可剥性超导导体、可剥性超导导体的制造方法以及超导线的修补方法技术

提供一种容易操作的可剥性超导导体(1)，该可剥性超导导体(1)具有：超导导体，其具有基材(20)、和形成于所述基材的一个主面上的超导层(32)；以及能够剥离的载体(10)，其形成于所述超导导体的与形成有超导层(32)的面相反的一侧的主面上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】可剥性超导导体、可剥性超导导体的制造方法以及超导线的修补方法
本专利技术涉及可剥性超导导体、可剥性超导导体的制造方法以及使用可剥性超导导体的超导线的修补方法。更具体的说，涉及修补用的可剥性超导导体、可剥性超导导体的制造方法以及使用了可剥性超导导体的超导线的修补方法。
技术介绍
作为在带状的基板的一个面上形成有超导层的带状的超导线的在超导层中产生的缺陷部的修补方法，公开有一种方法，该方法利用焊锡对与该缺陷部对应的稳定化层的表面粘接带状的修补用超导线，以绕过超导线的超导层的缺陷部的方式形成电流的流路(例如，参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2009-187743号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题但是，在专利文献1所公开的修补方法所使用的修补用超导线中，因为使基板的厚度比修补对象的超导线的基板薄且基板的厚度薄至30μm～50μm，所以存在需要注意修补用超导线的处理且在制造操作方面极难在薄基板上成膜出超导层的问题。因此，本专利技术就是鉴于上述问题点而完成的，其目的在于提供一种粘贴于载体的、具有薄基板的易于操作的可剥性超导导体。用于解决课题的手段本专利技术的可剥性超导导体的特征的主旨在于，该可剥性超导导体具有：超导导体，其具有基材和在所述基材的一个主面上形成的超导层；以及能够剥离的载体，其形成于该超导导体的与形成有超导层的面相反的一侧的主面上。该可剥性超导导体是，为了用于超导线的修补或连接，制作非常薄的超导导体、且以能够从载体剥离该超导导体的方式进行调整而粘贴。当进行修补时，从可剥性超导导体剥离载体之后与作为修补对象的超导线连接，或者将可剥性超导导体粘贴到修补部之后能够从该可剥性超导导体剥离载体。在将可剥性超导导体粘贴到修补部之后从该可剥性超导导体剥离载体的情况下，尤其即使是在修补用超导导体的基板的厚度不足30μm那样的情况下，也能够对修补用超导导体不造成损伤地进行修补。此外，对于基板以外的结构(例如，中间层或超导层、保护层等)，因为需要使超导特性(特别是Ic值(临界电流值))与修补或者连接对象的超导线相同程度，所以原则上是与修补或者连接对象的超导线相同的结构。本专利技术的可剥性超导导体的制造方法的特征的主旨在于，该制造方法包括如下工序：在基材的一个主面上形成能够剥离的载体的工序；以及在基材的与形成有载体的面相反的一侧的主面上成膜出超导层的工序。该可剥性超导导体的制造方法是在成膜时粘贴载体的方法，所获得的超导导体和载体直接使用于修补用，且在修补时剥离该载体。该载体优选超导成膜时耐高温、且热传导性良好的材料，因此使用与成膜用的极薄基板相同的材料即可，但是也能够使用成本低的合金。本专利技术的可剥性超导导体的其它的制造方法的特征的主旨在于，该制造方法包括如下工序：在基材的一个主面上形成操作用载体的工序；在基材的与形成有操作用载体的面相反的一侧的主面上成膜出超导层的工序；去除操作用载体的工序；以及在去除了操作用载体的一侧的主面上形成能够剥离的载体的工序。该可剥性超导导体的制造方法是剥离成膜时粘贴的操作用载体而重新粘贴于修补用的另外的载体的方法。因为操作用载体也优选超导成膜时耐高温、且热传导性良好的材料，所以使用与成膜用的极薄基板相同的材料即可，不过也可以使用成本低的合金。另一方面，修补用的载体因为没有受热经历，所以既可以是金属制也可以是塑料制。本专利技术的超导线的修补方法的特征的主旨在于，该修补方法包括如下工序：准备可剥性超导导体的工序，其中，该可剥性超导导体在基材的一个主面上形成有超导层，且在另一个主面上形成有能够剥离的载体；确定一部分具有Ic劣化部的超导线的Ic劣化部的工序；从超导导体去除载体的工序；以及以覆盖Ic劣化部的方式将去除了载体的超导导体电连接到超导线的工序。通过使去除了载体的修补用的超导导体连接到Ic劣化部，能够容易将较薄的超导导体粘贴于Ic劣化的该部位，且能够以绕过Ic劣化部的方式形成电流的流路。专利技术效果根据本专利技术能够提供一种粘贴于载体的、具有薄基板的易于操作的可剥性超导导体。附图说明图1是示出本专利技术的实施方式涉及的超导导体的层叠结构的立体图。图2A是说明在本专利技术的第1实施方式涉及的将成膜用基板局部地接合至操作用载体的方法中在宽度方向两端部具有接合部的情况的图。图2B是说明切断了图2A的接合部的状态的图。图2C是说明在本专利技术的第1实施方式涉及的将成膜用基板局部地接合至操作用载体的方法中在宽度方向中央部具有接合部的情况的图。图2D是说明切断了图2C的接合部的状态的图。图3A是说明本专利技术的第1实施方式、第2实施方式涉及的整面接合成膜用基板与操作用载体的方法的图。图3B是说明图3A的下一个工序的图。图3C是说明图3B的下一个工序的图。图3D是说明图3C的下一个工序的图。图4A是说明本专利技术的第1实施方式涉及的对操作用载体进行铆接而与成膜用基板一体化的方法的图。图4B是说明图4A的下一个工序的图。图4C是说明图4B的下一个工序的图。图4D是说明图4C的下一个工序的图。图5是示出将本专利技术的实施方式涉及的可剥性超导导体作为连接用超导导体使用的使用例的图。具体实施方式下面参照附图对用于实施本专利技术的方式(以下称之为“实施方式”)进行详细地说明。(第1实施方式)本专利技术的第1实施方式的可剥性超导导体通过以下方式获得：当成膜时将“操作用载体”粘贴到成膜用基板而成膜出超导层之后，剥下“操作用载体”而重新粘贴到“修补用载体”。下面，对3种方法进行说明。<将成膜用基板局部地接合至操作用载体的方法>在将成膜用基板局部地接合至操作用载体而在成膜用基板上成膜出中间层、超导层、保护层之后，去除(切断)接合部，剥下操作用载体而重新粘贴于修补用载体，从而制造修补用超导导体。如图2A、图2C所示，准备由哈斯特镍合金或不锈钢等Ni基或Fe基合金形成的带状的极薄基板(3～50μm的厚度)作为成膜用基板20，在该成膜用基板20的一个面上重叠有与成膜用基板20合计厚度达到70～120μm的厚度的由黄铜等金属形成的操作用载体10，且在宽度方向上的两端部及/或在宽度方向上的1处以上，沿长度方向连续或者不连续地接合。为了抑制修补(连接)部位的厚度，用于修补用(连接用)超导导体的基板优选为50μm以下的基板。图2A是示出在两端部具有接合部的情况的图，图2C是示出在中央部具有接合部的情况的图。在该成膜用基板20的与粘接有操作用载体10的面相反的面上通过机械研磨或电场研磨来实施表面研磨。此时，成膜用基板20的实施了表面研磨的表面的算术平均粗糙度Ra为5nm以下，优选是2nm以下。而且，在表面研磨后的成膜用基板20上，使用溅射装置成膜出例如由Gd2Zr2O7形成的厚度为100μm的床层，且在该床层之上通过IBAD(IonBeamAssistedDeposition：离子束辅助沉积)法在常温下以(angstrom：埃)成膜出由MgO形成的配向层(IBAD-MgO层)，还在配向层之上通过RF溅射法以4～100nm成膜出由组成式为LaMnO3+δ(δ是氧的非整比量)表示的结晶材料构成的作为氧化物层的LMO层。另外，LMO层从能够使LMO的晶格成为立方晶的相转移温度变低的观点出发，优选是由组成式为Laz(Mn1-xMx)wO3+δ(M＝从Cr、Al本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可剥性超导导体，其特征在于，其具有：超导导体，其具有基材和形成于所述基材的一个主面上的超导层；以及能够剥离的载体，其形成于所述超导导体的与形成有所述超导层的面相反的一侧的主面上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.03.13 JP 2013-0501921.一种可剥性超导导体，其特征在于，其具有：超导导体，其具有基材和形成于所述基材的一个主面上的超导层；以及能够剥离的载体，其形成于所述超导导体的与形成有所述超导层的面相反的一侧的主面上，所述载体是修补超导线时使用的修补用载体。2.根据权利要求1所述的可剥性超导导体，其中，所述载体与所述超导导体借助粘接层连接。3.根据权利要求1所述的可剥性超导导体，其中，所述基材具有金属基板，所述载体由金属制成，所述金属基板与所述载体局部地铆接接合。4.根据权利要求1～3中的任一项所述的可剥性超导导体，其中，所述基材具有金属基板，所述金属基板的厚度是50μm以下。5.一种可剥性超导导体的制造方法，其特征在于，该制造方法包括如下工序：在基材的一个主面上形成能够剥离的载体的工序；以及在所述基材的与形成有所述载体的面相反的一侧的主面上成膜出超导层的工序，所述载体是修补超导线时使用的修补用载体。6.根据权利要求5所述的可剥性超导导体的制造方法，其中，所述载体由与所述基材相同的材料制成。7.一种可剥性超导导体的制造方法，其特征在于，该制造方法包括如下工序：在基材的一个主面上形成操作用载体的工序；在所述基材的与形成有所述操作用载体的...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥野裕子，奥野良和，长洲义则，樋口优，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP