一种Bi2223氧化物薄膜的制备方法技术

技术编号:11418312 阅读:72 留言:0更新日期:2015-05-06 19:42
本发明专利技术以铋系超导粉为原料、以银为基底,利用非气相沉积法中的浸涂法制备Bi2223氧化物薄膜,最终获得具备超导性能的超导氧化物薄膜,是对以往铋系高温超导材料制备的一种突破,此法是一种操作性强的Bi2223氧化物薄膜的制备方法,不仅可以扩大Bi2223超导材料的应用范围,同时有可能是一种对于传统PIT法制备Bi2223超导带材的替代方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及高温超导材料领域,特别是一种Bi2223氧化物薄膜及其制备方法。
技术介绍
高温超导薄膜作为一种新型材料在微波器件中开始越来越多的被应用,具有较大实用价值的高温超导薄膜有钇(Y)系薄膜、铋(Bi)系薄膜和铊(T1)系薄膜。经过二十年的发展,钇(Y)系薄膜这项技术在北美和欧洲一些国家已经进入规模化、产业化阶段。而铋(Bi)系薄膜和铊(T1)系薄膜正处于普遍研究中。膜制备的方法以气相沉积法为主,包括物理气相沉积(physical vapor deposition,简称PVD)和化学气相沉积(chemical vapor deposition,简称CVD)。物理气相沉积法中发生物理过程,化学气相沉积中包含了化学反应过程。目前常用的物理气相沉积法有溅射、分子束外延、脉冲激光沉积。常用的和新发展的化学气相沉积方法包括金属有机化学气相沉积(metal organic CVD,简称MOCVD),微波电子回旋共振化学气相沉积法,直流电弧等离子体喷射和触媒化学气相沉积技术。非本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Bi2223氧化物薄膜及其制备方法,其特征为以铋系超导粉为原料、以银为基底,利用非气相沉积法中的浸涂法制备Bi2223氧化物薄膜,其主要制备过程包括如下步骤:(1)基体材料的选择及表面处理;(2)浸涂液的配制;(3)在基底材料上进行提拉镀膜;(4)对镀膜后的银箔进行预处理;(5)镀膜热处理。

【技术特征摘要】
1.一种Bi2223氧化物薄膜及其制备方法,其特征为以铋系超导粉为原料、
以银为基底,利用非气相沉积法中的浸涂法制备Bi2223氧化物薄膜,其主要制
备过程包括如下步骤:
(1)基体材料的选择及表面处理;
(2)浸涂液的配制;
(3)在基底材料上进行提拉镀膜;
(4)对镀膜后的银箔进行预处理;
(5)镀膜热处理。
2.根据权利要求1所述的氧化物薄膜及其制备方法,所述的基底材料为百
分含量为99.99%的银箔,所述的银箔的两种厚度分别为25-50μm和10-15μm,
银箔厚度优选30μm和10μm。
3.根据权利要求2所述的氧化物薄膜及其制备方法,所述的基底样品使用
经压力14兆帕压制银箔5s处理后,分别用丙酮、乙醇超声清洗不少于20min。
4.根据权利要求1所述的氧化物薄膜及其制备方法,所述的浸涂液的配制
有两种方法:
(1)配制2%-4%的聚乙烯醛缩丁酯(PVB)-乙醇溶液30ml。称取2g的铋
系超导前驱粉分散在分散剂中,搅拌后超声20-60min,采用氨水和硝酸对pH值
进行调节,调节pH值在6-7之间,使用氨水和硝酸调节pH值目的是不引入杂
质或引入可去除的杂质,静置一段时间,观察...

【专利技术属性】
技术研发人员:包蕊
申请(专利权)人:北京英纳超导技术有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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