能够实现重置和自检的磁场传感器制造技术

本发明专利技术提供一种磁场传感器，其包括：至少一个磁场传感单元，所述磁场传感单元具有磁易轴和与所述磁易轴垂直的磁敏轴；至少一个自检重置导线，所述自检重置导线位于对应的磁场传感单元的上方或下方，所述自检重置导线的延伸方向与对应的磁场传感单元的磁敏轴成预定夹角，该预定夹角大于0度且小于45度。这样通过该自检重置导线就可以实现重置/再重置和自检两种功能。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】
本专利技术涉及磁场传感器，特别涉及一种能够实现重置和自检的磁场传感器。【
技术介绍
】目前基于磁阻效应的磁场传感器已经应用非常普通，比如各向异性磁阻(AMR)磁场传感器、巨磁阻(GMR)磁场传感器及隧穿磁阻(TMR)磁场传感器。一般来说，基于磁阻效应的磁场传感器在磁场方向和大小改变时，器件电阻会随之改变。磁场传感器的结构通常包括一层软磁材料，例如铁、钴，镍，钴铁硼合金或镍铁合金(permalloy)等。在磁场方向和大小改变时，软磁材料层的磁化方向随之改变，从而引起电阻的变化。为了得到磁场的准确数值，在磁场传感器测量前所述软磁层需要被重新磁化。通常的方法是在紧邻磁场传感器的基本传感单元的导线中通过大电流以产生强磁场，从而使得基本传感单元的所有的磁畴都沿磁易轴方向排列，而磁易轴的方向由磁场传感器的基本传感单元的各向异性决定。通过控制所述导线上流过的电流的方向，磁畴的方向可以沿磁易轴平行的两个相反的方向排列。通常这个操作被称为重置(SET)和再重置(RESET)。除了可以对软磁层的磁化进行初始化，SET/RESET还可以帮助恢复软磁层的磁化。如果所处磁场传感器遭外界强磁场干扰，干扰磁场移除后所述软磁层的磁畴可能不能恢复至初始状态，从而引起测量误差。通过重置/再重置，磁畴的排列可以被恢复。随着磁场传感器芯片的成本持续下降，生产测试成本在整个磁场传感器成本中的比重越来越高。尤其是磁场传感器的生产测试，除了需要用于测试常见电气性能的设备外，还需要能够产生测试磁场的设备，例如亥姆霍兹线圈(Helmholtz coil)，这样会显著增加成本。如果相应的测试可以不需要借助外加磁场产生装置而能够在磁场传感器上完成，这样可以大幅降低成本。例如，使磁场传感器暴露于一个已知大小的磁场中，磁场传感器的读数可以与已知磁场大小比较以校准灵敏度、误差以及其它参数。这个已知磁场可以通过紧邻磁场传感器的另一个导线产生。因为通常外加的测试磁场是沿灵敏轴方向且与磁易轴方向垂直，因此需要紧邻磁场传感器放置独立的两套导线以完成SET/RESET以及自检。这需要在生产工艺中加入两层金属，额外的金属沉积和光刻工艺会增加生产成本。因此需要一种改进的方案在基于磁阻效应的磁场传感器中同时实现SET/RESET以及自检功能。【
技术实现思路
】本专利技术的目的之一在于提供一种改进的磁场传感器，其可以基于同一导线实现重置/再重置和自检功能。为了解决上述问题，本专利技术提供一种磁场传感器，其包括:至少一个磁场传感单元，所述磁场传感单元具有磁易轴和与所述磁易轴垂直的磁敏轴；至少一个自检重置导线，所述自检重置导线位于对应的磁场传感单元的上方或下方，所述自检重置导线的延伸方向与对应的磁场传感单元的磁敏轴成预定夹角，该预定夹角大于O度且小于45度。进一步的，该预定夹角大于4度小于15度。进一步的，所述磁场传感单元的磁易轴与X轴平行，所述磁场传感单元的磁敏轴与I轴平行；在所述自检重置导线上流过电流时，该电流会在对应的磁场传感单元所在的平面形成具有X轴分量和y轴分量的磁场。进一步的，磁场传感器具有重置/再重置模式和自检模式，在重置/再重置模式时，使所述自检重置导线上流过第一电流，此时在对应的磁场传感单元所在的平面产生第一磁场，该第一磁场的X轴分量重置/再重置该对应的磁场传感单元使得该对应的磁场传感单元的磁畴方向回到所述磁易轴的方向；在自检模式时，使所述自检重置导线上流过预知的第二电流，此时在对应的磁场传感单元所在的平面产生预知的第二磁场，该第二磁场的y轴分量使得该对应的磁场传感单元的磁阻发生变化，通过检测所述磁阻的变化实现自检，该第二电流小于第一电流。进一步的，所述磁场传感单元为多个，各个磁场传感单元的磁易轴相互平行，所述自检重置导线为多个，每个自检重置导线对应一个磁场传感单元。进一步的，磁场传感器还包括有第一电源端、第二电源端、第一输出端和第二输出端，所述磁场传感单元为四个，分别记为第一磁场传感单元、第二磁场传感单元、第三磁场传感单元和第四磁场传感单元；其中，第一电源端与第一磁场传感单元的第一端和第二磁场传感单元的第一端相连；第二电源端与第三磁场传感单元的第二端和第四磁场传感单元的第二端相连；第一输出端与第一磁场传感单元的第二端和第三磁场传感单元的第一端相连；第二输出端与第二磁场传感单元的第二端和第四磁场传感单元的第一端相连；其中，第一磁场传感单元对应的自检重置导线上流过的电流的流向和第三磁场传感单元对应的自检重置导线上流过的电流的流向相同，第二磁场传感单元对应的自检重置导线上流过的电流的流向和第四磁场传感单元对应的自检重置导线上流过的电流的流向相同，第一磁场传感单元和第三磁场传感单元对应的自检重置导线上流过的电流的流向与第二磁场传感单元和第四磁场传感单元对应的自检重置导线上流过的电流的流向相反。进一步的，各个自检重置导线相互连接形成自检重置线圈，该自检重置线圈具有第一连接端和第二连接端。进一步的，所述磁场传感单元为各向异性磁阻传感单元、巨磁阻传感单元或隧穿磁阻传感单元。与现有技术相比，在本专利技术中设置与磁场传感器单元的磁敏轴成预定夹角的自检重置导线，这样通过该自检重置导线就可以实现重置/再重置和自检两种功能。【【附图说明】】为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。其中:图1示出了本专利技术中的磁场传感器在第一个实施例中的原理示意图；图2示出了本专利技术中的磁场传感器在第二个实施例中的原理示意图；图3示出了图2中的磁场传感器的惠斯通电桥电路图；图4示出了本专利技术中的磁场传感器在第三个实施例中的原理示意图。【【具体实施方式】】为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和【具体实施方式】对本专利技术作进一步详细的说明。此处所称的“一个实施例”或“实施例”是指可包含于本专利技术至少一个实现方式中的特定特征、结构或特性。在本说明书中不同地方出现的“在一个实施例中”并非均指同一个实施例，也不是单独的或选择性的与其他实施例互相排斥的实施例。除非特别说明，本文中的连接、相连、相接的表示电性连接的词均表示直接或间接电性相连，间接电性相连是指经由另外一个器件或电路电性相连。图1示出了本专利技术中的磁场传感器在第一个实施例100中的原理示意图。如图1所示的，所述磁场传感器100包括磁场传感单元110、自检重置导线120以及位于两者之间的绝缘层(未图示)。该自检重置导线120与所述磁场传感单元110相对应，并位于所述磁场传感单元110的上方或者下方。所述磁场传感单元110具有磁易轴和与所述磁易轴垂直的磁敏轴。为了介绍方便，定义X轴和与X轴垂直的I轴，所述磁场传感单元110的磁易轴与X轴平行，所述磁场传感单元110的磁敏轴与y轴平行。所述磁场传感单元110为各向异性磁阻(AMR)传感单元、巨磁阻(GMR)传感单元或隧穿磁阻(GMR)传感单元。在一个实施例中，所述磁场传感单元110包括沿其磁易轴方向延伸的纵长磁阻条111和形成于所述磁阻条111上的并与所述磁阻条111成预定角度的相互本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁场传感器，其特征在于，其包括：至少一个磁场传感单元，所述磁场传感单元具有磁易轴和与所述磁易轴垂直的磁敏轴；至少一个自检重置导线，所述自检重置导线位于对应的磁场传感单元的上方或下方，所述自检重置导线的延伸方向与对应的磁场传感单元的磁敏轴成预定夹角，该预定夹角大于0度且小于45度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋乐跃，李斌，
申请(专利权)人：美新半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32