，通过移动内部旋转挡板(3)可调整内部旋转挡板(3)与晶片(2)之间的间隙，防止涂抹在晶片(2)表面的显影液流到背面，减少对晶片(2)、内部旋转挡板(3)及旋转真空吸柱(I)造成的污染。2.根据权利要求1所述的一种用于防止晶片背面污染的显影装置，其特征在于，所述护圈(4)安装在内部旋转挡板(3)上，与内部旋转挡板(3) —起上下左右移动。3.根据权利要求1所述的一种用于防止晶片背面污染的显影装置，其特征在于，所述内部旋转挡板(3)通过上下左右调节装置安装在旋转真空吸柱(I)外侧，所述上下左右调节装置包括立板和横板，所述立板安装在横板的导轨内，所述立板和横板均为伸缩式安装板，通过立板的伸缩实现内部旋转挡板(3)的上下移动，通过横板的伸缩实现内部旋转挡板(3)的左右移动。【专利摘要】本技术公开一种用于防止晶片背面污染的显影装置，包旋括转真空吸柱(1)、晶片(2)、内部旋转挡板(3)和护圈(4)，晶片水平放置在旋转真空吸柱的正上方，内部旋转挡板布置在晶片的下方位于旋转真空吸柱外侧，护圈安装在内部旋转挡板与晶片之间，内部旋转挡板可上下左右移动的安装在旋转真空吸柱外侧，通过移动内部旋转挡板可调整内部旋转挡板与晶片之间的间隙，防止涂抹在晶片表面的显影液流到背面，减少对晶片、内部旋转挡板及旋转真空吸柱造成的污染。本技术可以防止显影液导致的晶片背面污染，提高了良率，减少了对后续蚀刻工艺的影响。【IPC分类】G03F7/30【公开号】CN204903943【申请号】CN201520490912【专利技术人】金海猷, 魏明德 【申请人】徐州同鑫光电科技股份有限公司【公开日】2015年12月23日【申请日】2015年7月8日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于防止晶片背面污染的显影装置，包括旋转真空吸柱(1)、晶片(2)、内部旋转挡板(3)和护圈(4)，晶片(2)水平放置在旋转真空吸柱(1)的正上方，内部旋转挡板(3)布置在晶片(2)的下方位于旋转真空吸柱(1)外侧，护圈(4)安装在内部旋转挡板(3)与晶片(2)之间，其特征在于，所述内部旋转挡板(3)可上下左右移动的安装在旋转真空吸柱(1)外侧，通过移动内部旋转挡板(3)可调整内部旋转挡板(3)与晶片(2)之间的间隙，防止涂抹在晶片(2)表面的显影液流到背面，减少对晶片(2)、内部旋转挡板(3)及旋转真空吸柱(1)造成的污染。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：金海猷，魏明德，
申请(专利权)人：徐州同鑫光电科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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