和差支路采用不同导波结构的高隔离3分贝混合环制造技术

本发明专利技术公开了一种和差支路采用不同导波结构的高隔离3分贝混合环。该混合环包括一个传统的微带混合环，在该微带混合环的和端口连接基片集成波导导波结构、差端口连接共面波导导波结构；所述共面波导导波结构包括共面波导中心导带、微带混合环差端口的微带线与共面波导中心导带的耦合部分，该共面波导导波结构由介质基片上下表面的金属贴片构成；所述基片集成波导导波结构包括基片集成波导、微带混合环和端口的微带线至基片集成波导的过渡带，所述基片集成波导由介质基片上下表面的金属贴片和两排金属通孔构成，该两排金属通孔构成基片集成波导的侧壁。本发明专利技术和、差端口传播的导波模式截然不同，不易发生耦合，从而实现了两个端口较高的隔离。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微波毫米波集成电路
，特别是一种和差支路采用不同导波结 构的高隔离3分贝混合环。
技术介绍
采用传统微带技术的混合环已经得到大量的实际应用，但是由于其结构的特征， 隔离度受到一定的限制。这是由于传统微带结构的混合环和差支路均采用同一种导波结构 (微带），因而这两个端口的导波模式自然容易相互泄露，导致隔离度下降。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种结构简单、容易实现的和差支路采用不同导波结构的 高隔离3分贝混合环，该混合环具有体积小、性能稳定、隔离度高的优点。 实现本专利技术目的的技术解决方案为：一种和差支路采用不同导波结构的高隔离3 分贝混合环，包括一个传统的微带混合环，在该微带混合环的和端口连接基片集成波导导 波结构、差端口连接共面波导导波结构；所述微带混合环由介质基片上表面的金属贴片和 下表面的接地板构成；所述共面波导导波结构包括共面波导中心导带及两侧接地板、微带 混合环差端口的微带线与共面波导中心导带的耦合部分，该共面波导导波结构由介质基片 上下表面的金属贴片构成；所述基片集成波导导波结构包括基片集成波导、微带混合环和 端口的微带线至本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种和差支路采用不同导波结构的高隔离3分贝混合环，其特征在于，包括一个传统的微带混合环(c)，在该微带混合环(c)的和端口连接基片集成波导导波结构、差端口连接共面波导导波结构；所述微带混合环(c)由介质基片上表面的金属贴片和下表面的接地板构成；所述共面波导导波结构包括共面波导中心导带及两侧接地板(a)、微带混合环差端口的微带线与共面波导中心导带的耦合部分(b)，该共面波导导波结构由介质基片上下表面的金属贴片构成；所述基片集成波导导波结构包括基片集成波导(f)、微带混合环和端口的微带线至基片集成波导的过渡带(d)，所述基片集成波导(f)由介质基片上下表面的金属贴片和两排金属通孔(e)构成，该两排...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李兆龙，华滟凌，陈如山，童童，王楠，宋思琦，丁大志，樊振宏，叶晓东，王贵，
申请(专利权)人：南京理工大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32